Студопедия — ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ТРЕБОВАНИЯ К ПРОЕКТИРОВАНИЮ ЗДАНИЙ В СЕВЕРНОЙ СТРОИТЕЛЬНО-КЛИМАТИЧЕСКОЙ ЗОНЕ
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ТРЕБОВАНИЯ К ПРОЕКТИРОВАНИЮ ЗДАНИЙ В СЕВЕРНОЙ СТРОИТЕЛЬНО-КЛИМАТИЧЕСКОЙ ЗОНЕ






3.1. Здания следует проектировать, как правило, простой прямоугольной формы в плане, без перепада высот. В тех случаях, когда перепад высот необходим по технологическим или технико-экономическим соображениям, его следует, как правило, располагать с наветренной стороны или вдоль направления господствующих ветров.

3.2. Помещения с мокрым влажностным режимом, как правило, не следует размещать у наружных стен зданий.

3.3. Фасады зданий следует проектировать без ниш, поясков и других элементов, задерживающих атмосферные осадки.

3.4. Размещение на покрытиях зданий оборудования и коммуникаций не допускается.

3.5. Эвакуационные выходы из зданий следует размещать, как правило, в стенах, расположенных параллельно направлению преобладающих ветров (по розе ветров зимнего периода).

3.6. На входах в отапливаемые здания следует предусматривать двойные тамбуры (с тремя дверями); размеры каждого тамбура принимать согласно п. 2.40; внутренний тамбур должен быть отапливаемым.

3.7. Ворота и технологические проемы в наружных стенах отапливаемых зданий должны иметь воздушно-тепловые завесы; ворота зданий с влажным или мокрым влажностным режимом помещений должны иметь воздушно-тепловые завесы и тамбуры.

3.8*. При проектировании зданий на вечномерзлых грунтах следует принимать принцип I или II использования вечномерзлых грунтов в качестве основания в соответствии со СНиП 2.02.04-88.

3.9. Здания (с основанием по принципу 1) следует проектировать, как правило, без подвальных или цокольных этажей, тоннелей и каналов.

В соответствии с технологической частью проекта допускается проектировать отапливаемые подвальные или цокольные этажи, тоннели и каналы при условии сохранения расчетного теплового режима грунтов основания.

3.10. При проектировании зданий (с основанием по принципу II) следует:

а) предусматривать конструктивные решения, обеспечивающие медленное и равномерное оттаивание грунтов основания в процессе строительства и эксплуатации. В случае предварительного оттаивания грунтов основания следует при необходимости предусматривать улучшение строительных свойств грунтов путем уплотнения, закрепления и др.;

б) назначать высоту помещений, проемов (ворот, дверей и др.), расстояния по высоте между оборудованием и конструкциями зданий и сооружений с запасами, обеспечивающими возможность нормальной эксплуатации здания в процессе осадок конструкций и сохранение требуемых нормами габаритов после окончания осадок;

в) проектировать фундаменты под оборудование и подъемно-транспортные устройства с учетом возможности приведения в проектное положение оборудования и подъемно-транспортных устройств при неравномерных осадках в процессе эксплуатации;

г) предусматривать возможность приведения конструкций в проектное положение при осадках зданий.

3.11. При проектировании зданий с основанием по принципам I и II печи и агрегаты, выделяющие тепло, следует размещать на перекрытиях или отдельных фундаментах, не связанных с несущими конструкциями.

3.12. При проектировании зданий (с основанием по принципу II) в случаях, когда деформации оснований не превышают предельных величин, приведенных в СНиП 2.02.01-83, конструктивные схемы зданий допускается принимать без учета особенностей строительства в Северной строительно-климатической зоне.

3.13. При проектировании зданий (с основанием по принципу II) в случаях, когда деформации основания могут превышать предельные величины, приведенные в СНиП 2.02.01-83, конструктивные решения должны обеспечивать устойчивость, прочность и эксплуатационную пригодность зданий при неравномерных осадках основания. Для обеспечения указанных требований здания следует проектировать:

с жесткими конструктивными схемами, при которых конструктивные элементы не могут иметь взаимных перемещений;

с податливыми конструктивными схемами, при которых возможно взаимное перемещение шарнирно связанных между собой конструктивных элементов при обеспечении устойчивости и прочности этих элементов, а также эксплуатационной пригодности зданий.

Многоэтажные, а также одноэтажные здания с пролетом 12 м и менее следует проектировать, как правило, с жесткой конструктивной схемой, а одноэтажные здания с пролетами более 12 м (однопролетные и многопролетные) — с податливой конструктивной схемой.

3.14. При проектировании зданий с жесткой конструктивной схемой (с основанием по принципу II), как правило, следует:

не допускать изломов стен в плане;

предусматривать внутренние стены на всю ширину или длину здания;

располагать поперечные несущие стены или рамы на расстоянии не более 12 м одну от другой;

принимать оконные проемы одинаковыми, размещая их равномерно;

не допускать местных ослаблений стен в результате устройства ниш, штраб, каналов;

предусматривать связь сборных элементов покрытия и перекрытия между собой;

применять армированные пояса, армирование простенков и углов каменных стен.

3.15. При проектировании зданий с податливой конструктивной схемой (с основанием по принципу II), как правило, следует:

применять конструктивные схемы зданий с колоннами, жестко заделанными в фундаменты и шарнирно соединенными с покрытиями;

применять конструкции с минимально допустимой жесткостью в вертикальной плоскости;

проектировать покрытия и перекрытия в виде жестких горизонтальных диафрагм, связанных с продольными и поперечными стенами и колоннами;

назначать площади опирания и крепления элементов конструкций из условия обеспечения прочности при неравномерной осадке здания.

3.16. Устойчивость и прочность здания, элементов и соединений с жесткой и податливой конструктивными схемами следует проверять расчетом на возможные наиболее неблагоприятные сочетания нагрузок и воздействий, включая неравномерные осадки основания.







Дата добавления: 2015-08-27; просмотров: 294. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Методика исследования периферических лимфатических узлов. Исследование периферических лимфатических узлов производится с помощью осмотра и пальпации...

Роль органов чувств в ориентировке слепых Процесс ориентации протекает на основе совместной, интегративной деятельности сохранных анализаторов, каждый из которых при определенных объективных условиях может выступать как ведущий...

Лечебно-охранительный режим, его элементы и значение.   Терапевтическое воздействие на пациента подразумевает не только использование всех видов лечения, но и применение лечебно-охранительного режима – соблюдение условий поведения, способствующих выздоровлению...

Метод Фольгарда (роданометрия или тиоцианатометрия) Метод Фольгарда основан на применении в качестве осадителя титрованного раствора, содержащего роданид-ионы SCN...

Потенциометрия. Потенциометрическое определение рН растворов Потенциометрия - это электрохимический метод иссле­дования и анализа веществ, основанный на зависимости равновесного электродного потенциала Е от активности (концентрации) определяемого вещества в исследуемом рас­творе...

Гальванического элемента При контакте двух любых фаз на границе их раздела возникает двойной электрический слой (ДЭС), состоящий из равных по величине, но противоположных по знаку электрических зарядов...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.011 сек.) русская версия | украинская версия