Экспериментальные значения емкости МДП-структуры
Все расчеты необходимо занести в отчет, и только затем конечный результат поместить в таблицу. Графики зависимости должна быть выполнены на миллиметровой бумаге и вклеены в отчет. VIII. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 1. Каким образом осуществляется режим инверсии в структуре МДП? 2. Как зависит величина поверхностного заряда от потенциала на поверхности? 3. Какое влияние оказывает разность работ выхода и заряд поверхностных состояний ФMS на вид вольт-фарадной характеристики? 4. Изобразите эквивалентную схему МДП-структуру без учета и с учетом поверхностных состояний. 5. Что такое высокочастотная характеристика МДП-структуры? 6. При каких условиях возможно измерение низкочастотных вольт-фарадных характеристик? 7. Каким образом измеряется величина поверхностного заряда QПС? 8. В чем сущность высокочастотного метода измерений вольт-фарадных характеристик? 9. Объясните принцип измерения емкости МДП-структуры с помощь» высокочастотного моста. 10. Объясните принцип измерения низкочастотных характеристик МДП-структур.
ЛИТЕРАТУРА 1. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Энергия, 1973, с.347-366.
|
