Характеристики транзистора.Ключ до опитувальника Шкала любові: питання № 1, 3, 5, 7, 9, 11, 13. Шкала симпатії: питання № 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14. Відповіді оцінюються в такий спосіб: • відповідь «Так» – 4 бали; • відповідь «Ймовірно, це так» – 3 бали; • відповідь «Навряд чи це так» – 2 бали; • відповідь «Це зовсім не так» – 1 бал. Бали по кожній шкалі підсумовуються. Підсумкові оцінки можуть варіювати від 7 до 28 балів. Підрахунок сумарного балу по обох шкалах дає загальний рівень емоційних відносин у діаді (від 14 до 56 балів).
Основна література: 1. Андреева Т.В. Семейная психология: Учеб. пособие. – СПб.: Речь, 2004. – С. 75-81. 2. Бондарчук О. І. Психологія сім’ї: Курс лекцій. – К.: МАУП, 2001. – С. 4-15. 3. Кравець В.П. Теорія і практика дошлюбної підготовки молоді. – К.: Київська правда, 2000. – С. 5-10. 4. Шнейдер Л. Б.Психология семейных отношений. — М., 2000. – С. 128-151.
Допоміжна література: 1. Калинина Р.Р. Введение в психологию семейных отношений. – СПб.: Речь, 2008. – 351 с. 2.Ковалев С. В. Психология современной семьи. Информ.- метод. Материалы к курсу “Этика и психология семейной жизни”. – М.: Просвещение, 1988. – 208 с. 3. Психологические проблемы современной семи /В. М. Целуйко. – Екатеринбург: У-Фактория, 2007. – 496 с. 4. Райгородский Д.Я. Учебное пособие по психологии семейных отношений. – Самара: Издательство Дом БАРАХ-М, 2004. – 736 с.
МІНІСТЕРСТВО НАУКИ І ОСВІТИ УКРАЇНИ
Житомирський державний технологічний університет
Кафедра радіотехніки і телекоммуникацій
Основи комп'ютерного проектування і моделювання радіоелектронних засобів
Лабораторна робота № 3 Вивчення методів тестування біполярних транзисторів в програмі Micro-Cap
м. Житомир Мета роботи: зняття вхідних і вихідних характеристик біполярних транзисторів, визначення параметрів транзисторів з іх характеристик.Набути практичні навички роботи з програмою Micro-Cap.
Основные теоретические положения Характеристики транзистора. В транзисторі взаємозв'язаними є чотири величины— вхідний струм, вхідна напруга,вихідний струм, вихідна напруга.Ці струми і напруги відносяться до певних виводів відповідно до схеми включення транзистора. Взаємозв'язок струмів і напруг виводів звичайно виражається сімействами вхідних і вихідних характеристик. Вхідні характеристики транзистора, включеного по схемі із загальною базою, виражають залежність струму емітера Ie від напруги емітер—база Ueb при незмінній напрузі колектор — база Ucb, тобто Ie =F(Ueb), Ucb = const. При Ucb = 0 вхідна характеристика близька до вольт-амперної характеристики напівпровідникового діода. В активному режимі (Ucb>0) характеристика зміщується у бік великих струмів емітера унаслідок модуляції ширини бази і зміни градієнта концентрації неосновних носіїв заряду в базі. В режимі насичення (Ucb <0) характеристика зміщується у бік менших струмів Ie. Вихідні характеристики транзистора в схемі із загальною базою виражають залежність струму колектора Ic від напруги колектор — база Ucb при заданому значенні струму емітера Ie: Ic=F(Ucb) при Ie=const. При Ie=0 вихідна характеристика виражає залежність зворотного струму колекторного переходу Icb0 від зворотної напруги, прикладеної до нього. При появі струму емітера (Ie>0) в колі колектора проходить струм Ic. В активному режимі вихідні характеристики є майже прямими лініями, які мають невеликий нахил до осі абсцис. Невелике збільшення струму Ic при зростанні напруги Ucb пояснюється модуляцією ширини бази і деяким збільшенням у зв'язку з цим градієнта концентрації електронів в базі. При великих напругах Ucb спостерігається збільшення струму колектора, обумовленого лавинним розмноженням електронів. У разі негативної напруги колектора (Ucb<0) транзистор знаходиться в режимі насичення. колекторний перехід відкривається, виникає стрічний потік електронів з колектора в базу, струм колектора Uc різко зменшується. Для схеми із загальним емітером вхідна характеристика транзистора є залежністю струму бази Ib від напруги база — емітер Ube при певному значенні напруги колектор — емітер Uce:Ib=F(Ube) при Uce=const. Вид цієї характеристики такий же, як і вхідної характеристики для схеми із загальною базою. Проте Ib < Ie і зміна струму бази, що доводиться на одиницю напруги Uce значно менше ніж така зміна струму емітера. Збільшення напруги Uce викликає зменшення струму Ib, оскільки відбувається зменшення ширини бази і знижується вірогідність рекомбінації в базі неосновних носіїв заряду. Вихідні характеристики транзистора для схеми із загальним емітером є залежністю струму колектора Ic від напруги колектор-емітер Uce при постійному струмі бази Ib: Ic=F(Uce) при Ib=const. Ділянки характеристик, відповідні малим значенням напруги Uce, є крутими. Пояснюється це тим, що напруга, прикладена до переходу колектора, рівно різниці напруг Uce-Ube. Поки Uce<Ube переходу колектора прикладено пряму напругу, транзистор працює в режимі насичення і струм колектора сильно залежить від напруги на переході колектора. Після переходу транзистора в активний режим (Uce>Ube) вихідні характеристики транзистора мають пологий вигляд. Проте залежність струму Ic від напруги Uce виявляється більшою мірою, ніж для транзистора, включеного по схемі із загальною базою. Збільшення напруги Uce викликає розширення переходу колектора і звуження області бази. Вірогідність рекомбінації електронів в базі і струм бази зменшуються. Щоб підтримувати струм бази Ib незмінним, необхідно збільшувати напругу Ube. А це приводить до збільшення інжекції електронів в базу і зростання струму колектора.
Параметри транзистора.
З чотирьох взаємозв'язаних величин напруг і струмівU1,I1,U2,I2 виводів транзистора дві можна вважати незалежними змінними, дві — залежними змінними. Можливі шість варіантів функціональної залежності і шість варіантів параметрів транзистора. Найбільше розповсюдження отримала система h-параметров, звана гібридною. В цій системі залежності між струмами і напругами представляються у вигляді для діючих напруг і струмів: U1=h11*I1+h12*U2 I2=h21*I1+h22*U2 Коефіцієнти h, звані h-параметрами транзистора, мають певний фізичний сенс:
h11=U1/I1 при U2 = 0 — вхідний опір транзистора при короткому по змінному струму замиканні його виходу;
h12=U1/U2 при I1= 0 — коефіцієнт зворотної передачи по напрузі при розімкненому по змінному струму (холостому ходу) вході;
h21=I2/I1 при U2 = 0— коефіцієнт передачі струму при короткому замиканні по змінній напрузі його виходу;
h22=I2/U2 при I1= 0 — вихідна провідність транзистора при розімкненому по змінному струму вході.
|
