Особенности расчёта схемы индуктивной ВЧ коррекции в каскаде на

 

биполярном транзисторе (рис.8.5)

 

E П

L к

R 1

R к

C р

C р

VT1

~

R э

C э

R c

R 2

R н

C н

Рис.8.5. Принципиальная схема каскада ОЭ с индуктивной ВЧ коррекцией

 

Индуктивность L в этой схеме выполняет здесь ту же роль, что и в каскаде с полевым транзистором, – увеличивает сопротивление коллекторной цепи в области верхних частот и этим поднимает усиление каскада на ВЧ. В каскаде с

 

 

биполярным транзистором основной причиной снижения усиления на ВЧ является уменьшение крутизны характеристики транзистора.

 

В качестве нагрузки может быть и последующий каскад. При анализе схемы будем полагать, что модуль сопротивления нагрузки больше, чем сопротивление в коллекторной цепи: Z _Н R _K. Только в этом случае схема индуктивной ВЧ коррекции будет работать эффективно (в противном случае сопротивление нагрузки будет шунтировать сопротивление коллекторной цепи и увеличение усиления на ВЧ будет незначительным).

Эквивалентная схема каскада с индуктивной ВЧ коррекцией для каскада на БТ имеет такой же вид, как и для каскада на ПТ (рис.8.3).

 

Выражение для модуля частотных искажений для такой схемы:

 

M в

1 m

в

,

(8.12)

1 1 2 m x в

m x

в

L корр

к

C R

где m

,

x

к

,

к

–

постоянная времени

коллекторной

R К

в

цепи.

 

Условие физической реализуемости выполняется, поскольку показатель степени в знаменателе больше, чем в числителе, следовательно, схема не возбуждается. Приравнивая коэффициенты при одинаковых степенях частоты

 

в выражении для модуля частотных искажений M _в (8.12) получаем выражение для m:

 

	m 21 2 m x.	(8.13)
Из выражения (8.13) можно получить выражение для оптимального
значений m и корректирующей индуктивности Lopt:
mopt 1 x 2 x Lopt mopt R К.	(8.14)

Таким образом, L_opt f R _К, то есть сопротивление коллектора влияет на величину оптимального значения корректирующей индуктивности.