Эффект модуляции толщины базы. Определения, следствияЭффект модуляции толщины базы - изменение толщины базы при изменение напряжения на К. На ЭП напряжение подается в прямом направлении, и оно мало изменяется при работе транзистора, поэтому ЭП узкий и ширина его изменяется незначительно. КП смещен в обр. направлении, поэтому его ширина больше и изменяется в широких пределах при изменении напряжения на коллекторе. А т.к. в биполярных транзисторах рб>> р к, то КП расширяется в основном в область базы, уменьшая ее толщину. Следствия модуляции: 1. Iк=f(Uкб), w= f(Uкб), Iк=аIэ+ Iк0 , то есть Iк=а (Uкб) Iэ+ Iк0 2. Частотные св-ва транзистора зависят от Uкб (увел. Uкб умен.W, уменьш. время пролёта tпр) 3. КП кроме барьерной области обладает диффузионной (Ск_бар+Ск_диф) 4. Эффект модуляции толщины базы обуславливает наличие обратной связи, характеризующей влияние коллекторного перехода на эмиттерный переход из-за их близкого расположения. Изменение распределения избыточной концентрации дырок в базе с увеличением коллекторного напряжения (пунктирная линия) при фиксированных значениях напряжения на эмиттером переходе (а) и тока эмиттера (б): а) Uэб = сонст, ↑Uкб => ↑Iэ б) Iэ=сонст, ↑Uкб =>↓Uэб р0 — избыточная концентрация дырок в базе на границе эмиттерного перехода. ∆p зависит от Uэп. Чем выше прямое напряжение эмиттер - база, тем больше концентрация дырок в базе у эмиттерного перехода, тем больше градиент концентрации дырок в базе. Поскольку диффузионный ток эмиттера зависит от градиента концентрации дырок в базе: , то при постоянном напряжении на эмиттерном переходе и с увеличением по модулю напряжения на коллекторе возрастает градиент концентрации, а следовательно, и ток эмиттера. На (б) показано влияние UKб на распределение дырок в базе, если поддерживать постоянной величину тока эмиттера. С увеличением UKб (по модулю) толщина базы уменьшается. Чтобы ток эмиттера оставался постоянным, необходимо, чтобы с изменением UKб градиент концентрации оставался неизменным. Поэтому с увеличением UKб должна уменьшается избыточная концентрация дырок на границе эмиттерного перехода (ΔР2<ΔP1). А это может быть достигнуто лишь путем уменьшения входного напряжения UЭБ. 14. Зависимость коэффициентов передачи по току (α, β) транзистора от напряжения коллектора, тока эмиттера и температуры.
2. Uкб=const, Т= const AB: увел. Iэ увел. , уменьш. рекамбинац. потери на ловушках отсюда увел. χтоесть увел. а ВС: увел. поверхносн. рекомбинация уменьш.χтоесть уменьш .а
3. Uкб=const, Iэ= const а) при увил. Т увел.τ время жизни носителей.(ловушеи не успевают захватывать) б) при увел. Т уменьш.μ подвижность отсюда возрастает рб
(на графике Т меняется от -50 до +50)
-коэф. уселения по току в схеме с ОЭ. β также зависит от как и α но с большим масштабом по оси изменения β. (Графики такие же (α =0,98 β =49) (α=0,99 β=99)) Входными характеристиками биполярного транзистора в схеме включения с общей базой называются зависимости тока эмиттера от напряжения эмиттер - база при постоянном значении напряжения коллектор - база. Входные характеристики: Входная характеристика при UКБ = 0 (зависимость 1, рис.3) аналогична прямой ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Эта характеристика начинается из начала координат, при увеличении входного напряжения ток эмиттера /3 экспоненциально увеличивается: При больших токах Iэ вх. хар-ки близки к линейным. Наклон лин. участка опр-ся в объемным сопротивлением базы rБ. При напряжении UKБ > 0 кривые смещаются вверх относительно начала координат и к оси токов (падение напряжения на объемном сопр. базы rБ при протекании тока IK0) При “-“ напряжении на К через КП протекает ток обратносмещенного рn-перехода I ко, а т.к. база мало легирована примесями, то на rБ будет создаваться падение напряжения U rБ = Iко rБ, в результате чего Э получает положительное смещение относительно базы и начинает инжектировать дырки, что приводит к появлению нач. тока Э: (UKБ=0) Смещение характеристик влево при увеличении коллекторного напряжения объясняется эффектом модуляции толщины базы. Эффект модуляции заключается в изменении толщины базы при изменении напряжения на коллекторе. Вх. хар-ки кремниевого транзистора (а) смещены от начала координат в сторону больших прямых напряжений (контактная разность потенциалов у кремниевых транзисторов больше, чем у германиевых). Вх. хар-ки германиевых транзисторов при различных Т – (б). С увеличением Т вх. ток увеличивается, вх. хар-ка смещается влево вследствие роста внутр. эн. осн. носителей заряда и уменьшения контактной разности потенциала φкэ и потенциального барьера. Изменение начального тока эмиттера с ростом температуры окружающей среды связано с экспоненциальной зависимостью от температуры неуправляемого тока коллекторного перехода. С увеличением тока Iко возрастает падение напряжения на объемном сопротивлении базы, и это приводит к росту начального тока эмиттерного перехода.
|