Экспоненциальное распределение

Полупровод-ник типа А3В5	Еg, эВ	Тип	Материал контакта	Технология изготовления	Температура вплавления
AlN	5.9	Полуизо-лятор	Si Al, Al-In Mo, W	Формовка Формовка Распыление	1500-1800
AlP	2.45	n	Ga-Ag	Формовка	500-1000
AlAs	2.16	n, p n, p n, p n	In-Te Au Au-Ge Au-Sn	Формовка Формовка Формовка Формовка
GaN	3.36	Полуизо-лятор	Al-In	Формовка
GaP	2.26	p p n n	Au-Zn (99:1) Au-Ge Au-Si (62:38) Au-Si (98:2)	Формовка Напыление Формовка Формовка Напыление
GaAs	1.42	p	Au-Zn (99:1)	Электролиз, Напыление
GaSb	0.72	p	In	Формовка
InP	1.35	p	In	Формовка	350-600
InAs	0.36	n	In Sn-Te (99:1)	Формовка
InSb	0.17 1.42 2.31	n p n	In Sn-Te (99:1) Au-Zn Au-Ge-Ni	Формовка Формовка Напыление Напыление
AlxGa1-xAs	1.42 2.16	p n p p n n	Au-In Au-Si Au-Zn Al Au-Ge-Ni Au-Sn	Анодирование Напыление Напыление Напыление Напыление Напыление Электролиз	400-450 450-485
Ga1-xInxSb	0.7-0.17	n	Sn-Te	Напыление
AlxGa1-xP	2.312.45	n	Sn	Формовка
Ga1-xInxAs	1.47 2.35	n	Sn	Формовка
InAsxSb1-x	0.17	n	In-Te	Формовка

 

Материалы навесок, дающие омические контакты к различным полупроводникам при плавлении с помощью лазера. Приложение №2

 

Полупроводник	Тип проводимости	Материал навески
Ge	n	Sb, Sn, Te, Sn+40% Pb
Ge	p	In, Al, Cd, Zn
Si	n	Sb, Sn, Te, Sn+40% Pb
Si	p	In, Al, Cd, Zn
GaAs	n	Te, Au+10% Te
GaAs	p	Zn
GaP	n	Te, Sn, In, Te, Au+10% Te
GaP	p	Zn
GaSb	n	Te, Sn, In, Te, Au+10% Te
GaSb	p	Zn
SiC SiC	n p	Al+50% Si Te, Sn

 

 

Приложение №3.

Параметры лазеров, использованных для отжига.

 

Тип	L, мкм	tи	Eи, Дж/см*см	Порог поврежде-ния Дж/см*см
Рубиновый одномодовый	0.69		0.5-1.4	0.9
Рубиновый многомодовый	0.69		0.2-1.2	0.8
Неодимовый многомодовый	1.06		0.3-0.6	0.6
CO2	10.0		0.9-30	>3

 

 

Список используемой литературы:

 

 

1. А. В. Двуреченский, Г. А. Кочурин, Е. В. Нидаев, Л. С. Смирнов

Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. Изд. " Наука", М., 1982.

2. В. И. Стриха, Е. В. Бузанева Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. Изд. " Радио и связь", М., 1987.

3. Э. Х. Родерик Контакты металл-полупроводник. Изд. " Радио и связь", М., 1982.

4. С. Зи Физика полупроводниковых приборов М., Изд. " Мир", 1984.

5. В. И. Стриха, Г. Д. Попова Физические основы изготовления омических контактов металл-полупроводник Изд. " Наукова Думка", Киев 1975.

 

 

Экспоненциальное распределение

 

Для получения случайных величин, распределенных по экспоненциальному закону, используем имеющуюся таблицу и воспользуемся формулой (6). Примем b =1. Запишем в ячейку С2 название переменной Е, а в ячейку С4 выражение =-LN(B4) и скопируем его до ячейки С103. Если в таблице произошли изменения адресов ссылок, то в строке 3 восстановить возрастание номеров от 1 до 13, проверить выражение в ячейке D4, которое должно иметь вид: =ЕСЛИ(И($C4>=((A$3-1)*$C$106+$C$104);$C4<=(A$3*$C$106+$C$104));1), при необходимости внести изменения и скопировать его до ячейки М103. Нажимая клавишу F9, наблюдать изменение графиков.

Зарисовать два графика экспоненциального распределения в соответствии с примером, приведенным на рис. 4.

 

Рис. 4. Экспоненциальное распределение случайных величин

 

3.4 Равновероятное распределение

 

Для получения случайных величин, имеющих равновероятное распределение, используем имеющуюся таблицу. Перенесем содержимое ячеек В104-В107 в ячейки А104-А107 и скопируем выражения из ячеек С104-С106 в ячейки В104-В106. Удалим столбец С, в строке 3 восстановим возрастание номеров от 1 до 12 и исправим содержимое ячейки С4, записав в нее выражение =ЕСЛИ(И($B4>=((A$3-1)*$B$106+$B$104);$B4<=(A$3*$B$106+$B$104));1) и скопируем его до ячейки L103. Нажимая клавишу F9, наблюдать изменение графиков.

Зарисовать два графика равновероятного распределения в соответствии с примером, приведенным на рис. 5.

 

Рис. 5. Равновероятное распределение случайных величин

 

4. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

 

1. Цель работы.

2. Формулы генерирования случайных чисел для заданного закона распределения.

3. Гистограммы распределения по группам случайных величин.

4. Выводы и заключение по выполненной работе.

 

5. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

 

1. Основные понятия моделирования.

2. Требования, предъявляемые к моделям.

3. Классификация технических систем.

4. Классификация моделей.

5. Метод имитационного моделирования.

6. Моделирование случайных чисел с заданным законом распределения случайных величин.

7. Принципы построения имитационных моделирующих алгоритмов.

 

СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

 

1. Соболь И. М. Метод Монте-Карло.–М.: Наука, 1978.–64 с.

2. Лукьянов В. С. Решение задач в машиностроении методами имитационного моделирования. Учебное пособие. Волгоград. Изд. ВолгПИ, 1989, 26 с.

3. Бусленко Н. П. Моделирование сложных систем.–М.: Наука, 1978.–310 с.

4. Советов Б. Я., Яковлев С. А. Моделирование систем.–М.: Наука, 1998.–146 с.

5. Основы моделирования сложных систем/ Под ред. Л. И. Дыхненко.–Киев: Технiка, 1981.–359 с.

6. Основы моделирования сложных систем/ Под ред. В. В. Налимова.–М.: Высш. шк., 1981.–358 с.

7. Таха Х. Введение в исследование операций: В 2-х книгах. Кн. 2.–М.: Мир, 1985.–496 с.

8. Прицкер А. Введение в имитационное моделирование и язык СЛАМ II.–М.: Мир, 1987.–646 с.

 

 

 

Составители Аркадий Георгиевич Кесоян

Леонид Абрамович Рабинович

 

 

МОДЕЛИРОВАНИЕ СЛУЧАЙНОГО ПРОЦЕССА

 

Методические указания к лабораторной работе

по дисциплине «Моделирование систем»

 

Темплан 2005 г., поз. № 52

 

Подписано в печать 10.02.2005. Формат 60 х84 1/16.

Бумага газетная. Печать офсетная. Усл. печ. л. 0,7

Тираж 100 экз. Заказ.. Бесплатно.

 

Волгоградский государственный технический университет.

400131 Волгоград, просп. им. Ленина, 28

 

РПК “Политехник” Волгоградского государственного технического университета

400131 Волгоград, ул. Советская, 35