Студопедия — Схемы замещения биполярного транзистора
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Схемы замещения биполярного транзистора






При расчетах электрических цепей с транзисторами реальный прибор заменяется схемой замещения, в которой транзистор представляется в виде активного четырехполюсника. Возможны две схемы замещения транзистора: бесструктурная и структурная, в которой отражены физические связи между ее элементами. В обоих случаях полагается линейная связь между токами и напряжениями в приборе. Такой подход возможен, когда транзистор работает при открытом эмиттерном переходе и закрытом коллекторном переходе, а значения его токов и напряжений не выходят за пределы рабочей области на выходной характеристике.

Рис. 3. Бесструктурная схема замещения биполярного транзистора

На рис.3 приведена бесструктурная схема замещения биполярного транзистора. Поскольку электрический режим прибора в схеме ОЭ определяется входным током I Б и выходным напряжением U , четырехполюсник схемы замещения описывается системой уравнений типа Н. При этом вместо значений токов и напряжений в уравнениях используются приращения значений этих параметров относительной соответствующих величин, находящихся внутри рабочей области. Таким образом, в случае бесструктурной схемы значения приращений токов и напряжений биполярного транзистора связываются через h-параметры уравнениями

Δ U = h Δ I Б + h Δ U , (1)

 

Δ I = h Δ I Б + h Δ U . (2)

 

Из соотношения (1) при Δ U = 0 следует

h = , (3)

а при Δ I Б = 0

h = . (4)

 

Аналогичным образом из соотношения (2) можно получить

h = , (5)

h = . (6)

Согласно соотношениям (3) – (6)

h является входным сопротивлением транзистора при постоянном значении напряжения U ;

h - коэффициент обратной связи по напряжению;

h - коэффициент передачи тока в схеме ОЭ, характеризующий усилительные свойства транзистора при постоянном значении напряжения U ;

h - выходная проводимость транзистора при постоянном токе базы.

Структурная схема замещения транзистора можно представить в виде Т-образной схемы. Такая схема для случая включения транзистора с ОЭ приведена на рис.4, где приращения токов и напряжений обозначены как iБ, iК, uБЭ, uКЭ.

 

Рис. 4. Бесструктурная схема замещения биполярного транзистора

 

Левая часть этой эквивалентной схемы транзистора отражает эмиттерный переход, находящийся в открытом состоянии. Резистор rЭ представляет собой сопротивление открытого перехода, величина которого невелика и лежит в пределах от единиц до нескольких десятков Ом. Резистор rБ представляет сопротивление базового слоя, величина которого как правило составляет 100-500 Ом. Им по существу определяется входное сопротив-ление прибора, поскольку величина сопротивления rЭ весьма мала. Правая часть схемы рис.4 отражает коллекторный переход. Он представляется параллельным соединением сопротивления rК(Э) и барьерной емкости коллекторного перехода СК. Кроме того, параллельно им включен источник тока βiБ, отражающий факт переноса рабочих носителей заряда из эмиттерного слоя в коллекторный слой. На низких частотах емкостное сопротивление велико и шунтирующим действием емкости СК на источник тока βiБ можно пренебречь. Поэтому подключение емкости СК на рис.4 обозначено пунктиром.

Согласно эквивалентной схеме рис.4 на низких частотах с учетом малой величины сопротивления rЭ приращение коллекторного тока определяется соотношением

 

 

из которого следует, что с учетом (5)

 

h = b,

а с учетом (6)

 

r = .

 

Поскольку коллекторный переход транзистора закрыт, его сопротивле-ние очень велико. Поэтому величина параметра h22 имеет порядок 10-4 См. Величина параметра h21 обычно составляет несколько десятков.

Таким образом значения параметров r б, r к(э) и b структурной схемы замещения транзистора определяются, если известны значения параметров h11, h21 и h22 бесструктурной схемы замещения.

 







Дата добавления: 2015-08-31; просмотров: 3823. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...

Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Почему важны муниципальные выборы? Туристическая фирма оставляет за собой право, в случае причин непреодолимого характера, вносить некоторые изменения в программу тура без уменьшения общего объема и качества услуг, в том числе предоставлять замену отеля на равнозначный...

Тема 2: Анатомо-топографическое строение полостей зубов верхней и нижней челюстей. Полость зуба — это сложная система разветвлений, имеющая разнообразную конфигурацию...

Виды и жанры театрализованных представлений   Проживание бронируется и оплачивается слушателями самостоятельно...

Гносеологический оптимизм, скептицизм, агностицизм.разновидности агностицизма Позицию Агностицизм защищает и критический реализм. Один из главных представителей этого направления...

Функциональные обязанности медсестры отделения реанимации · Медсестра отделения реанимации обязана осуществлять лечебно-профилактический и гигиенический уход за пациентами...

Определение трудоемкости работ и затрат машинного времени На основании ведомости объемов работ по объекту и норм времени ГЭСН составляется ведомость подсчёта трудоёмкости, затрат машинного времени, потребности в конструкциях, изделиях и материалах (табл...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.012 сек.) русская версия | украинская версия