Студопедия — Учитесь читать. Текст 2.1. Прочитайте текст
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Учитесь читать. Текст 2.1. Прочитайте текст






Текст 2.1. Прочитайте текст. Скажите, что вы узнали о silicon, active and passive elements. Прочитайте текст еще раз. Озаглавьте его. Данные ниже слова/словосочетания помо­гут вам понять текст.

1. far from being-далеко от; 2. at all —вообще; 3. abun­dance — множество

All the components of the circuit must be fabricated in a crys­tal of silicon or on the surface of the crystal. Silicon is far from being ideal material for these functions and only modest values of resistance and capacitance can be achieved. Practical microelec­tronic inductors cannot be formed at all. On the other hand, sili­con is a material without equal for the fabrication of transistors, and the abundance of these active components in microelectronic devices more than compensates for the shortcomings of the pas­sive elements.

Текст 2.2. Переведите текст письменно без словаря. Время перевода —10 минут. Значения выделенных слов вы сможете понять из контекста.

 

HBTs

Most recently research efforts have led to the fabrication of hetero-junction bipolar transistors (HBTs) based on GaAs and other Ш-V compounds. These new devices offer the prospect of obtaining performance features similar to those of Si bipolar tran­sistor translated to substantially higher frequency.

HBTs have large amounts of current and power gain and mil­limeter-wave frequencies.

Devices are fabricated on semi-insulating GaAs substrates and may be monolithically integrated, together with thin-film resistors and Shottky diodes, using conventional GaAs IC techniques.

Their current handling capability input voltage dc matching, breakdown voltage, and I/O noise are potentially better than those for GaAs FETs. Based on these characteristics, HBTs are ex­pected to have bright future in microwave/miUimeter-wave ICs.

 

МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ ВНЕАУДИТОРНОЙ РАБОТЫ

 

(ПОСЛЕ ПЕРВОГО ЗАНЯТИЯ)

 

Изучите следующие гнезда слов и словосочетаний.

1. feature n 1. особенность; свойство; 2. деталь

feature size размеры элемента

feature v 1. изображать, показывать; 2. быть характерной чертой

2. exhibit у 1. показывать, проявлять; 2. экспонировать

exhibition n 1. показ; 2. выставка

3. vulnerability n уязвимость

vulnerable а уязвимый

4. processibiliry n возможность обработки

processing n обработка

process n 1. процесс; 2. способ

process v обрабатывать processor л процессор

5. available a 1. доступный; имеющийся в распоряжении; 2. (при)годный

availability n 1. наличие; 2. пригодность

6. enhance v повышать; увеличивать; усиливать

7. delay n 1. задержка, препятствие; 2. замедление

delay v 1. задерживать; 2. откладывать

8. significant а важный; значимый significance n важность; значение

9. determine v 1. определять, устанавливать; 2. решать; 3. за­ставлять; 4. ограничивать

determination n 1. определение; решение; 2. установление

10. level n 1. уровень; 2. плоская горизонтальная поверх­ность

level a 1. одинаковый; 2. горизонтальный

level v выравнивать; уравновешивать

11. net n 1. сеть; 2. схема, цепь

network n 1. схема, цепь; 2. сеть

12. appreciable а заметный, ощутимый

appreciate v 1. оценивать, ценить; 2. различать

13. related а связанный; относящийся

relate v связывать; относиться

relationship n отношение

14. subtle a 1. тонкий; 2. острый; 3. искусный

15. design n 1. проект, план; 2. конструкция, разработка; 3. рисунок, эскиз; 4. расчет

design v 1. проектировать, конструировать; 2. предназна­чать

designer n конструктор, проектировщик

computer-aided design автоматизированное проектиро­вание

block design блочная конструкция

fault-tolerant design отказоустойчивая конструкция

geometry design топологическое проектирование схем

on-line circuit design оперативное проектирование схем

option design проектирование с выбором вариантов

16. tailor v приспосабливать, подгонять

tailoring n подгонка, подстройка

field tailoring подстройка поля

17. intrinsic a 1. присущий, свойственный; 2. существенный; внутренний; 3. собственный (об электропроводниках)

extrinsic а примесный (об электропроводниках)

18. suitable a 1. подходящий, соответствующий; 2. годный

suit v 1. удовлетворять требованиям; 2. соответствовать

19. common a 1. общий; 2. простой, обыкновенный; 3. рас­пространенный

in common вместе

commonly adv обычно

20. contribution n 1. вклад; 2. содействие; участие; 3. сотруд­ничество; работа; статья, доклад

contribute v 1. содействовать, способствовать; 2. делать вклад; 3. принимать участие, сотрудничать

contributor n 1. автор статьи; 2. содействующий

21. rectification n 1. выпрямление; 2. детектирование

rectify v 1. выпрямлять; 2. детектировать

barrier-layer rectification выпрямление на обедненном слое

diode rectification диодное детектирование

rectifier n 1. выпрямитель; 2. диод

tunnel rectifier выпрямитель на туннельном диоде

22. occur v 1. происходить, случаться; 2. приходить на ум; 3. встречаться, попадаться

occurrence n 1. случай; 2. наличие; 3. местонахождение, распространение; 4. возникновение failure occurrence возникновение отказа

23. turn v 1. вращаться; 2. обращаться, прибегать; 3. сосредо­точивать, направлять; 4. приводить в какое-л. состояние

turn n 1. поворот; 2. изменение; 3. очередность

in turn по очереди

24. amplifier n усилитель

bulk-effect amplifier усилитель на основе объемного эф­фекта

charge-transfer amplifier усилитель на ППЗ

off-chip amplifier навесной (внешний) усилитель

on-chip amplifier усилитель на одном кристалле с дру­гой схемой

sample-and-hold amplifier усилитель выборки и хране­ния

sense amplifier усилитель считывания

amplify v усиливать; увеличивать

25. alternately adv попеременно

alternate a 1. чередующийся; 2. другой

alter v чередовать; изменяться

alternating а переменный

26. trace v 1. прослеживать; 2. проводить линию; 3. относить к; относить на счет

trace n 1. след; 2. незначительное количество

traceability: batch traceability возможность контроля последовательности технологической обработки пар­тии (пластин)

27. grain n кристалл; гранула; зерно

grain v гранулировать

columnar grain зерно цилиндрической формы

28. recognize v 1. узнавать; 2. признавать

recognizable а могущий быть узнанным

recognition n 1. узнавание; опознавание; 2. признание

29. immense a 1. огромный; 2. необъятный

immensely adv очень, чрезвычайно

30. reason v 1. обсуждать; рассуждать; 2. резюмировать

reason n причина; основание

reasonable а умеренный; приемлемый

31. trap n ловушка; центр захвата

carrier-trap центр захвата носителей

electron trap электронная ловушка, центр захвата элек­тронов

trap v захватывать

32. affect v оказывать влияние, воздействовать

affected а нарушенный, поврежденный

33. additionally adv дополнительно

additional а дополнительный

addition n 1. дополнение; 2. сложение

in addition to 1. дополнительно, кроме того

add v прибавлять; дополнять

34. purity n чистота; беспримесность

impurity n примесь

pure а чистый, беспримесный

purely adv исключительно; полностью; совершенно, вполне

purify v очищать

35. perfection n 1. завершенность, законченность; 2. совер­шенство

perfect a 1. законченный; 2. идеальный

perfect v 1. заканчивать; 2. совершенствовать

perfectly adv совершенно

36. acceptor n 1. акцептор; 2. акцепторная примесь

accept v 1. принимать; 2. допускать; соглашаться

acceptable а приемлемый; допустимый

37. witness v 1. быть свидетелем; 2. свидетельствовать

38. gain v 1. получать; приобретать; 2. увеличиваться; 3. извлекать пользу

gain n 1. увеличение, прирост; 2. прибыль; 3. выигрыш; 4. коэффициент усиления

collector-to-base current gain коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером

current gain усиление по току

logic gain нагрузочная способность логической ИС

speed gain выигрыш в быстродействии

39. commercial a 1. торговый; 2. выгодный; 3. имеющийся на рынке

commerce n торговля

40. attributable а причастный; характерный

attribute n свойство, характерный признак, черта

attribute v относить; приписывать

41. soften v размягчать

soft a 1. мягкий; 2. ковкий; гибкий

software n математическое обеспечение ЭВМ

42. wafer n 1. полупроводниковая пластина; 2. пластинка; плата; подложка; 3. кристалл, ИС

bipolar wafer п/п пластина с биполярными интеграль­ными структурами

building-block wafer п/п пластина с сформированными конструктивными блоками

customed wafer п/п пластина с базовыми кристаллами

etch-separated wafer п/п пластина, разделяемая на кри­сталлах методом травления

flat-wafer пластина с плоскопараллельными поверхно­стями

process development wafer тестовая пластина, приме­няемая при разработке технологического процесса

wafering n резка п/п слитков на пластины

wafertrack n автоматизированная система обработки п/п пластин, управляемая микропроцессором

43. vapour n пар, пары

dopant vapour пары легирующей примеси

vaporization n испарение; парообразование

44. durable a 1. прочный; 2. длительный, долговременный

durability n 1. прочность; 2. продолжительность, срок службы

duration n продолжительность

45. adhere v 1. прилипать; 2. придерживаться чего-л.

adherence n 1. соединение, сцепление; 2. соблюдение

adhesion n прилипание, сцепление

adhesive n 1. клей, адгезив; 2. адгезия

46. mask n фотошаблон, маска; маскирующий слой

mask v маскировать

deposition mask шаблон для формирования металлиза­ции

doping mask шаблон для формирования легированных областей

evaporation mask маска для напыления

exposure mask 1. фотошаблон; 2. фоторезистный мас­кирующий слой

in situ mask локальная маска

master mask эталонный оригинал фотошаблона

metal-on-glass mask металлизированный фотошаблон

moving mask свободная маска

overlaid mask маска на п/п пластине

production mask рабочий шаблон

self-aligned mask самосовмещенный шаблон

maskant n материал для формирования маскирующего слоя

47. dopant n легирующая примесь; диффузант

donor dopant донорная примесь

implanted dopant ионноимплантируемая примесь

impurity dopant легирующая примесь

spin-on dopant примесь, наносимая на поверхность п/п

doped а легированный

doper n установка для легирования

dope v легировать

doping n легирование

48. band n 1. полоса частот; 2. лента, тесьма

49. gap n 1. промежуток, интервал; 2. пробел, пропуск; 3. раз­рыв, зазор

band gap запрещенная зона

direct gap запрещенная зона с прямыми переходами

graded band gap плавно изменяющаяся запрещенная зона

mask gap зазор между фотошаблоном и п/п пласти­ной

proximity gap микрозазор

50. permit v позволять; разрешать

permission n разрешение

permissible а разрешаемый, допустимый

51. impermeable a непроницаемый

permeate v проникать

52. coating n 1. покрытие, слой; 2. нанесение покрытия

dip coating нанесение покрытия методом погружения

53. overlayer n покрытие, верхний слой

layer n слой, пласт; пленка

lay v 1. класть, положить; 2. излагать, формулировать; 3. составлять план

barrier layer запирающий слой

buried layer скрытый слой

cap layer герметизирующий слой

evaporated layer напыленный слой

host layer исходный слой

multiple layer многослойная пленка

registered layers совмещенные слои

sandwiched layers слои трехслойной структуры

supported semiconductor layer п/п слой на подложке

layout n топология; разработка топологии

54. detrimental а вредный, нежелательный

detriment n вред

55. maintain v 1. поддерживать, сохранять; 2. обслуживать; 3. продолжать; 4. утверждать

maintenance n 1. уход, ремонт; 2. поддержка; 3. обслужи­вание

56. range n 1. ряд; цепь; 2. область распространения; 3. пре­дел, диапазон; 4. протяженность

range v 1. классифицировать; 2. колебаться в пределах; 3. тянуться, распространяться

57. specification n 1. спецификация, инструкция; 2. подроб­ность

specify v 1. точно определять; 2. давать спецификацию

specific a 1. характерный; 2. точный; 3. удельный

58. stringent а строгий, точный

59. refinement n 1. усовершенствование; 2. очистка

refine v 1. совершенствовать; 2. очищать

refined а очищенный

60. inherently adv по существу; по своей природе

inherent а присущий, свойственный

inherit v унаследовать

61. opportunity n возможность

62. explicit a: to be explicit зд. ясно проявиться

63. conventional а 1. общепринятый; 2. стандартный; 3. обычный

64. sufficients a достаточный

sufficiently adv достаточно

 







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 598. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Ситуация 26. ПРОВЕРЕНО МИНЗДРАВОМ   Станислав Свердлов закончил российско-американский факультет менеджмента Томского государственного университета...

Различия в философии античности, средневековья и Возрождения ♦Венцом античной философии было: Единое Благо, Мировой Ум, Мировая Душа, Космос...

Характерные черты немецкой классической философии 1. Особое понимание роли философии в истории человечества, в развитии мировой культуры. Классические немецкие философы полагали, что философия призвана быть критической совестью культуры, «душой» культуры. 2. Исследовались не только человеческая...

Экспертная оценка как метод психологического исследования Экспертная оценка – диагностический метод измерения, с помощью которого качественные особенности психических явлений получают свое числовое выражение в форме количественных оценок...

В теории государства и права выделяют два пути возникновения государства: восточный и западный Восточный путь возникновения государства представляет собой плавный переход, перерастание первобытного общества в государство...

Закон Гука при растяжении и сжатии   Напряжения и деформации при растяжении и сжатии связаны между собой зависимостью, которая называется законом Гука, по имени установившего этот закон английского физика Роберта Гука в 1678 году...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия