Ионное легирование

Ионное легирование – это технологическая операция введения примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки ионами примесей.

Получение ионов, их ускорение и фокусировку производят в специальных вакуумных установках.

Пар легирующих элементов поступают в ионизационную камеру, где возбуждается высокочастотный или дуговой электрический разряд. Образовавшиеся ионы (P⁺, As⁺,B⁺ и др.) вытягиваются из камеры с помощью экстрагирующего электрода, на который подается высокий отрицательный потенциал 10 – 20 кВ, и поступают в магнитный масс-сепаратор. Принцип действия масс-сепаратора основан на зависимости траектории движения иона в постоянном поперечном магнитном поле от его массы. Поэтому на выход попадают только нужные ионы. Ионы ускоряются в электрическом поле (с напряжением до 300 кВ) и фокусируются в пучок с плотностью тока до 100 А/м² и площадью сечения 1 – 2 мм². Пучок сканируют по пластине, облучая всю ее поверхность.

Локальное легирование производится через маску SiO₂ или Si₃N₄ толщиной около 0,5 мкм, превышающей длину пробега ионов в этих материалах.

Ввиду того, что пучок перпендикулярен поверхности и боковое рассеяние ионов мало, горизонтальные размеры легированной области точно соответствуют отверстию в маске – рис. 4.5.

 

 

Рис. 4.5. Образование p-n перехода

при ионном легировании

 

В этом преимущества метода по сравнению с легированием путем термической диффузии, так как позволяет получать окна меньших размеров (для этого нужно сравнить рис. 4.1. и 4.5). Возможно локальное легирование без маски путем сканирования остросфокусированным ионным пучком, который может включаться и выключаться по заданной программе.

На рис. 4.6 изображено распределение концентраций бора N_а (x) для одинаковой дозы легирования N_л.а., но разных энергий ионов.

 

 

 

Рис. 4.6. Распределение примеси по глубине пластины при ионном легировании

 

Длина пробега ионов – случайная величина, распределенная по нормальному закону (закон Гаусса), она характеризуется средним значением и среднеквадратичным отклонением σ. Обе величины и σ увеличиваются с ростом энергии ионов.

Положение максимума распределения N_a (x) соответствует , толщина легированного слоя, то есть «ширина» распределения N_a (x), пропорциональна δ, а максимальная концентрация примеси определяется дозой легирования:

 

N_max = N ( _л.а. /√(2πσ).

 

При малой энергии ионов слой р-типа проводимости образуется у поверхности, а его толщина определяется из условия N_a (x₀₁) = N_д, где N_д – исходная концентрация доноров в пластине n- типа (N_д = 5 ∙ 10¹⁶ см^-3). На расстоянии х₀₁ от поверхности образуется p-n переход. При большой энергии ионов слой р-типа располагается на расстоянии x´₀₂ от поверхности и имеет толщину ∆х = ( - ) ~ σ₂. Точки и с соответствуют металлургическим границам p-n переходов.

С ростом энергии ионов увеличивается число радиационных дефектов в кристалле (смещений атомов), поэтому энергию ограничивают 200 кэВ. Значения не превышают 0,5 – 0,7 мкм.

Доза легирования регулируется током ионного пучка и временем легирования (несколько минут). При большой дозе можно получить более высокую концентрацию, чем при диффузии, но это приведет к повышению дефектности кристалла вплоть до разрушения его поверхности и превращения в аморфный кремний. Поэтому дозу ограничивают значениями 10¹⁴ – 10¹⁵ см^-2.

Высокая воспроизводимость параметров легированных слоев достигается постоянством ускоряющего напряжения и тока пучка.

Для снижения числа радиационных дефектов и активации примеси производится отжиг пластин при температурах 600 – 900 ℃. При отжиге смещенные атомы полупроводника возвращаются к положениям равновесия в узлах кристаллической решетки, а примесные атомы перемещаются в позиции атомов замещения, то есть происходит активация, только в этом случае примесные атомы будут вести себя как доноры или акцепторы.

В связи с тем, что глубина легирования при ионной имплантации небольшая, его можно использовать как загонку примеси (первый этап диффузии), а затем провести второй этап легирования – разгонку при высокой температуре (900 – 1000 ℃), совместив ее с отжигом. Такой способ дает возможность получить легированные слои большой толщины при обеспечении более точного дозирования вводимой примеси по сравнению с диффузией.

Ионное легирование широко используется при создании БИС и СБИС. Оно позволяет создавать слои с субмикронными горизонтальными размерами с толщинами порядка 0,1 мкм при высокой воспроизводимости параметров.

Процесс ионного легирования имеет высокую производительность, занимает меньше времени, проводится при более низких температурах в сравнении с диффузией, в связи с чем мало изменяет распределение примеси, полученное на предыдущих этапах.

Этим методом можно внедрять примеси любых элементов, при этом обеспечивается высокая степень чистоты, так как процесс производится в вакууме и используется магнитное сепарирование ионов. Ионное легирование хорошо совместимо с другими вакуумными процессами.

Недостатками ионного легирования являются малая глубина залегания слоев, образование дефектов, не полностью устраняемых отжигом, а также сложность технологического оборудования.

В электронной промышленности ионная имплантация производится на установках типа «Везувий».