Студопедия — Цель работы. Амплитуда Um выходного импульса должна быть равна:
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Цель работы. Амплитуда Um выходного импульса должна быть равна:

Амплитуда Um выходного импульса должна быть равна:

Um = Еп - Uси.о

Длительность переходного процесса определяется временем заряда конденсатора Сн от Uси.о до Еп через резистор Rd. За длительность tфр переднего фронта прямоугольного импульсного напряжения принято время, за которое напряжение возрастает от уровня (Uси.о+0.1*Um) до уровня (Uси.о+0.9*Um). Теоретический анализ показывает, что длительность переднего фронта определяется как

tфр=2.2*Rd*Cн (1)

Используя данное соотношение по результатам измерения длительности переднего фронта для двух величин резистора Rd, в данной работе определяется величина нагрузочной емкости Сн.

По окончанию входного импульсного напряжения транзистор открывается и напряжение на выходе (на конденсаторе Сн) изменяется от Еп до Uси.о. Разряд конденсатора происходит током стока Ic транзистора. За время спада tcп (длительность заднего фронта) импульсного напряжения принято время, за которое напряжение уменьшается от уровня (Uси.о+0.9*Um) до уровня (Uси.о+0.1*Um). Анализ показывает, что если напряжение Uси.о > Uси.нас, то

tcп =tфр, (2)

В тех случаях, когда Uси.о < Uси.нас, в предположении, что ток стока IC в области пологого изменения постоянен и равен ICнач, то время спада tcп определяется как:

tcп» Rd*Cн*ln[ICнач*Rd/(Uси.нас + ICнач *Rd- Еп)] (3)

В данном случаи время спада определяется не только от величин Rd и Cн, но и начальным током стока ICнач полевого транзистора. До проведения экспериментов вычислите длительности переднего и заднего фронтов при сопротивлениях Rd=620 Ом и Rd=3 кОм по формулам (1) – (3), приняв ориентировочно величину Сн=120 рФ,

 

Рис. 8. Осциллограммы выходного и входного импульсов ключевой схемы.

Рис. 9. К измерению максимального и минимального уровней выходного напряжения.

 

Рис. 10. К измерению временных параметров выходного импульса ключевой схемы.

Построим нагрузочные кривые для первой выходной характеристики:

 

 

Рис. 11. Нагрузочные кривые

 

3. Измерение параметров выходного импульса ключевой схемы при Rd=620Ом.

 

 

Подсчитаем теоретические τ фронта и τ спада, сравним их с экспериментальными:

tфр=2.2*Rd*Cн=2,2*620Ом*120*10-12Ф=0,16 мс

tcп» Rd*Cн*ln[ICнач*Rd/(Uси.нас + ICнач *Rd- Еп)]=0,19 мс

Таблица 1.1

Rd=620 Ом Uмин Uмакс tфр tсп
Эксперим.     0,16мс 0,2мс
Теория     0,16мс 0,2мс

 

Снэкспер=117,3 пФ

4. Измерение параметров выходного импульса ключевой схемы при Rd=3 кОм.

 

Подсчитаем теоретические τ фронта и τ спада, сравним их с экспериментальными:

tфр=2.2*Rd*Cн=2,2*3000Ом*120*10-12Ф=0,8 мс.

tcп» Rd*Cн*ln[ICнач*Rd/(Uси.нас + ICнач *Rd- Еп)] =0,89 мс

Таблица 1.2

Rd=3 кОм Uмин Uмакс tфр tсп
Эксперим. 0,5   0,9мс 1мс
Теория 0,6   0,9мс 1мс

 

Снэкспер=136,4 пФ

 

Полученные значения времени фронтов в цепи с резистором Rd2 отличаются от ожидаемых ровно в два раза (, поэтому и времена передних фронтов должны отличаться в 5 раз). Такое соотношение было экспериментально достигнуто: теоретический прогноз справедлив.

 

Выводы.

1.Вид характеристик при эксперименте совпадает с раннее промоделированными на семинаре, что говорит о правильности модели, которой мы пользуемся в MicroCap 9.0ю

 

2.1.Работа транзистора в ключевом режиме была проанализирована на примере двух значений сопротивления нагрузки Rd1=620 Ом и Rd2=3кОм. Увеличение длительности переднего фронта приблизительно в 5 раз с увеличением соответственно сопротивления нагрузки от 620 Ом до 3 кОм обусловлено увеличением времени переходного процесса, определяемого формулой t=Cн*Rd. Таким образом, переходной процесс в случае большей нагрузки едва успевает окончиться, в то время как в случае с меньшей нагрузкой значение напряжения питания Eп достигается значительно быстрее из-за непродолжительности переходного процесса, что и видно из результатов опыта.

 

2.2.Длительность заднего фронта уменьшается, т.к. c увеличением нагрузки уменьшается значение постоянной (Eп-Ic*Rd), к которой будет стремиться экспоненциальное падение напряжения на выходе в результате разрядки конденсатора Cн.

 

Цель работы

Ознакомится с методикой определения электромагнитных параметров электрического диполя.

Задачи рассчитать параметры электромагнитного поля по заданным формулам. И провести анализ результатов.




<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Определение стационарных выходных напряжений ключа в замкнутом состоянии для двух значений резистора Rd в стоковой цепи | ISBN 978-966-8157-37-0

Дата добавления: 2015-06-15; просмотров: 321. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...

Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Этические проблемы проведения экспериментов на человеке и животных В настоящее время четко определены новые подходы и требования к биомедицинским исследованиям...

Классификация потерь населения в очагах поражения в военное время Ядерное, химическое и бактериологическое (биологическое) оружие является оружием массового поражения...

Факторы, влияющие на степень электролитической диссоциации Степень диссоциации зависит от природы электролита и растворителя, концентрации раствора, температуры, присутствия одноименного иона и других факторов...

МЕТОДИКА ИЗУЧЕНИЯ МОРФЕМНОГО СОСТАВА СЛОВА В НАЧАЛЬНЫХ КЛАССАХ В практике речевого общения широко известен следующий факт: как взрослые...

СИНТАКСИЧЕСКАЯ РАБОТА В СИСТЕМЕ РАЗВИТИЯ РЕЧИ УЧАЩИХСЯ В языке различаются уровни — уровень слова (лексический), уровень словосочетания и предложения (синтаксический) и уровень Словосочетание в этом смысле может рассматриваться как переходное звено от лексического уровня к синтаксическому...

Плейотропное действие генов. Примеры. Плейотропное действие генов - это зависимость нескольких признаков от одного гена, то есть множественное действие одного гена...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.013 сек.) русская версия | украинская версия