Рис. 4.10. Стабилитрон на основе пробоя эмиттерного перехода
|
В отличие от коллекторного, эмиттерный переход выдерживает обратные напряжения, не превышающие порядка 5 В. При больших значениях обратных напряжений наблюдается пробой с характеристикой, идентичной стабилитрону, с напряжением стабилизации порядка 6.5 В. Особенностью этого пробоя является то, что участок пробоя начинается при малых токах (десятые доли мА), что используется в микросхемотехнике для создания микромощных стабилитронов (рис. 4.10).
