Студопедия — Вычисление прочих параметров полевого транзистора (крутизна S, выходное сопротивление) в области пологого изменения тока стока по экспериментальным статическим ВАХ
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Вычисление прочих параметров полевого транзистора (крутизна S, выходное сопротивление) в области пологого изменения тока стока по экспериментальным статическим ВАХ






Выходное сопротивление r (r= DUСИ/DIС при постоянном напряжении на затворе UЗИ), крутизна S (S=DIС/DUЗИ при постоянном напряжении на стоке), а также коэффициент усиления Кu (Ku=DUСИ/DUЗИ при постоянном токе стока) относятся к числу малосигнальных параметров полевого транзистора. Выходные сопротивления r вычисляют по выходным характеристикам, крутизну S – по стоко-затворной характеристике..

 

 

Выходное сопротивление:

 

 

Рис.5. Зависимость выходного напряжения полевого транзистора от тока истока

 

 

Определенные параметры Votc, Inas позволяют представить проходную характеристику теоретической зависимостью (для области пологого изменения тока стока)
Рис. 6а. Проходная характеристика полевого транзистора Idt(vgs) - теоретическая зависимость по определенным параметрам Votc, Inas, Ids(Vgs) - построенная по экспериментальным точкам
 

 

 

Определение крутизны S транзистора согласно теоретической зависимости:

 

 

 

 

Рис. 6б. Зависимость крутизны полевого транзистора от напряжения затвор-исток
Рис. 6в. Зависимость крутизны полевого транзистора от тока стока

 







Дата добавления: 2015-06-15; просмотров: 397. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...

СИНТАКСИЧЕСКАЯ РАБОТА В СИСТЕМЕ РАЗВИТИЯ РЕЧИ УЧАЩИХСЯ В языке различаются уровни — уровень слова (лексический), уровень словосочетания и предложения (синтаксический) и уровень Словосочетание в этом смысле может рассматриваться как переходное звено от лексического уровня к синтаксическому...

Плейотропное действие генов. Примеры. Плейотропное действие генов - это зависимость нескольких признаков от одного гена, то есть множественное действие одного гена...

Методика обучения письму и письменной речи на иностранном языке в средней школе. Различают письмо и письменную речь. Письмо – объект овладения графической и орфографической системами иностранного языка для фиксации языкового и речевого материала...

Тактические действия нарядов полиции по предупреждению и пресечению групповых нарушений общественного порядка и массовых беспорядков В целях предупреждения разрастания групповых нарушений общественного порядка (далееГНОП) в массовые беспорядки подразделения (наряды) полиции осуществляют следующие мероприятия...

Механизм действия гормонов а) Цитозольный механизм действия гормонов. По цитозольному механизму действуют гормоны 1 группы...

Алгоритм выполнения манипуляции Приемы наружного акушерского исследования. Приемы Леопольда – Левицкого. Цель...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.007 сек.) русская версия | украинская версия