Студопедия — Структурная схема управления инициализацией и подсветкой
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Структурная схема управления инициализацией и подсветкой






В блоке логики контроллер сканирования тактирует как про­цессор обработки данных, так и преобразователь данных, и фор­мирует сигналы сканирования, поступающие на входы Х-платы и Y-платы (см. рис. 4.3).

Функциональный состав Х-платы приведен на рис. 4.4. Им­пульсный характер сигнала X создают с помощью накопительно­го конденсатора, напряжение на обкладках которого использу­ют для формирования напряжений смещения, подсветки и упра­вления ключами.

Подобным Х-плате является функциональный состав Y-платы (рис. 4.5). Кроме импульсных сигналов подсветки, эта плата вы­рабатывает еще сигналы сброса и сканирования.

Форма и амплитуды сигналов сброса, адресации и подсвет­ки, поступающие на эпектроды X и Y nриведены на рис. 4.6.

Рис.4.6

Как уже отмечалось, при отображении информации работа плазменной панели во времени происходит циклами, в течение которых на электроды подаются импульсные сигналы опреде­ленной амплитуды и формы.

Особенность плазменной панели заключается в ее достаточ­но больших геометрических размерах, следствием чего является рост длины электродов всех типов и появление заметных распре­деленных паразитных емкостей между ними. В свою очередь, паразитные емкости за счет явлений зарядки/перезарядки ока­зывают влияние на форму и амплитуды электродных импульсов.

 


 


Если рассмотреть неболь­шой фрагмент передней стеклян­ной пластины панели с электро­дами X и Y на нем (рис. 4.7), то можно предположить возникно­вение паразитной межэлектрод­ной емкости с обкладками в виде боковых поверхностей электро­дов и их площади (за счет суще­ствования краевого эффекта си­ловых линий электрического по-

ля, проходящих между электродами через толщу стекла).

Управляющие сигналы сканирования и подсветки поступают на электроды через МОП-ключи, в результате чего образуется цепь, эквивалентная схема которой представлена на рис. 4.8.

Высокие амплитуды напряжений импульсов приводят при за­рядке/разрядке паразитной емкости Cs к протеканию через за­мкнутые ключи значительных токов. Учитывая наличие ненуле­вого внутреннего электрического сопротивления транзисторных ключей в замкнутом состоянии, токи коммутации вызывают ин­тенсивный нагрев транзисторов (рис. 4.9).

В настоящее время известны несколько способов снижения тепловой нагрузки ключей. Схема реализации одного из них представлена на рис. 4.10. В схему включены катушки индук­тивности Ц и /_2, которые вместе с конденсаторами С* и Су образуют два последовательных колебательных контура. Пара­метры контуров подобраны таким образом, что совместно с за­щитными диодами, включенными между МОП ключами, позво­ляют осуществить регенерацию энергии разрядки/перезарядки паразитной емкости Cs.

 

 

 

На рис. 4.11 изображен положительный импульс подсветки амплитудой Vs и интервалы коммутации МОП-ключей. Первый интервал характеризуется ростом напряжения подсветки и со­ответствует зарядке паразитной емкости по маршруту, показан­ному на рис. 4.12. Благодаря резонансу в последовательном колебательном контуре ЦСуС ток плавно нарастает и спадает. В окрестности максимальной амплитуды напряжения подсветки выпрямительные диоды обрывают плавное нарастание напряже­ния, ток зарядки прекращается, и возникает всплеск.

В период действия напряжения подсветки (интервал 2) про­исходит дополнительная зарядка емкости С той же полярности (рис. 4.13).При снижении положительного напряжения под-

 

 


 

светки происходит резонансная разрядка паразитной емкости по маршруту, показанному на рис. 4.14. В течение интервала 4 МОП-ключи замыкают паразитную емкость накоротко (рис. 4.15), снимая ее остаточный заряд.

При действии импульса подсветки отрицательной полярно­сти направления токов зарядки и разрядки паразитной емкости изменяются на противоположные, и последовательность явлений повторяется, но с использованием резонансной цепи L2CxC.







Дата добавления: 2015-08-30; просмотров: 715. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Шрифт зодчего Шрифт зодчего состоит из прописных (заглавных), строчных букв и цифр...

Картограммы и картодиаграммы Картограммы и картодиаграммы применяются для изображения географической характеристики изучаемых явлений...

Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...

Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...

Искусство подбора персонала. Как оценить человека за час Искусство подбора персонала. Как оценить человека за час...

Этапы творческого процесса в изобразительной деятельности По мнению многих авторов, возникновение творческого начала в детской художественной практике носит такой же поэтапный характер, как и процесс творчества у мастеров искусства...

Тема 5. Анализ количественного и качественного состава персонала Персонал является одним из важнейших факторов в организации. Его состояние и эффективное использование прямо влияет на конечные результаты хозяйственной деятельности организации.

Концептуальные модели труда учителя В отечественной литературе существует несколько подходов к пониманию профессиональной деятельности учителя, которые, дополняя друг друга, расширяют психологическое представление об эффективности профессионального труда учителя...

Конституционно-правовые нормы, их особенности и виды Характеристика отрасли права немыслима без уяснения особенностей составляющих ее норм...

Толкование Конституции Российской Федерации: виды, способы, юридическое значение Толкование права – это специальный вид юридической деятельности по раскрытию смыслового содержания правовых норм, необходимый в процессе как законотворчества, так и реализации права...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия