Студопедия — Н-параметры транзистора и их связь с параметрами физической эквивалентной схемы
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Н-параметры транзистора и их связь с параметрами физической эквивалентной схемы






 

При любой схеме включения транзистор может быть представлен в виде активного четырехполюсника (рис. 3.6, а), на входе которого действует напряжение u 1и протекает ток i 1, а на выходе - напряжение u 2 и ток i 2. Для транзисторов чаще всего используются h -параметры. Система уравнений, показывающая связь напряжений и токов с h -параметрами, имеет вид:

(3.7)

Физический смысл соответствующих коэффициентов следующий:

h 11 - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе;

h 12 - коэффициент ОС по напряжению при холостом ходе на входе;

h 21 - коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе;

h 22 - выходная проводимость при холостом ходе на входе.

Как и при анализе физических эквивалентных схем, схемы замещения с активным четырехполюсником справедливы только для малых приращений токов и напряжений. Роль малых приращений могут играть малые гармонические токи и напряжения. Для переменных токов и напряжений все входные и выходные величины, а следовательно, и h -параметры - величины комплексные, зависящие от частоты. Представление транзистора в виде активного четырехполюсника справедливо для любой схемы включения. Для схемы с ОБ h -параметрам приписывают индекс Б: h 11Б, h 12Б, h 21Б и h 22Б. Для схемы с ОЭ h -параметры обозначаются через h 11Э, h 12Э, h 21Э и h 22Э.

Значения одноименных h -параметров для различных схем включения различаются. Из сравнения физических эквивалентных схем и эквивалентных схем транзистора в h -параметрах можно найти соотношения для расчета h -параметров через параметры физических эквивалентных схем:

; ;

; ;

; ;

; . (3.8)

В практике приближенных расчетов часто пользуются упрощенными эквивалентными схемами, не учитывающими внутреннюю обратную связь по напряжению, полагая и . Не учитывают обычно и влияние емкости эмиттерного перехода С Э, так как она всегда зашунтирована низкоомным сопротивлением r Э.

На высоких частотах учитывается зависимость от частоты коэффициентов передачи по току aи b:

и ,

где и , - частота, на которой a падает на 3 дБ;

- частота, на которой b падает на 3 дБ.

 







Дата добавления: 2014-11-10; просмотров: 1011. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Алгоритм выполнения манипуляции Приемы наружного акушерского исследования. Приемы Леопольда – Левицкого. Цель...

ИГРЫ НА ТАКТИЛЬНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ Методические рекомендации по проведению игр на тактильное взаимодействие...

Реформы П.А.Столыпина Сегодня уже никто не сомневается в том, что экономическая политика П...

Этические проблемы проведения экспериментов на человеке и животных В настоящее время четко определены новые подходы и требования к биомедицинским исследованиям...

Классификация потерь населения в очагах поражения в военное время Ядерное, химическое и бактериологическое (биологическое) оружие является оружием массового поражения...

Факторы, влияющие на степень электролитической диссоциации Степень диссоциации зависит от природы электролита и растворителя, концентрации раствора, температуры, присутствия одноименного иона и других факторов...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.008 сек.) русская версия | украинская версия