Студопедия — Индексы Миллера
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Индексы Миллера






Пусть плоскость отсекает на осях координат отрезки ОА, ОВ и ОС (в единицах периода решетки). Рассчитаем обратные им величины H = 1/ОА, K = 1/ОВ, L = 1/ОС и определим наи­меньшие целые числа с таким же соотношением, как H: K: L = h: k: l. Целочисленные (hkl) называются индексами Мил­лера плоскости.

В кубических кристаллах индексы (100) относятся к плоскости, параллельной осям У и Z; индексы (010) — к плоскости, параллельной осям X и Z, а (001) — к плоскости, параллельной осям X и Y. В кристаллах с ортогональными осями эти плоскости вместе с тем перпендикулярны соответственно осям X, Y и Z.

Для обозначения направлений в кристалле применяют индексы в виде наименьших целых чисел, относящихся между собой как компо­ненты вектора, параллельного данному направлению. В отличие от обозначения плоскостей их пишут в квадратных скобках. В кубических кристаллах эти направления перпендикулярны плоскости с теми же индексами. Положительное направление оси X обозначают [100], положительное направление оси Y — [010], отрица­тельное направление оси Z — [001], диагональ куба — [111] и т.д. Обозначения кристаллографических плоскостей и направлений приведены на рисунке.

Плоскости, отсекающие равные отрезки, но расположенные в других октантах, эквивалентны в кристаллографическом и физико-химическом отношениях. Они образуют совокупность эквивалентных плоскостей – {hkl} или систему плоскостей, у которых h, k, l могут быть записаны в любом порядке и с любым числом минусов перед индексами. Минус записывается над индексом.

Положение направления в пространственной решетке может быть легко определено координатами атома, ближайшего к началу координат и лежащего на данном направлении. Координаты этого узла [[hkl]] и будут индексами Миллера этого направления [hkl].

Совокупность эквивалентных направлений или система направлений обозначается <hkl>, где h, k, l могут быть записаны в любом порядке и с любым числом минусов: <100> ‑ совокупность направлений, параллельных всем ребрам куба; {100} ‑ совокупность плоскостей, параллельных всем граням куба.

 

 

Примеры обозначения кристаллографических

плоскостей и направлений в кубических кристаллах

с помощью индексов Миллера

 

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Щука А.А. Электроника: учеб. пособие / А.А. Щука. СПб.: БХВ-Петербург, 2006.

2. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники / Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин. М.: Радио и связь, 1991.

3. Парфенов О.Д. Технология микросхем / О.Д. Парфенов. М.: Высш. шк., 1986.

4. Лозовский В.Н. Нанотехнология в электронике. Введение в специальность / В.Н. Лозовский, Г.С. Константинова, С.В. Лозовский. СПб.: Лань, 2008.

5. Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. СПб.: Лань, 2003

6. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн.1. Общая технология / И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов, Ю.С. Чернозубов, А.С. Пономарев. М.: Высш.. шк., 1989.

7. Нанотехнологии в электронике / под ред. Ю.А. Чаплыгина. М.: Техносфера, 2005.

 


ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 3

1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 4

1.1. Исторический обзор 4

1.2. Полупроводниковые ИМС 9

1.3. Основные принципы интегральной технологии 13

1.4. Гибридные и совмещенные интегральные схемы 17

1.5. Степень интеграции 20

2. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ 22

2.1. Собственные и примесные полупроводники 22

2.2. Контакт электронного и дырочного

полупроводников (p-n переход) 29

3. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА

ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ИМС. ТИПЫ СТРУКТУР ИМС 32

3.1. Основные этапы технологии ИМС 32

3.2. Выбор полупроводникового материала 32

3.3. Получение полупроводникового материала 33

3.4. Получение полупроводниковых пластин 36

3.5. Получение эпитаксиальных структур 38

3.6. Методы формирования элементов ИМС 39

3.7. Общая характеристика технологического

процесса производства ИМС 41

3.8. Типы структур ИМС 43

3.9. Требования к кремниевым пластинам 56

3.10. Схема технологического процесса 57

3.11. Микроклимат и производственная гигиена 60

4. ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОПЕРАЦИИ

ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ 64

4.1. Термическая диффузия примесей 64

4.2. Ионное легирование 69

4.3. Эпитаксия 74

4.4. Термическое окисление. Свойства пленки

двуокиси кремния 77

4.5. Травление 79

4.6. Нанесение тонких пленок 84

4.7. Проводники соединений и контакты

в полупроводниковых ИМС 91

4.8. Литография 95

ЗАКЛЮЧЕНИЕ 100

ПРИЛОЖЕНИЕ 102

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 104

 

Учебное издание

 

Новокрещенова Елена Павловна

 

ВВЕДЕНИЕ

В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ

 

 

В авторской редакции

 

Подписано к изданию 12.11.2012

 

Объем данных 3,03 Мб

 

ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет»

394026 Воронеж, Московский просп., 14

 

 







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 1544. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...

Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...

Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...

Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Экспертная оценка как метод психологического исследования Экспертная оценка – диагностический метод измерения, с помощью которого качественные особенности психических явлений получают свое числовое выражение в форме количественных оценок...

В теории государства и права выделяют два пути возникновения государства: восточный и западный Восточный путь возникновения государства представляет собой плавный переход, перерастание первобытного общества в государство...

Закон Гука при растяжении и сжатии   Напряжения и деформации при растяжении и сжатии связаны между собой зависимостью, которая называется законом Гука, по имени установившего этот закон английского физика Роберта Гука в 1678 году...

Тема 5. Анализ количественного и качественного состава персонала Персонал является одним из важнейших факторов в организации. Его состояние и эффективное использование прямо влияет на конечные результаты хозяйственной деятельности организации.

Билет №7 (1 вопрос) Язык как средство общения и форма существования национальной культуры. Русский литературный язык как нормированная и обработанная форма общенародного языка Важнейшая функция языка - коммуникативная функция, т.е. функция общения Язык представлен в двух своих разновидностях...

Патристика и схоластика как этап в средневековой философии Основной задачей теологии является толкование Священного писания, доказательство существования Бога и формулировка догматов Церкви...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия