Студопедия Главная Случайная страница Задать вопрос

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Эпитаксия.





Эпитаксия – это специфический процесс, относящийся к формированию или росту монокристалла поверх монокристаллической подложки или зерна. Эпитаксиальный рост разделяют на гомоэпитаксиальный и гетероэпитаксиальный. В начало

Гомоэпитаксиальный рост происходит на подложке, которая состоит из того же материала, что и пленка. Гетероэпитаксиальный рост обычно используется для того чтобы вырастить более качественную пленку, или ввести в выращиваемую пленку легирующую смесь. Между этими двумя видами пленок существует одно очевидное различие. Это соответствие пленок между пленками и подложками. При гомоэпитаксиальном росте несоответствия между пленкой и подложкой нет. Напротив, при гетероэпитаксиальном росте несоответствие между пленкой и подложкой наблюдается. Решеткой, несочетающуюся с подложкой и пленкой и иногда называют неудачной и вычисляют по выражению:

(7)

Где as и af – постоянные ненапряженных пространственных решеток подложки и пленки, соответственно. Если f > 0, пленка находится в напряженном состоянии растяжением, если f < 0, пленка находится в состоянии сжатия.
Энергия напряжения Еs, образующаяся в напряженной пленке, равна:

(8)

Где mf - модуль сдвига пленки, n - коэффициент Пуассона , e - плоскостное или поперечное напряжения, h - толщина пленки, А – площадь поверхности.

 

В начало

Термодинамические и структурные особенности нанодисперсных сред.






Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 227. Нарушение авторских прав

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2017 год . (0.009 сек.) русская версия | украинская версия