Студопедия — Изучение структурных поверхностей, ограничивающих залежь
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Изучение структурных поверхностей, ограничивающих залежь






Подавляющее большинство залежей приурочено к тектоническим структурам (антиклинальным поднятиям, куполам и другим формам складок). Поэтому форма тектонических структур, в основном, определяет и форму залежи.

В качестве верхней границы залежи принимается кровля продуктивного горизонта или пласта. В том случае, когда прикровельная часть продуктивного горизонта выполнена проницаемыми породами, верхней границей залежи служит поверхность пласта – коллектора.

Нижней границей залежи служат подошва пласта – коллектора и водонефтяной или газоводяной контакты (рисунок 1).

Породы коллекторы: 1 – нефтегазонасыщенные; 2 – водонасыщенные; 3 – породы – неколлекторы; 4 – верхняя и нижняя границы залежи (коллекторов).

 

Рисунок 1 – Примеры проведения верхней и нижней границ залежи и коллекторов в однопластовом продуктивном горизонте (а), залежи в многопластовом продуктивном горизонте (б), коллекторов в многопластовом продуктивном горизонте (в)

Форма рельефа верхней и нижней границ залежи изучается и изображается с помощью структурных карт, т.е. с помощью изолиний (изогипс). Для построения структурной карты любой поверхности, в том числе кровли и подошвы пласта, необходимо определить:

1) глубину залегания этой поверхности во всех скважинах (по каротажу);

2) проекцию точки пересечения ствола скважины с искомой поверхностью, т.е. определить смещение забоя относительно устья по инклинограмме и вынести эту точку на план со скважинами. Значение абсолютной отметки нашего горизонта будет относиться не к устью скважины, а к точке расположения на карте ее забоя;

3) рассчитать абсолютные отметки горизонта по всем скважинам и вынести их на план расположения скважин в нужном нам масштабе. Около каждой скважины подписываются данные в виде дроби, в числителе которой пишется номер скважины, в знаменателе – абсолютная отметка поверхности горизонта.

Абсолютная отметка поверхности в данной точке определяется по формуле:

 

где H – абсолютная отметка горизонта относительно уровня моря;

L – глубина искомой поверхности;

А – альтитуда устья скважины, т.е. превышение ее устья над уровнем моря;

∆L – удлинение скважины за счет искривления ствола (поправка на кривизну) (рисунок 2)

 

Рисунок 2 – Определение абсолютной отметки погребенной поверхности в скважинах, пробуренных с отклонением от вертикали

Структурная карта – это изображение рельефа любой поверхности в плане при помощи изолиний, т.е. линий равных абсолютных отметок (рисунок 3). Применяются два основных способа построения структурных карт: способ треугольников (для простых ненарушенных структур) и способ профилей, рекомендуемый для построения поверхности, расчлененной дизъюнктивными нарушениями на блоки.

Построение структурных карт только по данным скважин, т.е. чисто формально, может дать искаженную картину, далекую от фактической формы. Поэтому при построении структурных карт следует учитывать всю дополнительную информацию о форме поверхности, в первую очередь сейсмические карты и профили, которые помогут установить положение сводов поднятий, отдельных куполов, крыльев складок и периклиналей.

Выбор сечения изогипс – важная задача. Величина сечения является критерием точности карт. Она зависит от плотности точек наблюдения, т.е. от количества скважин, точности исходных данных, сложности картируемой поверхности, амплитуды структуры. Чем меньше сечение, тем с большей детальностью может быть отрисована структурная карта (обычно на практике сечение изогипс принимается не менее 5 м.). В среднем, для наших платформенных структур это 10 – 20 м, но для высокоамплитудных структур типа Оренбургского вала величина сечения может быть увеличена до 50 м и более.

 

Рисунок 3 – Изображение рельефа погребенной поверхности в разрезе и в плане – на структурной карте (по И.О.Броду и Н.А.Еременко)







Дата добавления: 2015-08-30; просмотров: 2591. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...

Кишечный шов (Ламбера, Альберта, Шмидена, Матешука) Кишечный шов– это способ соединения кишечной стенки. В основе кишечного шва лежит принцип футлярного строения кишечной стенки...

Принципы резекции желудка по типу Бильрот 1, Бильрот 2; операция Гофмейстера-Финстерера. Гастрэктомия Резекция желудка – удаление части желудка: а) дистальная – удаляют 2/3 желудка б) проксимальная – удаляют 95% желудка. Показания...

Ваготомия. Дренирующие операции Ваготомия – денервация зон желудка, секретирующих соляную кислоту, путем пересечения блуждающих нервов или их ветвей...

Метод Фольгарда (роданометрия или тиоцианатометрия) Метод Фольгарда основан на применении в качестве осадителя титрованного раствора, содержащего роданид-ионы SCN...

Потенциометрия. Потенциометрическое определение рН растворов Потенциометрия - это электрохимический метод иссле­дования и анализа веществ, основанный на зависимости равновесного электродного потенциала Е от активности (концентрации) определяемого вещества в исследуемом рас­творе...

Гальванического элемента При контакте двух любых фаз на границе их раздела возникает двойной электрический слой (ДЭС), состоящий из равных по величине, но противоположных по знаку электрических зарядов...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.009 сек.) русская версия | украинская версия