Обратная ветвь ВАХ.Реальный обратный ток кроме теплового тока I0 содержит еще две составляющие – ток термогенерации I ген и ток утечки I ут: I об р =I 0 +I ген +I ут (2.31) Процессы генерации и рекомбинации носителей происходят во всем объеме полупроводника, как в нейтральных областях, так и в области перехода. В равновесии их скорости равны, поэтому направленных потоков нет. Когда к переходу приложено обратное напряжение, область перехода дополнительно обедняется носителями, рекомбинация замедляется и равновесие нарушается. Неравновесные носители ускоряются электрическим полем перехода и выбрасываются – электроны в n- область, дырки в p- область. Ток термогенерации пропорционален объему перехода, поэтому растет с ростом обратного смещения. Реальные p-n -переходы имеют участки, выходящие на поверхность полупроводникового кристалла. На поверхности вследствие загрязнений и влияния поверхностного заряда могут образоваться проводящие пленки и каналы, по которым протекает ток утечки. Он увеличивается пропорционально напряжению и при достаточно большом обратном напряжении может превысить тепловой ток и ток термогенерации. Специальные защитные покрытия поверхности позволяют подавить утечку. В кремниевых приборах поверхность кристалла покрыта защитным слоем оксида и ток утечки, как правило, пренебрежимо мал.
|
