Студопедия — Ионно-плазменное напыление
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Ионно-плазменное напыление






 

Схема этого метода пока­зана на рисунке 3.7в. Главная его особенность по сравнению с методом катодного напыления состоит в том, что в промежутке между электродом 8 - мишенью (с нанесенным на нее напыляе­мым материалом) и подложкой 4 дейст­вует независимый, «дежурный» газовый разряд. Разряд имеет место между электродами 6 и 7, причем тип разряда - несамостоятельный дуговой. Для этого типа разряда характерны: наличие специального ис­точника электронов в виде накаливае­мого катода 6, низкие рабочие напря­жения (десятки вольт) и большая плот­ность электронно-ионной плазмы. Подколпачное пространство, как и при катодном напылении, запол- нено ней­тральным газом, но при более низком давлении (10-3 - 10-4 мм рт. ст.).

Процесс напыления состоит в следующем. На мишень относи­тельно плазмы (практически - относительно заземленного анода 7)подается отрицательный потенциал (2-3 кВ), достаточный для возникновения аномаль- ного тлеющего разряда и интенсивной бомбардировки мишени положитель- ными ионами плазмы. Выби­ваемые атомы мишени попадают на подложку и осаждаются на ней. Таким образом, принципиальных различий между процес- сами ка­тодного и ионно-плазменного напыления нет. Различаются лишь конс- трукции установок: их называют соответственно двух- и трех - электродными.

Начало и конец процесса напыления определяются подачей и от­ключе- нием напряжения на мишени. Если предусмотреть механи­ческую заслонку (см. рис. 3.7а), то ее наличие позволяет реализо­вать важную дополнительную возможность: если до начала напы­ления закрыть заслонку и подать отрицательный потенциал на мишень, то будет иметь место ионная очистка мишени. Такая очистка полезна для повышения качества напыляемой пленки. Аналогичную очистку можно проводить на подложке, подавая на нее (до напыления пленки) также отрицательный потенциал.

При напылении диэлектрических пленок возникает затруднение, связанное с накоплением на мишени положительного заряда, препятствующего дальнейшей ионной бомбардировке. Это затруднение преодолевается путем использования так называемого высокочастот­ногоионо-плазменного напыления. В этом случае на мишень на­ряду с постоянным отрицательным напряжением подается переменное напряжение высокой частоты (около 15 МГц) с амплитудой, несколько превышающей постоянное напря­жение. Тогда во время большей части периода результирующее на­пряжение отрицательно; при этом происходит обычный процесс распыления мишени и на ней накапливается положительный заряд. Однако во время небольшой части периода результирующее напря­жение положительно; при этом мишень бомбардируется элект­ронами из плазмы, т. е. распыления не происходит, но зато ком­пенсируется накопленный положительный заряд.

Вариант реактивного (химического) ионно-плазменного напы­ления открывает те же возможности получения окислов, нитридов и других соединений, что и реактивное катодное напыление (см. пре­дыдущий раздел).

Преимущества собственно ионно-плазменного метода по срав­нению с катодным состоят в большей скорости напыления и большей гибкости процесса (возможность ионной очистки, возможность от­ключения рабочей цепи без прерывания разряда и др.). Кроме того, на качестве пленок сказывается более высокий вакуум.

Существуют другие методы нанесения пленок, например, анодирование и электрохимическое осаждение [4, 5].

 

 








Дата добавления: 2014-11-10; просмотров: 809. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...

Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...

Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...

Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Лечебно-охранительный режим, его элементы и значение.   Терапевтическое воздействие на пациента подразумевает не только использование всех видов лечения, но и применение лечебно-охранительного режима – соблюдение условий поведения, способствующих выздоровлению...

Тема: Кинематика поступательного и вращательного движения. 1. Твердое тело начинает вращаться вокруг оси Z с угловой скоростью, проекция которой изменяется со временем 1. Твердое тело начинает вращаться вокруг оси Z с угловой скоростью...

Условия приобретения статуса индивидуального предпринимателя. В соответствии с п. 1 ст. 23 ГК РФ гражданин вправе заниматься предпринимательской деятельностью без образования юридического лица с момента государственной регистрации в качестве индивидуального предпринимателя. Каковы же условия такой регистрации и...

Йодометрия. Характеристика метода Метод йодометрии основан на ОВ-реакциях, связанных с превращением I2 в ионы I- и обратно...

Броматометрия и бромометрия Броматометрический метод основан на окислении вос­становителей броматом калия в кислой среде...

Метод Фольгарда (роданометрия или тиоцианатометрия) Метод Фольгарда основан на применении в качестве осадителя титрованного раствора, содержащего роданид-ионы SCN...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.011 сек.) русская версия | украинская версия