РАСЧЁТ ИСКАЖЕНИЙ НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХЧастотные искажения, возникающие на высоких частотах, обусловлены зависимостью b транзисторов от частоты, а также наличием паразитных емкостей. Основные искажения вносят предварительный каскад на транзисторах VT3-VT4 и усилиителем мощности на транзисторах VT9-VT13. Искажения, вносимые эмиттерными повторителями, не будут учитываться ввиду того, что применены транзисторы с высокой граничной частотой, а также присутствуют 100%- обратные связи, охватывающие каждый повторитель. Суммарные частотные искажения: Искажения, вносимые предварительным каскадом: , где значения параметров для транзистора VT3: -постоянная времени коэффициента b, (с) -постоянная времени нагрузки каскада. (Ф) -емкость коллекторного перехода транзистора VT3; (Ф) -емкость монтажа; (Ф) -емкость нагрузки. , где значения параметров для транзистора VT4: -постоянная времени коэффициента b, (с) -постоянная времени нагрузки каскада. (Ф) -емкость коллекторного перехода транзистора VT4; (Ф) -емкость монтажа; (Ф) -емкость нагрузки.
Искажения, вносимые повторителем на VT9-VT12: Далее определяются суммарные искажения: Затем полученный результат сравнивается с тем, который задан техническим заданием и делается вывод: удовлетворяет ли суммарный коэффициент частотных искажений на высоких частотах техническому заданию.
|