ВАХ характеристика
Напряжение пробоя . Более точные значения (в вольтах), учитывающие характер p-n-перехода, позволяют найти следующее выражение:
- для резкого перехода
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода описывается выражением
Так как имеем все необходимые значения построим ВАХ:
Рисунок 7
Классификация
Из посчитанных параметров диода можно судить, что диод является: - Плоскостным, т.к происходит диффузия фосфора в кремниевую подложку, и сторона кубического кристалла = 1см. -Кремниевый. -Выпрямительный.
Заключение В ходе курсовой работы рассмотрели процессы происходящие в полупроводниках и рассмотрели технологию производствадиодов. С помощью программ Maple 11 и CST Studio посчитали основные характеристики электронно-дырочного перехода в кремниевом диоде и получили результаты: Диффузионная емкость = Барьерная емкость = Напряжение пробоя = 18.5В Ток насыщения = 1.54А Построили графики зависимости концентрации от глубины залегания p-n перехода, при температуре 1250К, Вольт-амперную характеристику диода. А также построили трехмерную модель диода в современном твердотельном САПРе
|
(3.20)
p-n-перехода определяется в основном лавинными процессами размножения носителей заряда в сильном электрическом поле, которое возникает при напряженности 
В/см. Поэтому для оценочных расчетов можно принимать
(3.21)
(3.22)
- ширина запрещенной зоны полупроводника эВ;
- концентрация примеси в слаболегированной области, 
;
(3.24)
Ф
Ф
