Цепь смещения с комбинированной отрицательной обратной связью по постоянному токуВ схеме, приведенной на рис. 5.4, используется как ООС по току за счет резистора R Э, так и ООС по напряжению за счет резистора R Ф.При увеличении коллекторного тока с ростом температуры окружающей среды увеличивается падение напряжения на R Ф и R Э. Уменьшается потенциал базы, что ведет к подзапиранию транзистора, компенсирующему первоначальный рост тока коллектора. Температурную нестабильность коллекторного тока в рабочей точке можно рассчитать по формуле (5.6) где
Здесь учтено и температурное смещение входных характеристик транзистора . Полагая в соотношениях (5.6) R Ф= 0, получим уточненные выражения для расчета температурной нестабильности схемы с эмиттерной стабилизацией рабочей точки. Рассмотренные цепи смещения могут быть применены в усилительных каскадах на транзисторах по схемам с ОЭ, ОБ и ОК.
|