3. Вопросы типа «Выбор»
| №
| Текст вопроса/варианты ответа
| Дополнительные параметры
|
|
| Что такое электронные приборы?
| Секция:
|
|
| +
| Принцип работы, устройства, которая основан на использовании явлений, возникающих в процессе получения потоков электронов, движение этих потоков, и их преобразования
| Вес вопроса:
|
|
| | Приборы, которые связаны только электрическим полем
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Приборы, которые связаны только магнитным полем
|
|
|
| | Устройства, которых на использовании явлений, возникающих в процессе получения потоков электронов, движение этих потоков, и их преобразования
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В зависимости от свойства среды приборы делятся:
| Секция:
|
|
| | Электровакуумные, ионные
| Вес вопроса:
|
|
| +
| Электровакуумные, газоразрядные, полупроводниковые
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Газоразрядные, туннельные, варикапы
|
|
|
| | Полупроводниковые, туннельные, газоразрядные
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| На электрон находящийся в электрическом поле действует сила
| Секция:
|
|
| | 
| Вес вопроса:
|
|
| | 
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| 
|
|
|
| | 
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Какие элементы относятся к полупроводникам?
| Секция:
|
|
| +
| Германий, кремний, селен, арсенид галлий, антимонид
| Вес вопроса:
|
|
| | Нет верных ответов
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Германий, индий, мышьяк, бор
|
|
|
| | Селен, аурум, бор, индий
|
|
|
| | Мышьяк, индий, селен, кремний
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Процесс генерацией носителей заряда:
| Секция:
|
|
| +
| Процесс образования пар электрон – дырка
| Вес вопроса:
|
|
| | Процесс образования пар электрон – электрон
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Процесс образования свободных пар электрон – дырка
|
|
|
| | Процесс образования и исчезновения электронов
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Процесс рекомбинацией носителей заряда:
| Секция:
|
|
| | Процесс образования пар электрон – дырка
| Вес вопроса:
|
|
| +
| Процесс исчезновения свободных пар электронов
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Процесс явления электронов
|
|
|
| | Процесс исчезновения протонов
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Вакантное место в валентной зоне называют
| Секция:
|
|
| | Электроном
| Вес вопроса:
|
|
| | Протоном
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| Дыркой
|
|
|
| | Электрическим зарядом
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| При температуре абсолютного нуля и при отсутствии примеси в кристалле что происходит?
| Секция:
|
|
| +
| Все валентные электроны участвуют в межатомных связях и полностью заполняют все энергетические уровни в валентной зоне
| Вес вопроса:
|
|
| | Все валентные дырки участвуют в межатомных связях и полностью заполняют все энергетические уровни
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | В зоне проводимости остаются электроны
|
|
|
| | В зоне проводимости остаются дырки
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Что такое донорные примеси?
| Секция:
|
|
| +
| Примесь, способную отдавать электроны
| Вес вопроса:
|
|
| | Примесь, способную отдавать свой заряд
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Примесь, которые не разработанные
|
|
|
| | Примесь, способную отдавать протоны
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Акцепторный примесь:
| Секция:
|
|
| +
| Примесь, введение которой обусловливает образование дырок в валентной зоне
| Вес вопроса:
|
|
| | Примесь, введение которой обусловливает образование электронов в валентной эоне
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Примесь, введение которой обусловливает образование электронов в зоне проводимости
|
|
|
| | Примесь, введение которой обусловливает образование электронов
|
|
|
| | 5)Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Что такое электронно – дырочный переход?
| Секция:
|
|
| | Контакт на границе двух соседних областей проводников
| Вес вопроса:
|
|
| +
| Контакт на границе двух соседних областей полупроводников
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Контакт, который происходит в магнитном поле
|
|
|
| | Переход между двумя электронами
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Зависимость тока диффузии от прямого напряжения равна:
| Секция:
|
|
| +
| 
| Вес вопроса:
|
|
| | 
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | 
|
|
|
| | 
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Зависимость тока диффузии от обратного напряжения равна:
| Секция:
|
|
| | Нет верных ответов
| Вес вопроса:
|
|
| |
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | 
|
|
|
| | 
|
|
|
| +
| 
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Где устанавливается контактная разность потенциалов?
| Секция:
|
|
| | В p – области
| Вес вопроса:
|
|
| | В n – области
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| В силу наличия двойного электрического слоя в p – n переходе
|
|
|
| | В электрическом слое
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Где находится запрещенная зона широкой  :
| Секция:
|
|
| | Между атомами
| Вес вопроса:
|
|
| | Между электронами
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| Между валентной и незаполненной зоной проводимости
|
|
|
| | Между валентной зоной и дыркой
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Если к кристаллу приложить внешнее электрическое поле:
| Секция:
|
|
| | То движение электронов станет направленным
| Вес вопроса:
|
|
| +
| То движение электронов и дырок станет направленным
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | То движение дырок станет направленным
|
|
|
| | То движение становится неуправляемым
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Электронно – дырочный переход?
| Секция:
|
|
| | Нет верных ответов
| Вес вопроса:
|
|
| | Контакт на границе трех соседних областей, одна обладает электропроводностью n – типа, а другая электропроводностью p – типа
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Контакт на границе трех соседних областей n – p – n типа
|
|
|
| | Контакт на границе трех соседних областей n – p – n-r типа
|
|
|
| +
| Контакт на границе двух соседних областей полупроводников, одна из которых обладает электропроводностью n – типа, а другая электропроводностью p- типа
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В p – n переходе ток диффузий:
| Секция:
|
|
| | 
| Вес вопроса:
|
|
| | 
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | 
|
|
|
| +
| 
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Выпрямительные диоды большой мощности называют:
| Секция:
|
|
| | полупроводниковые стабилитроны
| Вес вопроса:
|
|
| +
| силовыми вентилями
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | максимальные мощности
|
|
|
| | силовыми вентиляторами
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Для повышения допустимого обратного напряжения выпускают:
| Секция:
|
|
| | Нет верных ответов
| Вес вопроса:
|
|
| | Высоковольтные стабилитроны, в которых несколько диодов включены последовательно
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Высоковольтные варикапы, в которых несколько диодов включены последовательно
|
|
|
| | Высоковольтные тиристоры, в которых несколько диодов включены последовательно
|
|
|
| +
| Высоковольтные столбы, в которых несколько диодов включены последовательно
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Высокочастотные диоды работают:
| Секция:
|
|
| | Они могут работать как стабилитроны
| Вес вопроса:
|
|
| | Как выпрямитель переменного тока низкого диапазона частот
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Как выпрямитель тока среднего (до несколько килогерц и до 1 мегагерц)
|
|
|
| +
| Как выпрямитель переменного тока широкого диапазона частот (до несколько сотен мегагерц и до десятков гигагерц)
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Высокочастотные диоды где применяются?
| Секция:
|
|
| | В детекторах
| Вес вопроса:
|
|
| +
| В модуляторах, детекторах и других нелинейных преобразователях электрических сигналов
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Только в детекторах
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
| | Только в линейных цепях
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| .Импульсные диоды являются:
| Секция:
|
|
| | Разновидностью высокочастотных диодов
| Вес вопроса:
|
|
| +
| Разновидностью высокочастотных диодов предназначены для использования в качестве ключевых элементов быстродействующих импульсных схемах
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | В качестве выпрямителя
|
|
|
| | силовыми вентилями
|
|
|
| | максимальные мощности
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Импульсные диоды должны обладать:
| Секция:
|
|
| | максимальным временем переходных процессов при включений и выключений.
| Вес вопроса:
|
|
| | минимальным временем переходных процессов при включений и выключений.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| В использование в качестве ключевых элементов в быстродействующих импульсных схемах.
|
|
|
| | В использование как детектора.
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Стабилитроны предназначены:
| Секция:
|
|
| +
| для стабилизаций уровня постоянного напряжения.
| Вес вопроса:
|
|
| | для стабилизаций уровня постоянного сопротивления.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | для стабилизаций уровня постоянного объема.
|
|
|
| | для стабилизаций уровня постоянного импульса
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| У стабилитрона напряжение на которых в области электрического пробоя:
| Секция:
|
|
| | слабо зависит от тока
| Вес вопроса:
|
|
| +
| сильно зависит от тока
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | сильно зависит от объема
|
|
|
| | сильно зависит от сопротивления
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В случае превышения значения Uобр.пр происходит пробой p-nперехода.
| Секция:
|
|
| | при этом обратный ток резко уменьшает при почти неизменном обратном напряжении
| Вес вопроса:
|
|
| | при этом обратный ток резко уменьшается
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| при этом обратный ток резко возрастает, при почти неизменном обратном напряжении
|
|
|
| | при этом обратные напряжение резко уменьшает при почти неизменном обратном токи.
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| При Uобр. > Uобр.пр электрическое поле в p-nпереходе становится столь сильным:
| Секция:
|
|
| | что в состоянии сообщить носителям заряда энергию, достаточную для ударной ионизации нейтральных атомов
| Вес вопроса:
|
|
| +
| что в состоянии сообщить носителям заряда энергию недостаточную для ударной ионизации нейтральных атомов
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | энергия носителей заряда критической, поэтому нейтральные атомы исчезают
|
|
|
| | что энергия носителей заряда очень маленькое, поэтому нейтральные атомы
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| У стабилитрона во время ударной ионизаций нейтральных атомов возникают:
| Секция:
|
|
| +
| дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает лавинообразно (лавинный пробой)
| Вес вопроса:
|
|
| | дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает лавинообразно.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает тунеллообразно
|
|
|
| | дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает электрообразно (электрический пробой)
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Если обратный ток через стабилитрон не превышает некоторого значения Jст. max:
| Секция:
|
|
| +
| то лавинный пробой не приводит к выходу из строя диода и ток в цепи может протекать длительное время.
| Вес вопроса:
|
|
| | то туннельный пробой не приводит к выходу из строя диода и ток в цепи может протекать длительное время.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | то электрический пробой не приводит к выходу из строя диода и ток в цепи может протекать длительное время.
|
|
|
| | то лавинный пробой не приводит к выходу из строя диода
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В качестве исходного материала при изготовлении стабилитронов использует:
| Секция:
|
|
| | мышьяк
| Вес вопроса:
|
|
| | индий
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| кремний
|
|
|
| | арсенида галлий
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Стабилизацию низковольтного напряжения равна:
| Секция:
|
|
| +
| 0,3 – 2,0 В
| Вес вопроса:
|
|
| | 0,3 – 3,5 В
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | 0,2 – 2,7 В
|
|
|
| | 0,3 – 1,0 В
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Какие диоды называют стабисторами:
| Секция:
|
|
| +
| которая у кремневых диодов с высокой концентрацией примеси в n –области, почти параллельна оси токов.
| Вес вопроса:
|
|
| | у кремневых диодов с низкой концентрацией примеси
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | у кремневых диодов, с высокой концентрацией примеси в p –области
|
|
|
| | с низкой концентрацией примеси в p –области.
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Основными параметрами стабилитронов являются:
| Секция:
|
|
| | коэффициент стабилизаций.
| Вес вопроса:
|
|
| | коэффициент стабилизаций, напряжение.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| напряжение Uст. при указанном номинальном токе Jст.ном, при Jст.min, при Jст.мах, динамическое сопротивление, температурный коэффициент напряжения стабилизаций αст.
|
|
|
| | напряжение Uст. при указанном номинальном токе Jст.ном, при Jст.мах, при Jст.мах
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Динамическое сопротивление стабилитрона:
| Секция:
|
|
| | Rg = υ Uст./ υ Jст.
| Вес вопроса:
|
|
| +
| Rg = υ Uст * α / υ Jст.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Rg = υ Jст. / υ Uст
|
|
|
| | Rg = υ Uст / υ Jст
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Температурный коэффициент напряжения стабилизаций:
| Секция:
|
|
| | специально сконструированные проводниковые диоды, применяемые в качестве конденсаторов.
| Вес вопроса:
|
|
| +
| специально сконструированные полупроводниковые диоды, применяемые в качестве конденсаторов переменной емкости.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | сконструированные диоды применяемые в качестве колебательного контура
|
|
|
| | специально сконструированные полупроводниковые диоды.
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В варикапах используется:
| Секция:
|
|
| +
| туннельная емкость
| Вес вопроса:
|
|
| | электрическая емкость
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | барьерная емкость
|
|
|
| | диффузионная емкость
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В варикапах толщина p – nперехода:
| Секция:
|
|
| | d= 
| Вес вопроса:
|
|
| | d =  
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | D= 
|
|
|
| +
| d= 
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В варикапах барьерная емкость:
| Секция:
|
|
| | 
| Вес вопроса:
|
|
| |  
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| 
|
|
|
| | 
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В варикапах барьерная емкость:
| Секция:
|
|
| +
|
| Вес вопроса:
|
|
| |
| Перемешивать ответы:
| +
|
| |
|
|
|
| |
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Туннельные диоды представляют собой полупроводниковые диоды:
| Секция:
|
|
| | на основе низколегированного полупроводникового материала.
| Вес вопроса:
|
|
| | изготовляемые на основе высоколегированного полупроводникового материала, вольт – амперные характеристики имеет положительной дифференциальной проводимости
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| изготовляемые на основе высоколегированного полупроводникового материала, вольт – амперные характеристики которых имеют при прямом включении участки отрицательной дифференциальной проводимости.
|
|
|
| | которые вольт – амперные характеристики имеет отрицательной интегральной проводимости.
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Стандартные графические обозначения полупроводниковых диодов.      
а) б) в) г) д) ж)
| Секция:
|
|
| | а) стабилитрон вторичний
б)стабилитрон односторонний, в)обращенный диод, г)туннельный диод, д)выпрямительный диод, ж)варикап.
| Вес вопроса:
|
|
| | а)стабилитрон односторонний, б) варикап в) туннельный диод, г)выпрямительный, д) варикап, ж) стабилитрон двухсторонний,
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| а) варикап, б) стабилитрон двухсторонний, в) стабилитрон односторонний, г) обращенный диод, д) туннельный, ж) выпрямительный.
|
|
|
| | а) выпрямительный, б) туннельный, в) обращенный, г) стабилитрон односторонний, д) стабилитрон двухсторонний, ж) варикап.
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Биполярный транзистор является:
| Секция:
|
|
| | Нет верных ответов
| Вес вопроса:
|
|
| +
| усиление мощности электрических сигналов, представляет собой полупроводниковый прибор с тремя чередующихся слоями разной электропроводности.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | усиление мощности электрических сигналов, представляет собой полупроводниковый прибор с четырьмя чередующимися слоями.
|
|
|
| | усиление мощности электрических сигналов, с двумя чередующимися слоями
|
|
|
| | усиление мощности электрических сигналов.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В зависимости от механизма электропроводности внешних слоев различают транзисторы делятся:
| Секция:
|
|
| +
| p – n – nтипа, n – n – pтипа
| Вес вопроса:
|
|
| | p – n – p, n – p – nтипа
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | n – p – n, n – n – pтипа
|
|
|
| | p – p – n, p – n – rтипа
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| В транзисторе внешний слой монокристалла, предназначенный для инжектирования (внедрения) носителей заряда в базу называют:
| Секция:
|
|
| | запрещенной зоной
| Вес вопроса:
|
|
| | эмиттером
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | экстракцией
|
|
|
| +
| коллектором
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| База является:
| Секция:
|
|
| | областью, управляющей током через коллектор
| Вес вопроса:
|
|
| | областью, управляющей током через эмиттер.
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| областью, управляющей током через транзистор, так как меняя напряжение между базой и эмиттером, можно управлять плотностью тока инжекции и экстракции
|
|
|
| | областью, управляющей током через p – nперехода.
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Что такое процесс инвертирование?
| Секция:
|
|
| | преобразование переменного тока в постоянных требуемых напряжения и частоты
| Вес вопроса:
|
|
| | обратное выпрямление
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| преобразование постоянного тока в переменных требуемых напряжения и частоты
|
|
|
| | установка средней мощности
|
|
|
| | нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Внутренним фотоэффектом называют:
| Секция:
|
|
| | уменьшение проводимости полупроводника
| Вес вопроса:
|
|
| +
| увеличение проводимости полупроводника под действием электромагнитного излучения
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | поток нейтронов
|
|
|
| | поток ионов
|
|
|
| | нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Что является общим электродом для входной и выходной цепей транзистора?
| Секция:
|
|
| | п-р переход
| Вес вопроса:
|
|
| | эмиттер
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | коллектор
|
|
|
| +
| База
|
|
|
| | р-п переход
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| При изменении α от 0.95 до 0.99 коэффициент β изменяется в пределах:
| Секция:
|
|
| +
| 20-40
| Вес вопроса:
|
|
| | 20-100
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | 10-150
|
|
|
| | 10-55
|
|
|
| | 10-180
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| У транзистора сколько переходов?
| Секция:
|
|
| |
| Вес вопроса:
|
|
| +
|
| Перемешивать ответы:
| +
|
| |
|
|
|
| |
|
|
|
| | нет правильных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| .Как разрывается ковалентная связь?
| Секция:
|
|
| | при повышении температуры
| Вес вопроса:
|
|
| | при уменьшении температуры
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | при лабиннообразном процессе
|
|
|
| +
| при температуре выше абсолютного нуля
|
|
|
| | нет правильных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Какие приборы относятся к тиристорам?
| Секция:
|
|
| | Усилительный п/п прибор с тремя р-п переходами
| Вес вопроса:
|
|
| | Потенциальный прибор
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Униполярный транзистор
|
|
|
| +
| Электропреобразовательный п/п прибор с тремя или более р-п переходами
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Какие сопротивления имеет тиристор?
| Секция:
|
|
| | дифференциальное сопротивление
| Вес вопроса:
|
|
| | положительные сопротивления
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | обратное сопротивление
|
|
|
| +
| отрицательные сопротивления
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Какая возникает положительная связь, когда тиристоре Uа=Uвкл
| Секция:
|
|
| | электра - процесс
| Вес вопроса:
|
|
| | Процесс лавина
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| Процесс туннеля
|
|
|
| | Процесс четырех полюсов
|
|
|
| | нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Вероятность S(W) нахождения свободного электрона в энергетическом состоянии W определяется:
| Секция:
|
|
| | S(W)=E/e-kT
| Вес вопроса:
|
|
| | S(W)=E/(exp(WF-W)/RT+1)
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| S(W)=1/(exp(WF-W)/RT+1)
|
|
|
| | S(W)=1/ (exp(W-WF)/RT+1)
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Концентрация акцепторов равна:
| Секция:
|
|
| | Na= P I +Pэ
| Вес вопроса:
|
|
| | Na= P I +Pp
| Перемешивать ответы:
| +
|
| +
| Na= P I +Pп
|
|
|
| | Na= P I - Pp
|
|
|
| | Na= P I *Pp
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Плотность дырочного дрейфового тока равна:
| Секция:
|
|
| | Inдp = enμр
| Вес вопроса:
|
|
| | Inдp = enμpE
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Inдp = enμn
|
|
|
| +
| Inдp = enμnE
|
|
|
| | Inдp = enμnN
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Чему равна плотность электронного дрейфового тока:
| Секция:
|
|
| +
| Inдp= en  nE
| Вес вопроса:
|
|
| | Inдp= en 
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Inдp= eNE
|
|
|
| | Inдp= μnE
|
|
|
| | Inдp= μnEN
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Какое явление называют пробоем диода?
| Секция:
|
|
| | Отрицательное явление в ВАХ
| Вес вопроса:
|
|
| | Обратное напряжение диода достигает минимальное значение
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Положительное напряжение диода
|
|
|
| +
| Когда обратное напряжение диода достигает определенного критического значения, ток диода резко возрастает
|
|
|
| | Нет правильных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Градиент концентрации неравновесных носителей заряда в базе транзистора равна:
| Секция:
|
|
| | δP/δx=-(P k –Pn)/w
| Вес вопроса:
|
|
| | δP/δx=-(P э –Pn)/w
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | δP/δx=-(P k –Pn)/w
|
|
|
| +
| δP/δx=-(P k –Pn)/w
|
|
|
| | δP/δx=-(P k –Pn)/w
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Концентрация дырок в базе у эмиттерного перехода равна:
| Секция:
|
|
| | Рэ=Рe 
| Вес вопроса:
|
|
| | Рэ=Рexp 
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Рэ=РexpN
|
|
|
| +
| Рэ=РпexpxUэб
|
|
|
| | Рэ=Рe-N 
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Концентрация дырок в базе у коллекторного перехода равна:
| Секция:
|
|
| +
| Рк=РпexpUкб
| Вес вопроса:
|
|
| | Рк=Рпexp 
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | Рк=Рпexp(-  Uкб)
|
|
|
| | Нет верных ответов
|
|
|
| | Рк=Рke-ru
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Состояние равновесия диффузионного и дрейфового тока в базе:
| Секция:
|
|
| |
Нет верных ответов
| Вес вопроса:
|
|
| +
| eДdn/dx + enynE=0
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | eДdn/dx - enynE=0
|
|
|
| | eДdn/dx - enyn=0
|
|
|
| | eДdn/dx + enynN=0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Напряженность электрического тока в базе дрейфового транзистора:
| Секция:
|
|
| | E=-kt/e
| Вес вопроса:
|
|
| +
| E=-kt/e1/w
| Перемешивать ответы:
| +
|
| | E=kt/e*1/N
|
|
|
| | E=-kt/e*1/wln(Nэ/Nk)
|
|
|
| | нет верных ответов
|
|
|
|
|
|
|
|
<
