Фотоприемники на квантовых ямах

Процессы оптической ионизации квантовых ям могут использоваться для создания новых типов приемников инфракрасного излучения. Принцип приемника весьма прост: выброс носителей в зону проводимости широкозонного полупроводника (потенциального барьера) увеличивает проводимость в направлении, перпендикулярном слоям гетероструктуры. По своему действию такой приемник напоминает примесный фоторезистор, где в роли центров выступают квантовые ямы. Поэтому в качестве времени жизни неравновесных носителей выступает характерное время захвата в квантовую яму τq. Оно значительно (на несколько порядков) меньше времени захвата на центры и немонотонным, осциллирующим образом зависит от параметров ямы.

Фотопроводимость рассматриваемой структуры, так же как и обычного фоторезистора, определяется произведением трех факторов: скорости оптической генерации, которая в свою очередь пропорциональна коэффициенту поглощения a, времени жизни в делокализованном состоянии τq и эффективной подвижности в нем mэф, которая, очевидно, должна быть пропорциональна квантово-механическому коэффициенту прохождения электрона над квантовой ямой. Совокупное действие всех факторов оказывается таковым, что фотоприемники на квантовых ямах будут иметь лучшие параметры в случае резонансных ям.

Для самой распространенной гетеросистемы GaAs-AlxGa1-x с x = 0. 2—0. 25 условие резонансавыполняется для ям с толщиной, кратной 40—45 А. Путем сравнительно небольших изменений

состава широкозонных слоев и толщины ямы можно менять положение максимума и ширинуполосы фоточувствительности. Последнее обстоятельство связано с тем, что по мере нарушения точного условия резонанса спектр фотоионизации квантовой ямы становится более плавным и имеет менее резкий максимум.

 

Квантово-точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная

логика

Потребности в разработке логических устройств для нано-компьютеров с очень высокой плотностью логических элементов и с максимально возможно низким потреблением энергии на одно переключение привели к предложениям использовать в логических элементах проводящие островки очень малого размера — квантовые точки. В таких приборах для реализации вычислений логических булевых функций используют массивы связанных взаимодействующих квантовых точек. Эти новые приборы называют квантово точечными клеточными автоматами (QCA — Quantum Cellular Automata).

Основу прибора составляет ячейка, состоящая из четырех или пяти квантовых точек. На рис.представлена ячейка из пяти квантовых точек: четыре точки расположены в углах квадрата, а одна — в его центре. В ячейку при помощи внешнего напряжения через дополнительный электрод вводятся два избыточных электрона, и ячейка приобретает электрический заряд. Квантовые точки в ячейке располагаются таким образом, что возможно туннелирование только через центральную точку. Из-за электростатического отталкивания между избыточными электронами вся система будет иметь минимальную энергию только в том случае, если электроны расположатся как можно дальше друг от

друга, т. е. в углах квадрата, соединенных диагональю. Поскольку таких возможных положений всего два, то система имеет всего два устойчивых состояния (две поляризации), и, следовательно, одно из этих состояний можно считать логической единицей («1»), а второе — логическим нулем («0»). При переходе системы из одного устойчивого состояния в другое меняются поляризация системы и распределениебэлектрических полей вокруг ячейки. С помощью дополнительных электродов, связанных с ячейкой емкостной связью, можно навязать ячейке необходимое состояние и перевести

ее в состояние «1» или «О». Если рядом с первой ячейкой расположить вторую (в которой также находится два дополнительных электрона), то электростатическое поле первой ячейки заставит электроны располагаться так, чтобы обеспечить минимум электростатической энергии всей системы.). Составляя комбинации из расположенных разным образом ячеек, можно реализовать разнообразные логические функции и выполнить необходимые логические преобразования и вычисления.

 

Рис. Различные конфигурации ячеек квантово-точечных автоматов.

Состояние с высокой энергией Состояние с низкой энергией

«1» «0» «1» «1

Преимущества логических устройств на основе квантово-точечных клеточных автоматов состоят в том, что по сравнению с аналогичными устройствами на основе полевых транзисторов требуется значительно меньший объем активной области.

 

Новые материалы наноэлектроники

Более 50 лет после создания первых интегральных схем развитие твердотельной электроники следовало закону Мура: число транзисторов на кристалле удваивалось приблизительно каждые два года. Было ясно, что определенным пределом этой закономерности было бы достижение элементами атомного размера. Оказалось, что предел увеличения степени интеграции достигается ранее, это связано как с

фундаментальными свойствами используемых веществ, так и с побочными эффектами.

Подзатворный диэлектрик. Исследования были направлены на создание тонких слоев диэлектрика на основе диоксида гафния, HfO2. Выбор этого вещества определяется его характеристиками - высокая диэлектрическая константа (~ 25), большая ширина запрещенной зоны (~ 5,6 эВ). Слои приготовлялись осаждением из газовой фазы с использованием в качестве исходных веществ дипивалоилметаната гафния, C(CH3)3COCHCO(CH3)3, и дициклопентадиэнил гафний бисдиэтиламина, (C5H5)2Hf(N(C2H5)2)2. Важными проблемами, которые нужно было решить, являлись стабильность композиции HfO2/Si и достаточно высокие пробивные напряжения образующихся слоев диэлектрика.

Диэлектрики для изоляции металлической разводки. Для упомянутого применения рассматривались карбонитриды бора и кремния. Карбонитриды бора и кремния обладают уникальной комбинацией свойств (электрических, оптических, механический, химических) что делает их перспективными для использования в других областях твердотельной техники.

Высокопроводящие слои. Для формирования проводящих слоев, пригодных в технологии приборов высокого уровня интеграции были применены различные варианты метода химического осаждения из газовой фазы с использованием летучих металлоорганических соединений: импульсный MOCVD, CVD c УФ стимуляцией и атомное послойное нанесение (ALD). Были получены как металлические пленки и

покрытия Ir, Ru, Cu, Au, так и наночастицы Au, Cu. В качестве исходных соединений для осаждения металлических слоев рутения, иридия и меди были использованы летучие комплексы металлов с бета-дикетонатными производными, для осаждения пленок и наночастиц золота – карбоксилаты и салицилальдиминаты диметилзолота (III). Для исходных прекурсоров были разработаны методы синтеза с высоким выходом конечных продуктов, исследованы термические свойства и определены режимы осаждения.