Фоторезистор

Представляет собой п/п, к которому подключено 2 вывода и в котором имеется окно, через которое свет попадает в фоторезистор.

Электроны п/п получают при поглощении света энергию и переходят из ВЗ в ЗП. При этом уменьшается сопротивление, и ток в цепи увеличивается.

Поглощение света происходит в том случае, если энергия света больше ширины запрещённой зоны.

При Ф = 0 к фоторезистору прикладывается рабочее напряжение. Следовательно, в цепи протекает темновой ток I_т. При возрастании Ф ток I_Ф увеличивается, однако при больших значениях Ф наступает замедление роста фототока, т.к. происходит столкновение электронов, потеря ими энергии, замедление скорости дрейфа и увеличение процесса их рекомбинации.

I_Ф Ф₃ > Ф₂ > Ф₁ I_Ф I_Ф

Ф₃

Ф₂

Ф₁ I_т

U Ф l

П/п в зависимости от длины волны света неодинаково реагируют на световой поток, их реакция зависит от ширины запрещённой зоны. Т.к. п/п могут быть сложными веществами, то возможно наличие нескольких локальных максимумов.

Параметры фоторезистора:

§ U_раб

§ I_т

§ R_т (темновое сопротивление, измеряется через 30 с после снятия освещённости в 200 Лк)

§ R_св (световое сопротивление, измеряется после 30 с при освещённости в 200 Лк)

§ кратность сопротивления R_т / R_св

§ коэффициент интегральной чувствительности , десятки мА/Лм

§ коэффициент чувствительности к монохроматическому свету