Методические указания к лабораторной работе №3

• Соберите цепь согласно схеме (рисунок 2.4). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резисторы 100 и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Измерение тока базы I_Б и напряжения U_БЭ производятся мультиметрами на пределах 200 μА и 2 В соответственно. Регулирование напряжения U_КЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения, ток коллектора I_К и напряжение U_КЭ измеряются виртуальными приборами (пределы измерения коннектора изменяются в ходе работы по мере необходимости или по подсказкам компьютера для амперметра и 20В для вольтметра).

 

• Установите первое значение тока базы 20 μА и изменяя напряжение U_КЭ согласно значениям, указанным в таблице 2.2, снимите зависимости I_К (U_КЭ) и U_БЭ (U_КЭ). Повторите эти измерения при каждом значении I_Б, указанном в таблице.

 

Рисунок 2.4

 

Примечание: характеристики транзистора изменяются в ходе работы из-за его нагрева. Поэтому для большей определенности рекомендуется установить нужные значения I_БЭ и U_КЭ, выключить на 30 с блок генераторов напряжений, затем включить его и быстро записать показания приборов V1 и A2.

Таблица 2.2

 

UКЭ, В	IБ = 20 μА	IБ = 40 μА	IБ = 60 μА	IБ = 80 μА
IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В
0,5

• На рисунке 2.5 постройте графики семейства выходных характеристик I_К (U_КЭ), не забыв указать какому току базы соответствует каждая кривая.
• Установите U_КЭ = 0 и изменяя ток базы в соответствии со значениями, указанными в таблице 2.3, снимите зависимость U_БЭ (I_Б), Увеличьте напряжение U_КЭ до 5 В и снова снимите зависимость U_БЭ (I_Б), а также и I_К (I_Б). Повторите этот опыт также при U_КЭ = 15 В. (При проведении этих измерений также учитывайте примечание к предыдущему опыту).
• На рисунке 2.5 постройте графики входных I_Б (U_БЭ), указав для каждой кривой соответствующие значения U_КЭ.

 

 

Таблица 2.3

 

IБ, μА	UКЭ = 0 В	UКЭ = 5 В	UКЭ = 15 В
UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА	UБЭ, В	IК, мА

 

 

 

Рисунок 2.5

Вопросы:

 

1. Каковы общие свойства обоих p-n переходов транзисторов двух типов?

2. Каковы отличия p-n переходов в двух типах транзисторов?

3. От чего зависит ток коллектора транзистора?

1. Что можно сказать по выходным характеристикам о зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения коллектор-эмиттер?
2. Что можно сказать по входной характеристики о различии между базо-эмиттерным переходом и диодом, смещённом в прямом направлении?
3. В чём заключается различие между схемой включения транзистора с общей базой и общим эмиттером?
4. Что такое инверсное включение транзистора?

 

 

Методические указания к лабораторной работе №3

 

Тема: «Полупроводниковый выпрямитель».

 

Цель:

1. Исследовать выпрямительное действие полупроводникового диода в составе однополупериодного выпрямителя.

2. Исследовать свойства мостового выпрямителя с помощью осциллографа и мультиметра, либо с помощью виртуальных приборов.