Транзисторларды схемаға ортақ эмиттермен қосу. Көрсеткіштері, сипаттамалары.5.7.3 Ортақ эмиттерлі сұлба бойынша транзистордың негізгі параметрлері Іс жүзінде транзисторды ортақ эмиттермен жалғау сұлбасы жиі қолданылады. Мұндай жалғау кезінде база кіріс электрод болып табылады, эмиттер жерге жалғанады (ортақ электрод), ал коллектор шығыс электрод болып табылады (сурет 5.5,б).Ортақ эмиттерлі сұлбада: а) ток бойынша күшейту еселігі | Uкэ=const ондаған және жүздеген бірліктер. б) кернеу бойынша күшейту еселігі,
в) қуат бойынша күшейту еселігі г) кіріс кедергісі Осылайша, R шығ оэ < R шығ об, R кір оэ > Rкір об; е) шығыс кернеудің фазалы ығысуы φ =π. H – параметрлер. Измерение h-параметров биполярных транзисторов.Для расчета и анализа устройств с биполярными транзисторами используется так называемые h-параметры транзистора, включение по схеме с ОЭ. Электрическое состояние транзистора, включенного по схеме с ОЭ, характеризуется четырьмя величинами: Iб, Uбэ, Iк, Uкэ. Две из них можно считать независимыми, а две могут быть выражены через них. Из практических соображений в качестве независимых удобно выбрать величины Iб и Uкэ. Тогда Uбэ=F1(Iб,Uкэ) (1.18) Iк=F2(Iб,Uкэ) (1.19)
|
параметрі эмиттер тогының беріліс еселігімен келесі қатынас арқылы байланысады
; 
;
,
өйткені Rж>>Rкір, β>>;1, онда Ku>>;1 (жүздеген);
- ондаған мыңдықтар;
- жүздеген Ом және бірнеше кОм. Ортақ эмиттерлі сұлбаның кіріс кедергісі ортақ базалы сұлбаның кіріс кедергісінен үлкен;д) шығыс кедергісі 
ондаған кОм.
