Введение. модели КБ -100(при угле подъёма стрелы )

модели КБ -100 (при угле подъёма стрелы )

 

1. Момент массы крана, удерживающий его от опрокидывания в сторону движения крана:

 

 

= = тм.

 

2. Опрокидывающий грузовой момент:

 

=

 

= = тм.

 

3. Расчётная высота башни:

=.

 

 

4. Наветренная площадь башни:

= = .

 

5. Наветренная площадь стрелы:

= = .

 

6. Высота центра ветровой нагрузки башни:

= = м.

 

7. Опрокидывающий момент от действия ветровой нагрузки:

 

=

 

= = тм.

 

8. Опрокидывающий момент сил инерции при торможении опускающегося груза:

=

 

= = тм.

 

9. Расчётный коэффициент грузовой устойчивости крана:

 

= =.

 

10. Соотношение расчётного и допустимого коэффициентов грузовой устойчивости крана:

____ .

 

11. Предельно-допустимая грузоподъёмность крана по критерию устойчивости:

 

= = т.

 

Дата Подпись

Введение.

В учебных планах по курсу «Электроника» предусматривается выполнение работы по расчету параметров биполярного транзистора. В настоящих указаниях изложена методика этих расчетов.

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами и тремя электродами (эмиттер, база и коллектор). Переходы образуются тремя слоями с чередующимися типами проводимости, как показано на рис.1. В зависимости от порядка чередования этих слоев различают два типа транзистора: p-n-p и n-p-n. На рис.1 приведены их схемные обозначения.

 

 

Рис.1. Схемы структуры биполярных транзисторов

типа n-p-n и p-n-p и их схемные обозначения

В настоящих указаниях методика расчета изложена для случая включения биполярного транзистора по схеме «с общим эмиттером», которая нашла широкое применение. В этой схеме, приведенной на рис.2, эмиттер входит в состав, как входной, так и выходной цепей. Входным током является базовый ток, входным напряжением является напряжение база-эмиттер. Выходным током является коллекторный ток, выходным напряжением является напряжение коллектор-эмиттер. На рис.2 показана схема включения транзистора типа n-p-n с указанием полярности напряжений, подаваемых к электрода. В случае транзистора типа p-n-p полярность напряжений должна быть изменена.

 

Рис. 2. Схема включения биполярного транзистора типа

n-p-n с общим эмиттером