Студопедия — Упругие элементы датчиков давления
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Упругие элементы датчиков давления






 

Упругие элементы характеризуются чувствительностью,

упругой характеристикой, жесткостью, эффективной площадью (для мембран и сильфонов), резонансными частотами и точностью преобразования измеряемого параметра.

Упругой характеристикой принято называть зависимость между перемещением λ определенной (измерительной) точки упругого элемента и величиной нагрузки Р (давление). Конструкция, способ заделки и вид нагружения упругого элемента определяют его характеристику, которая может быть линейной и нелинейной, возрастающей или затухающей.

Нелинейностью η характеристики называют наибольшее отклонение Δmax действительной характеристики (полученной экспериментально) от теоретической линейной, отнесенное к наибольшему перемещению измерительной λmax точки упругого элемента, обычно выражаемое в процентах:

. (5.1)

Чувствительность S упругого элемента является одним из основных его параметров и выражается отношением:

. (5.2)

Для упругих элементов с линейной характеристикой:

. (5.3)

Понятие эффективной площади вводят для мембран и сильфонов:

. (5.4)

где Q – сила, которую развивает мембрана или сильфон в измерительной точке под воздействием давления р.

Эффективную площадь определяют по приближенным формулам.

Резонансные частоты колебаний упругих элементов датчиков в значительной степени определяют их динамические характеристики и запаздывание в преобразовании измеряемого давления. В практике резонансные частоты определяют в основном экспериментальным путем.

В различных типах датчиков могут применяться самые разнообразные типы упругих элементов, а также конструктивные схемы их выполнения. Существуют полуэмпирические зависимости между конструктивными параметрами упругих элементов, приложенным давлением и перемещением жесткого центра.

Некоторые зависимости приведены в таблице 5.1

Таблица 5.1.

Типы упругих элементов

Типы упругих элементов. Конструктивная схема Наименование Тип датчика Расчетные зависимости Габаритные размеры, мм
Балка, заделанная с двух сторон Тензорезисторные датчики контактных давлений: ; . h = 0.1 - 0.3, l = 2 - 5, b = 2 - 4
Цилиндрическая пружина сжатия Гальваномагнитные датчики давления. . где С – жесткость; n – число рабочих витков. Dср = 2 - 3,d = 0.1 - 0.2,h = 6 -15
Струна Частотные датчики давления   ; ; . d = 0.05 - 0.2, l = 40 – 100

Продолжение таблицы 5.1.

Конструктивная схема Наименование Тип датчика Расчетные зависимости Габаритные размеры, мм.
Плоская мембранная плита, выполненная за одно целое с корпусом датчика. Применяется в емкостных датчиках, рассчитанных на высокие давления. . D=11, h=1
Плоская мембранная плита с жестким центром. Емкостные на высокие давления. . D=11, d=1 - 2, h=1
Плоская мембрана, защемленная с двух сторон в корпус датчика. Полупроводниковые Датчики давления . D=2.5 - 10, h=0.2 - 05
Плоская сварная мембрана Тензорезисторные, гальваномагнитные и емкостные датчики давления. . D=5 - 20, h=0.1 - 0.4
Плоская мембрана с выпуклым жестким центром. Тензорезисторные датчики контактных давлений   D=2.5 - 4, h=0.1- 0.2  

Продолжение таблицы 5.1.

Конструктивная схема Наименование Тип датчика Расчетные зависимости Габаритные размеры, мм.
  Плоская колпачковая мембрана Тензорезисторные датчики давления   D = 3 – 10, h = 0.05 – 0.17
Гофрированная мембрана с тороидальным краевым гофром и линейной характеристикой. Тензорезисторные и гальваномагнитные датчики давления   D = 20 - 35, h = 0.05 – 0.1
Малогабаритный сварной сильфон. Гальваномагнитные датчики давления   D = 3 –5, l = 5 - 10
Точечный сильфон с одним гофром, работающий на изгиб. Струнные датчики давления   D=12, h=0.2
Обычный малогабаритный сильфон Гальваномагнитные датчики давления   D = 10 - 40, h = 0.1 - 0.2
Балка равного сопротивления Тензорезисторные датчики давления   h = 0.1 - 0.5, l = 10 - 20






Дата добавления: 2015-06-12; просмотров: 565. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...

Трамадол (Маброн, Плазадол, Трамал, Трамалин) Групповая принадлежность · Наркотический анальгетик со смешанным механизмом действия, агонист опиоидных рецепторов...

Мелоксикам (Мовалис) Групповая принадлежность · Нестероидное противовоспалительное средство, преимущественно селективный обратимый ингибитор циклооксигеназы (ЦОГ-2)...

Менадиона натрия бисульфит (Викасол) Групповая принадлежность •Синтетический аналог витамина K, жирорастворимый, коагулянт...

Классификация потерь населения в очагах поражения в военное время Ядерное, химическое и бактериологическое (биологическое) оружие является оружием массового поражения...

Факторы, влияющие на степень электролитической диссоциации Степень диссоциации зависит от природы электролита и растворителя, концентрации раствора, температуры, присутствия одноименного иона и других факторов...

Йодометрия. Характеристика метода Метод йодометрии основан на ОВ-реакциях, связанных с превращением I2 в ионы I- и обратно...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.009 сек.) русская версия | украинская версия