Студопедия — Область нижних частот и больших времен
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Область нижних частот и больших времен






Как уже отмечалось, на область нижних частот и больших времен влияют СР и СЭ (рис. 3.3, б). Для упрощения анализа можно считать что эти конденсаторы влияют на АЧХ и ПХ независимо друг от друга, т.е., изучая влияние одного конденсатора, второй полагаем равный бесконечности (его сопротивление равно нулю). Если конденсаторы вносят небольшие искажения, то это не создает заметной ошибки.

Рассмотрим влияние разделительного конденсатора СР 2 = СР, при СЭ = ¥.

Полагая g 22 = 0 и применяя теорему об эквивалентном генераторе к участку цепи, лежащему левее точек а, б (рис. 3.3, б), получим эквивалентную схему на рис. 3.4.

Передаточная функция такой схемы имеет вид:

, (3.5)

где –постоянная времени разделительной цепи. Из (3.5) следует уравнение нормированной АЧХ

, (3.6)

и выражение для нижней частоты среза

. (3.7)

Таким образом, для расширения полосы пропускания в сторону нижних частот, (для уменьшения f) необходимо, увеличивать постоянную времени tР (рис. 3.5), как правило, за счет увеличения емкости разделительного конденсатора. Однако у конденсатора большой емкости мало сопротивление изоляции (утечки), а его размеры и масса возрастают и могут превышать пределы, допустимые для размещения в корпусе ИМС. Кроме того, крупный конденсатор имеет большую монтажную емкость, что ограничивает полосу пропускания в сторону верхних частот.

Подставляя (3.7) в (3.6), получим более распространенную форму записи уравнения АЧХ

(3.8)

С учетом (3.7) из (3.5) находим уравнение ФЧХ резисторного каскада в области нижних частот (рис. 3.6)

. (3.9)

Найдем уравнение ПХ. Из (3.5) следует, что

,

где – изображение нормированной ПХ. Переходя от изображения к оригиналу, получим исходное уравнение ПХ (рис. 3.7)

. (3.10)

Спад плоской вершины импульса

.

При tИ / tр <0.1 , тогда

. (3.11)

Таким образом, для уменьшения спада надо увеличивать tР, т.е. принимать те же самые меры, что и для расширения полосы пропускания в сторону нижних частот.

Из (3.7) и (3.11) следует связь между частотными и переходными искажениями

. (3.12)

Теперь рассмотрим влияние конденсатора в цепи эмиттера СЭ на АЧХ и ПХ, полагая СР = ¥;.

При Сэ = ¥ других реактивностей в эквивалентной схеме (рис. 3.3, б) нет и АЧХ имеет вид прямой (идеальна!) (рис. 3.8). При СЭ = 0 за счёт RЭ возникает частотно-независимая ООС, которая уменьшает коэффициент усиления. При СЭ = const ООС нейтрализуется только в области средних частот. С понижением частоты сопротивление растет и появляется ООС (последовательная и по току), глубина которой тем больше, чем ниже частота (кривая 1). Если увеличить емкость СЭ, то ОС будет включаться позже (кривая 2), т.е. произойдет расширение полосы пропускания в сторону нижних частот.

Для получения расчетных соотношений обобщенным методом узловых потенциалов определяем y-параметры четырехполюсника, обведенного на рис. 3.3,б штриховыми линиями

, (3.13)

где , , Sg = g11+ g12+ g21+ g22.

Подставляя (3.13) в (3.1), после несложных преобразований получим

. (3.14)

Здесь

(3.15)

- глубина ООС, возникающая за счет конечного значения емкости конденсатора в цепи эмиттера (рис. 3.9). Из (3.14) и (3.15) находим уравнение АЧХ каскада при СР

(3.16)

Если на частоте fН допустимый уровень частотных искажений не должен превышать уН, то величина емкости СЭ выбирается из соотношения

.

На рис. 3.10 приведены ПХ каскада в области больших времен в предположении, что СР = ¥. При СЭ = ¥ и СЭ = 0 ПХ – идеальны. Прямая 2 проходит ниже, т.к. в этом случае . При СЭ =10 мкФ при скачкообразном изменении напряжения u 1(t) напряжение на емкости не может измениться скачком и , по мере заряда емкости СЭ напряжение будет уменьшаться, стремясь к прямой 2. При СЭ = 50мкФ скорость заряда ёмкости СЭ уменьшится (кривая 4), а значит уменьшится скорость спадания напряжения uБЭ (t) (уменьшится спад плоской вершины).

При ,

. (3.17)

 







Дата добавления: 2015-06-12; просмотров: 526. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Схема рефлекторной дуги условного слюноотделительного рефлекса При неоднократном сочетании действия предупреждающего сигнала и безусловного пищевого раздражителя формируются...

Уравнение волны. Уравнение плоской гармонической волны. Волновое уравнение. Уравнение сферической волны Уравнением упругой волны называют функцию , которая определяет смещение любой частицы среды с координатами относительно своего положения равновесия в произвольный момент времени t...

Медицинская документация родильного дома Учетные формы родильного дома № 111/у Индивидуальная карта беременной и родильницы № 113/у Обменная карта родильного дома...

Прием и регистрация больных Пути госпитализации больных в стационар могут быть различны. В цен­тральное приемное отделение больные могут быть доставлены: 1) машиной скорой медицинской помощи в случае возникновения остро­го или обострения хронического заболевания...

ПУНКЦИЯ И КАТЕТЕРИЗАЦИЯ ПОДКЛЮЧИЧНОЙ ВЕНЫ   Пункцию и катетеризацию подключичной вены обычно производит хирург или анестезиолог, иногда — специально обученный терапевт...

Ситуация 26. ПРОВЕРЕНО МИНЗДРАВОМ   Станислав Свердлов закончил российско-американский факультет менеджмента Томского государственного университета...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия