Студопедия — Полупроводниковые приборы
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Полупроводниковые приборы






Основой полупроводникового вентиля является монокристалл кремния или германия с одной стороны которого вводятся атомы фосфора а с другой бора с различным числом электронов, в следствии чего со стороны фосфора образуется отрицательная область n(-), а со стороны бора положительная Р(+). При взаимодействии двух областей образуется Р-n переход который создает сопротивление R для протекания тока через пластину монокристалла.

При подключении обратного напряжения заряженные частицы уходят к краям пластины увеличивая Р-n переход в результате чего электрический ток через пластину не протекает.

При подключении прямого напряжения свободные заряженные частицы подходят к друг другу максимально уменьшая Р-n переход в пластине, при этом начинается обмен заряженных частиц т.е. через пластину начинает протекать электрический ток.

Диод – это полупроводниковый вентиль пропускающий ток только в одном направлении.

Лавинный диод – это диод который после пробоя и уменьшения обратного напряжения восстанавливает свои свойства полупроводника, т.е. не выходит из строя.

Тиристор – это полупроводниковый вентиль который имеет три Р-n перехода и пропускает электрический ток только в одном направлении, но только после подачи отпирающего электрического импульса на его управляющий электрод

Основные параметры характеризующие вентиль

1. Предельный ток – это максимально допустимое значение тока длительно протекающего через вентиль при максимально допустимой температуре.

2. Прямое падение напряжения – характеризует сопротивление вентиля в прямом направлении от которого зависит распределение тока в параллельно включенных вентилях.

3. Обратное напряжение – это наибольшее мгновенное значение напряжения прикладываемого к вентилю в обратном направлении, а к тиристору и в прямом закрытом направлении.

4. Отпирающий ток управления.

5. Отпирающее напряжение.

6. Время выключения тиристора при максимальной температуре.

Вентили изготовленные из полупроводниковых приборов по конструктивному исполнению делятся на штыревые и таблеточного типа.

В штыревых вентилях анодный или катодный вывод выполнен в виде шпильки (9) для крепления к радиатору. В этих вентилях кремневый элемент (7) помещают в специальный герметичный корпус состоящий из основания (8) со шпилькой и верхней цилиндрической части (6). Кремневый элемент припаивают к основанию от которого осуществляется подача тока к элементу, от верхней части элемента ток отводится через гибкий медный шунт (2) с наконечником (1). Анодная часть от катодной изолируется стеклянным изолятором (5).

 

Для эффективного отвода тепла и во избежание перегрева вентиля, он своим хвостовиком вкручивается в радиатор до плотного соприкосновения поверхностей.

Однако контакт алюминиевого радиатора с медным корпусом вентиля с течением времени может ухудшиться, что приведет к увеличению переходного сопротивления, ухудшению распределения тока, перегрева, что может привести к пробою вентиля. Поэтому между вентилем и радиатором прокладывают токоотводящую медную пластину, которая одновременно является выводом для включения вентиля в силовую цепь.

По конструкции вентиля таблеточного типа проще чем штыревые, что позволяет изготавливать на большую мощность, это сокращает их количество в выпрямительных установках, что повышает надежность последних.

 







Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 1623. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...

Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Огоньки» в основной период В основной период смены могут проводиться три вида «огоньков»: «огонек-анализ», тематический «огонек» и «конфликтный» огонек...

Упражнение Джеффа. Это список вопросов или утверждений, отвечая на которые участник может раскрыть свой внутренний мир перед другими участниками и узнать о других участниках больше...

Влияние первой русской революции 1905-1907 гг. на Казахстан. Революция в России (1905-1907 гг.), дала первый толчок политическому пробуждению трудящихся Казахстана, развитию национально-освободительного рабочего движения против гнета. В Казахстане, находившемся далеко от политических центров Российской империи...

Метод Фольгарда (роданометрия или тиоцианатометрия) Метод Фольгарда основан на применении в качестве осадителя титрованного раствора, содержащего роданид-ионы SCN...

Потенциометрия. Потенциометрическое определение рН растворов Потенциометрия - это электрохимический метод иссле­дования и анализа веществ, основанный на зависимости равновесного электродного потенциала Е от активности (концентрации) определяемого вещества в исследуемом рас­творе...

Гальванического элемента При контакте двух любых фаз на границе их раздела возникает двойной электрический слой (ДЭС), состоящий из равных по величине, но противоположных по знаку электрических зарядов...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия