Обробка експериментальних результатів

1. Для трьох значень струмів через напівпровідник розрахувати відповідні значення холлівської різниці потенціалів між точками (3, 6) напівпровідника, скориставшись законом Ома:

U_x=І_х(r_m+ r_3.6).

2. Скориставшись співвідношенням (10), обчислити значення сталої Холла. У цьому випадку:

.

3. Середнє значення сталої Холла дає можливість визначити концентрацію носіїв струму в напівпровіднику:

,

де q=l, 6× 10^-19 Кл.

4. Розрахувати значення питомої електропровідності напівпровідника У цьому випадку:

,

де a, b, d — розміри кремнієвого зразка в м;

r_{1, 2} — опір зразка між точками 1 і 2.

5. Оцінити величину рухливості носіїв (наш напівпровідник має діркову провідність). Тому

,

де q — елементарний заряд;

n — концентрація носіїв.

Контрольні запитання

1. Електропровідність металів. Надпровідність, магнітні властивості надпровідників.

2. Енергетичні зони в кристалах, розщеплення енергетичних рівнів. Розподіл електронів по енергетичних зонах.

3. Валентна зона, зона провідності в металах, напівпровідниках і діелектриках.

 

Лабораторна робота № 8.3
ВИВЧЕННЯ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ЯВИЩ В НАПІВПРОВІДНИКАХ ТА ХАРАКТЕРИСТИК НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ФОТОЕЛЕМЕНТА

Мета роботи: вивчити закони внутрішнього фотоефекту на прикладі одержання вольт-амперної і світлової характеристик напівпровідникового фотоопору та знаходження його питомої чутливості.

Прилади і матеріали: досліджуваний фотоопір, установка для зняття вольт-амперної і світлової характеристик.