Студопедия — Сегнетоэлектрики.
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Сегнетоэлектрики.






Этот класс полярных диэлектриков получил свое наименован по веществу (сегнетова соль), в котором были найдены гистерезисные свойства. Из-за аналогии в поведении во внешних полях ферромагнетиков и сегнетоэлектриков, последние иногда называют «ферроэлектриками».

В отсутствии внешнего электрического поля в сегнетоэлектрике существуют области спонтанной поляризации, называемые доменами (рис.17.13).

Важной особенностью сегнетоэлектриков является зависимость диэлектрической проницаемости от величины напряженности эффективного электрического поля, При этом величина диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков может достигать очень больших значений – до 10000.

 

 
 

 

Рис.17.13. Модель доменной структуры в сегнетоэлектрике.

 

В каждом i -том домене суммарный дипольный момент (вектор поляризации, или поляризованность) отличен от нуля:

,(17.27)

(суммирование ведется по составляющим домен j -тым диполям). Но в отсутствие внешнего электрического поля вектор поляризации кристалла сегнетоэлектрика в целом равен нулю, так как дипольные моменты всех доменов компенсируют друг друга:

.

Поместим сегнетоэлектрик во внешнее однородное электростатическое поле (рис.17.14).

 

 
 

Рис.17.14.Зависимость поляризованности (величины вектора поляризации) кристалла диэлектрика от величины результирующего – эффективного – поля.

 

I. На первом этапе меняется величина дипольных моментов в каждом домене - особенно в тех, которые по ориентации ближе к направлению внешнего поля.

II. На втором этапе происходит изменение ориентации дипольных моментов в каждом домене - они ориентируются по полю.

III.
 
 

На третьем этапе весь сегнетоэлектрик превращается в один домен, вектор поляризации которого направлен по полю. Происходит насыщение поляризованности сегнетоэлектрика (рис.17.15).

 

Рис.17.15. Доменная структура кристалла сегнетоэлектрика в стадии насыщения.

 

Начнем теперь уменьшать величину внешнего электростатического поля (рис.17.16). Величина эффективного поля одновременно тоже будет уменьшаться.

Поляризованность кристалла сегнетоэлектрика (величина вектора поляризации) начнет падать, кривая пойдет вниз, но не по тому пути, по которому происходил рост. В результате при уменьшении напряженности поля до нуля величина поляризованности кристалла не будет равна нулю – остаточная поляризованность (рис.17.16).Диэлектрик станет подобным постоянному магниту. У него будут «северный»и «южный» (отрицательный и положительный) полюсы, и он будет вести себя как большой постоянный электрический диполь.

Дальнейшее поведение сегнетоэлектрика очевидно из рис.17.16, на котором изображена гистерезисная петля. Чтобы «разполяризовать» («разэлектризовать») кристалл диэлектрика, надо изменить направление (знак) внешнего электростатического поля. Увеличивая напряженность поля обратного направления, мы снимем поляризованность сегнетоэлектрика. Величина поля обратного знака, которое надо приложить, чтобы поляризованность стала равной нулю, называется коэрцитивной силой (рис.17.16).

 

 

 
 

Рис.17.16. Петля гистерезиса сегнетоэлектрика.

 

При дальнейшем увеличении поля обратного знака мы вновь поляризуем кристалл («наэлектризуем») его, но переменим местами полюсы. Наконец, опять достигнем насыщения, и далее процесс может быть повторен в обратном направлении.

Почему эти явления называются гистерезисными? В переводе с греческого «гистерезис» - запаздывание. Петля, изображенная на рис.17.16, называется петлей гистерезиса. Площадь петли гистерезиса пропорциональна величине потерь на изменение направления вектора поляризации («переполяризацию») сегнетоэлектрика.

Для источников постоянного электрического поля применяются “жесткие “ сегнетики с максимальной коэрцитивной силой (с широкой петлей гистерезиса). В переменных полях используются «мягкие» сегнетики с минимальной коэрцитивной силой (с узкой петлей гистерезиса).

При наложении внешнего электростатического поля сегнетоэлектрики изменяют свои размеры - обратный пьезоэффект, явление электрострикции.

В свою очередь деформация кристалла сегнетоэлектрика приводит к его поляризации – пьезоэлектрический эффект.

 








Дата добавления: 2015-10-18; просмотров: 1057. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Классификация холодных блюд и закусок. Урок №2 Тема: Холодные блюда и закуски. Значение холодных блюд и закусок. Классификация холодных блюд и закусок. Кулинарная обработка продуктов...

ТЕРМОДИНАМИКА БИОЛОГИЧЕСКИХ СИСТЕМ. 1. Особенности термодинамического метода изучения биологических систем. Основные понятия термодинамики. Термодинамикой называется раздел физики...

Травматическая окклюзия и ее клинические признаки При пародонтите и парадонтозе резистентность тканей пародонта падает...

Что такое пропорции? Это соотношение частей целого между собой. Что может являться частями в образе или в луке...

Растягивание костей и хрящей. Данные способы применимы в случае закрытых зон роста. Врачи-хирурги выяснили...

ФАКТОРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА ИЗНОС ДЕТАЛЕЙ, И МЕТОДЫ СНИЖЕНИИ СКОРОСТИ ИЗНАШИВАНИЯ Кроме названных причин разрушений и износов, знание которых можно использовать в системе технического обслуживания и ремонта машин для повышения их долговечности, немаловажное значение имеют знания о причинах разрушения деталей в результате старения...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.011 сек.) русская версия | украинская версия