НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ. Windows, Messages, SysUtils, Variants, Classes, Graphics, Controls, Forms,

 

unit UnitOS;

 

interface

 

uses

Windows, Messages, SysUtils, Variants, Classes, Graphics, Controls, Forms,

Dialogs, StdCtrls, Grids, jpeg, ExtCtrls;

 

type

TForm1 = class(TForm)

SG: TStringGrid;

lbl2: TLabel;

btn1: TButton;

btn2: TButton;

Label2: TLabel;

Label1: TLabel;

procedure FormCreate(Sender: TObject);

procedure btn1Click(Sender: TObject);

procedure btn2Click(Sender: TObject);

private

public

end;

 

var

Form1: TForm1;

i,A,t,min,uk: Integer;

R: array[1..5] of Integer;

 

implementation

 

{$R *.dfm}

 

procedure TForm1.FormCreate(Sender: TObject);

begin

SG.Cells[0,0]:='Статус';

SG.Cells[0,1]:='Не выполнен';

SG.Cells[0,2]:='Не выполнен';

SG.Cells[0,3]:='Не выполнен';

SG.Cells[0,4]:='Не выполнен';

SG.Cells[0,5]:='Не выполнен';

SG.Cells[1,0]:='Процесс';

SG.Cells[1,1]:='1';

SG.Cells[1,2]:='2';

SG.Cells[1,3]:='3';

SG.Cells[1,4]:='4';

SG.Cells[1,5]:='5';

SG.Cells[2,0]:='Тек. ресурс';

SG.Cells[3,0]:='Треб. ресурс';

t:=14; A:=0;

end;

 

procedure TForm1.btn1Click(Sender: TObject);

begin

for i:= 1 to 5 do begin

A:=A+StrToInt(SG.Cells[2,i]);

end;

A:=t-A;

lbl2.Caption:=IntToStr(A);

btn1.Enabled:=FALSE;

end;

 

procedure TForm1.btn2Click(Sender: TObject);

begin

 

if (StrToInt(SG.Cells[3,1])=0) and (StrToInt(SG.Cells[3,2])=0)

and (StrToInt(SG.Cells[3,3])=0) and (StrToInt(SG.Cells[3,4])=0)

and (StrToInt(SG.Cells[3,4])=0)

 

then

btn2.Enabled:=False

else begin

 

min:=1000;

 

for i:= 1 to 5 do begin

R[i]:=StrToInt(SG.Cells[3,i])-StrToInt(SG.Cells[2,i]);

end;

 

for i:= 1 to 5 do begin

if R[i]=0 then begin

SG.Cells[0,i]:='Выполнен';

A:=A+StrToInt(SG.Cells[2,i]);

lbl2.Caption:=IntToStr(A);

SG.Cells[2,i]:=IntToStr(0);

SG.Cells[3,i]:=IntToStr(0);

end;

end;

 

for i:= 1 to 5 do begin

R[i]:=StrToInt(SG.Cells[3,i])-StrToInt(SG.Cells[2,i]);

end;

 

 

for i:= 1 to 5 do begin

if (R[i]<min) and (R[i]<>0) then begin

min:=R[i]; uk:=i;

end;

end;

 

if (StrToInt(SG.Cells[3,uk])<>0) and (A<>0) then begin

SG.Cells[2,uk]:=IntToStr(StrToInt(SG.Cells[2,uk])+1);

A:=A-1;

lbl2.Caption:=IntToStr(A); end;

 

end;

end;

 

if (StrToInt(SG.Cells[3,ukaz])<>0) and (A<>0) then begin

SG.Cells[2,ukaz]:=IntToStr(StrToInt(SG.Cells[2,ukaz])+1);

A:=A-1;

lbl2.Caption:=IntToStr(A); end;

 

end;

end;

 

 

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ

ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Отчет по лабораторной работе №1

«Изучение основных магнитных свойств ферро и ферримагнитных материалов»

 

 

Выполнил:

Студент группы 5Г34

Чичманов К. Н.___________

 

Проверил:

Доцент кафедры ЭКМ

Ким В.С.___________

 

Томск 2014 г.

Цель работы: Изучить процесс намагничивания ферри и ферромагнетиков, установить основные параметры намагничивания.

 

Задание:

1. Уяснить физическую природу явления намагничивания магнетиков.

2. Изучить и собрать схему экспериментальной установки.

3. Выполнить измерения и построить кривую намагничивания (В = f(Н)) и петлю гистерезиса при положительных и отрицательных значениях напряженности магнитного поля для ферро – или ферримагнетика. Проследить эти закономерности на осциллографе.

4. Из данных измерения кривой (В = f (Н)) построить зависимость магнитной проницаемости (µ) от напряженности магнитного поля (Н).

5. Провести анализ полученных закономерностей.

 

Электрическая схема установки:

Рис 1. Принципиальная электрическая схема установки.

 

ГЗ – генератор звуковой частоты, РВН – регулятор входного напряжения генератора, w1 – число витков первичной обмотки тороида, w2 – число витков вторичной обмотки тороида, mA – миллиамперметр, ЭО – электронный осциллограф, ЛВ – вольтметр.

 

-действующее значение тока в первичной обмотке (I, A), - число витков первичной обмотки, - длина средней линии сердечника (м).

, - значения данных величин указаны на корпусе испытуемого модуля.

- действующее значение напряжения на конденсаторе (В), - число витков вторичной обмотки, S - эффективная площадь сечения сердечника ().

- магнитная постоянная, =4π*

Исходные данные:

С=3,3 мкФ; =20 Ом; =560Ом; =4900 ; f=349.2 Гц; =100; =100

Размеры торроида:

S=63 ; =55 мм; h=10мм;

Примеры расчета для J =0,9 мА; U=0,03 мВ:

 

 

 

 

Результаты эксперимента

№ п.п.	J, мA	U, мB	Н, А/м	В, Тл	m
	0,9	0,03	1,636	0,000088	42,817
	2,3	0,10	4,182	0,000293	55,848
	3,0	0,14	5,455	0,000410	59,943
	3,6	0,17	6,545	0,000498	60,657
	4,3	0,20	7,819	0,000586	59,744
	4,9	0,23	8,909	0,000674	60,293
	5,5	0,27	10,000	0,000792	63,057
	6,0	0,29	10,909	0,000850	62,084
	6,6	0,31	12,000	0,000909	60,333
	7,5	0,36	13,636	0,001056	61,656
	8,0	0,37	14,545	0,001085	59,408
	8,5	0,39	15,454	0,001173	60,447
	8,8	0,40	16,000	0,001202	59,846
	9,4	0,41	17,090	0,001232	57,393
	9,7	0,42	17,636	0,001232	55,618
	10,1	0,42	18,363	0,001261	54,687
	10,5	0,43	19,091	0,001261	52,603
	10,8	0,43	19,636	0,001290	52,332
	11,2	0,44	20,364	0,001290	50,463
	11,5	0,44	20,909	0,001320	50,263
	12,0	0,45	21,818	0,001320	48,169
	12,3	0,45	22,363	0,001320	46,994
	12,6	0,45	22,909	0,001320	45,875
	12,9	0,45	23,454	0,001320	44,808
	13,3	0,45	24,181	0,001349	44,426
	14,3	0,46	26,000	0,001349	41,320
	15,2	0,46	27,636	0,001378	39,718
	16,4	0,47	29,818	0,001378	36,812
	17,3	0,47	31,454	0,001378	34,897
	18,1	0,47	32,909	0,001408	34,064
	18,9	0,48	34,363	0,001408	32,622
	19,7	0,48	35,818	0,001408	31,297
	20,6	0,48	37,454	0,001408	29,930
	21,4	0,48	38,909	0,001437	29,411
	22,2	0,49	40,363	0,001437	28,352
	22,9	0,49	41,636	0,001437	27,485
	24,2	0,49	44,000	0,001437	26,008
	25,0	0,49	45,454	0,001467	25,690
	26,0	0,50	47,272	0,001467	24,702
	26,7	0,50	48,545	0,001467	24,054
	27,8	0,50	50,545	0,001467	23,103
	28,5	0,50	51,818	0,001467	22,535
	29,5	0,50	53,636	0,001467	21,771
	30,5	0,50	55,454	0,001496	21,479
	31,3	0,51	57,272	0,001525	21,204
	38,9	0,52	70,727	0,001554	17,501
	49,1	0,53	89,272	0,001584	14,127
	62,5	0,54	113,636	0,001613	11,304
	91,2	0,55	165,818	0,001613	7,887
	109,6	0,56	199,272	0,001642	6,563

 

Графики зависимостей

 

График зависимости магнитной индукции от напряженности магнитного поля.

 

 

 

График зависимости магнитной проницаемости от напряженности магнитного поля.

 

Вывод

Из графика зависимости B=f(H) заметно, что с ростом напряженности магнитного поля растет магнитная индукция, но по мере увеличения напряженности рост магнитной индукции замедляется, и в конце концов, при достижении определенного значения H, рост магнитной индукции становится незначительным, это связанно с насыщением магнитного материала.

На графике зависимости µ=f(H) можно заметить, что магнитная проницаемость падает с ростом напряженности магнитного поля. Такое поведение графика обусловлено замедлением роста магнитной индукции относительно роста напряженности магнитного поля.