Методические указания. 1. При выполнении п. 4 используют:1. При выполнении п. 4 используют: — генератор тока стенда; — АВМ1 на пределе измерения «10 мА»; — АВМ2 на пределе измерения «1 В»; — туннельный диод АИ301Г (или обращенный АИ402Г). 2. Высокое выходное сопротивление ГТ не позволяет снимать падающий участок ВАХ туннельного диода, поэтому прямую ветвь ВАХ снимают в такой последовательности: осторожно увеличивают от нуля ток ГТ, следя за показаниями прибора PV1. При достижении пика ВАХ происходит скачкообразный переброс стрелки этого прибора, определяемый разностью напряжений т. е. диод оказывается в режиме, соответствующем диффузионной ветви ВАХ; осторожно снижают ток ГТ, следя за показаниями прибора PV1. При токе I в происходит обратный переброс стрелки, т. е. диод оказывается в режиме, соответствующем первой восходящей ветви ВАХ. Эти операции выполняют несколько раз, уточняя параметры туннельного диода в точках пика и впадины его ВАХ. При построении ВАХ точки пика и впадины следует соединить пунктирной линией. 3. При выполнении п. 5 в качестве используют генератор ГН1 стенда, на выходе которого перед измерениями устанавливают по ИВ стенда нулевое напряжение (переключатель ИВ следует перевести в положение «ГН1 1 В»). Остальные приборы те же, что и при выполнении п. 4. 4. Вольт-амперную характеристику обращенного диода снимают аналогично.
Контрольные вопросы 1. Из каких полупроводниковых материалов изготовляют туннельные и обращенные диоды? 2. В чем состоит туннельный эффект? При каких условиях возникают прямой и обратный туннельные токи? 3. Каков физический смысл отрицательного сопротивления? 4. Чем туннельный диод отличается от обращенного?
|