Задание к работе в лаборатории. 5.1 Исследовать транзистор со встроенным n-каналом КП305

5.1 Исследовать транзистор со встроенным n-каналом КП305. Собрать схему, представленную на рисунке 4.1.

5.2 Определить напряжение отсечки U_3И0 при U_CИ=10В.

Напряжение U_{3И ОТС} (как условно принято на заводах-изготовителях для маломощных транзисторов), соответствует определенному току стока, в данном случае равному 10мкА).

5.3 Снять характеристику прямой передачи I_C =F(U_3И) при U_CИ=10В начиная с напряжения U_3И= U_3И0 до U_3И=0. Измерения проводить в 5-6 точках.

Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1. I_C=F(U_3И)½ U_CИ=const

Тип транзистора UСИ=10 В
UЗИ, В	- U3И0	-	-		+	+	+
IС , мА

 

5.5 Снять три выходные характеристики I_C =F(U_СИ) | U_3И-const| для того же транзистора при трех значениях напряжения на затворе U_ЗИ, при U_{ЗИ 1}= 0, U_{ЗИ 3} » 0, 25 × U_{ЗИ ОТС}, и U_{ЗИ 3} » 0, 5 × U_{ЗИ ОТС} Напряжение на стоке не превышать 0, 75 U_{СИ МАКС}. Результаты измерений внести в таблицу 2.

Таблица 2. I_C=F(U_СИ) ½ U_ЗИ=const

Тип транзистора UСИ МАКС=... В, IС МАКС=... мА, PС МАКС=... мВт.
	UСИ, В		0, 5
UЗИ 1
UЗИ 2
UЗИ 3=0	IС, мА
UЗИ 4
UЗИ 5

 

5.6 При снятии характеристик в области обогащения поменять полярность источника G5.

5.7 Характеристику прямой передачи снимать до тех пор, пока ток стока не достигнет 10 мА. Результаты измерений так же занести а таблицу 1.

По результатам измерений построить характеристику прямой передачи.

5.8 Снять выходные характеристики транзистора в режиме обогащения при напряжениях на затворе с интервалом U_{ЗИ 3} » 0, 25 × U_{ЗИ ОТС} до тех пор, пока ток стока не достигнет 10 мА. (Если ток стока достигнет величины 10 мА при меньшем напряжении, чем 0, 25 × U_{ЗИ ОТС}, то характеристику снимают при напряжении на затворе соответствующему току стока 10 мА). Напряжение на стоке не превышать 0, 75 U_{СИ МАКС}. Дополнить таблицу 2 результатами измерений.

5.9 По результатам измерений построить семейство выходных характеристик.

5.10Исследовать транзистор с индуцированным р - каналом КП301. Для этого собрать схему, приведенную на рисунке 4.2.

5.11 Снять характеристику прямой передачи для транзистора с индуцированным каналом. Увеличивая напряжение на затворе определить пороговое напряжение U_{3И ПОР}, соответствующее току стока 10 мкА. Затем увеличивать напряжение на затворе до тех пор, пока ток стока не достигнет величины 10 мА. Результаты измерений занести в таблицу 3, аналогичную таблице 1.

5.12 Снять три выходные характеристики I_C =F(U_СИ)| U_3И-const. Одну при напряжении на затворе U_{ЗИ 1}соответствующему току стока 10 мА. Вторую при напряжении на затворе U_ЗИ2 = U_{3И ПОР} + 0.4 (U_{ЗИ 1}- U_{3И ПОР}) и третью при напряжении на затворе U_{ЗИ 3}= U_{3И ПОР} + 0.7 (U_{ЗИ 1}- U_{3И ПОР}). Результаты измерений занести в таблицу 4 аналогичную таблице 2.

5.13 Собрать схему, представленную на рисунке 4.3 для исследования зависимости крутизны от напряжения на затворе S=F(U_ЗИ).

5.14 Для транзистора КП305 подать напряжение от источника G5 равное U_ЗИ =0, 5 × U_{ЗИ ОТС}, напряжение источника G2 U_СИ =10В. Установить частоту генератора G_~ F=1кГц и выходное напряжение генератора U_Г~ =100 мВ. С помощью вольтметра переменного напряжения измерить U_СИ~.

Установить U_ЗИ =0 и повторить измерения U_СИ~.

5.15 Сменить полярность генератора G5 на противоположную той, что приведена на рисунке 4.3. Подать напряжение G5 U_ЗИ, соответствующее току стока I_C= 10 мА и повторить измерения U_СИ~.

5.16 Для КП301сменить полярность источников питания в соответствии с

рис. 2. Подать напряжение источника G5 U_ЗИ = 0.5 (U_{ЗИ 1}- U_{3И ПОР}), напряжение источника G2 U_СИ =10В. Установить частоту генератора G_~ F=1кГц и выходное напряжение генератора U_Г~ =100 мВ. С помощью вольтметра переменного напряжения измерить U_СИ~.

Подать напряжение G5, соответствующее току стока 10 мА и повторить измерения U_СИ~.

Рассчитать крутизну при различных управляющих напряжениях по формулам (1) и (2).

Результаты измерений и расчетов занести в таблицу 3.

Таблица 3. S=F(U_ЗИ)

	Транзистор КП305	Транзистор КП 301
UЗИ, В
UСИ~, мВ
S, мА/В