The Deadly Poppy Field

Дата добавления: 2015-08-30; просмотров: 562

МВУ8 имеет восемь встроенных ВЭ (папки ВЭ №1-№8). Для увеличения числа ВЭ используют модуль расширения, параметры ВЭ которого содержатся в папках ВЭ №9-№16.

Модуль расширения МР1 может быть оснащен ВЭ только дискретного типа.

ВЭ прибора могут быть двух типов:

1. Дискретного (маркировка Р, К, С, Т);

К таким ВЭ относятся реле (маркировка Р), симисторные оптопары (С) и транзисторные ключи (К), выходы для управления твердотельным реле (Т).

1.1. Электромагнитное реле (рис. 10) позволяет подключать нагрузку с максимально допустимым током 4 А при напряжении 220 В. На клеммы прибора выведены сухие контакты реле.

Рис. 10. Схема подключения к ВЭ типа Р.

1.2. Транзисторный ключ(рис. 11) применяется, как правило, для управления низковольтным реле (до 60 В). Во избежание выхода из строя транзистора из-за большого тока самоиндукции параллельно обмотке реле Р1 необходимо уста
навливать диод VD1, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 1 А.

Рис. 11. Схема подключения нагрузки к ВЭ типа К.

1.3.

Рис. 12. Схема подключения силового симистора к ВЭ типа С.

Оптосимистор может также управлять парой встречно-параллельно включенных тиристоров VS1 и VS2 (рис. 13). Для предотвращения пробоя тиристоров из-за высоковольтных скачков напряжения в сети к их выводам рекомендуется подключать фильтрующую RC-цепочку (R2C1).

Рис. 13. Схема подключения к ВЭ типа С двух тиристоров, подключенных встречно-параллельно
.

Оптосимистор имеет встроенное устройство перехода через ноль и поэтому обеспечивает полное открытие подключаемых тиристоров без применения дополнительных устройств.

Транзисторный ключ и оптосимистор имеют гальваническую развязку от схемы прибора.

1.4. Выход Т предназначен для непосредственного управления твердотельным реле. Выход не имеет гальванической развязки. Гальваническая развязка прибора и ИМ осуществляется за счет самого твердотельного реле. Схема подключения к входу Т см. рис. 14

2. Аналогового (маркировка И, У).

2.1. ЦАП 4...20 мА(маркировка И). Схему подключения см. на рис. 15.

Для работы ЦАП 4...20 мА используется внешний источник питания постоянного тока, номинальное значение напряжения U_п которого рассчитывается следующим образом:

U_п.min< U_п< U_п.max,

U_п.min=10 B + 0,02A·R_н,

U_п.max = U_п.min + 2,5 B,

где U_п.min, U_п.max – соответственно минимально и максимально допустимое напряжение источника питания, В; R_н – сопротивление нагрузки ЦАП, Ом.

Если напряжение источника питания ЦАП, находящегося в распоряжении пользователя, превышает расчетное значение U_п.max, то последовательно с нагрузкой необходимо включить ограничительный резистор (рис. 15), сопротивление которого R_огр рассчитывается по формулам:

R_огр.min< R< R_огр.max,

R_огр.min = 10³·(U_п - U_п.max) / I_ЦАП.max,

R_огр.max = 10³·(U_п - U_{п. min}) / I_ЦАП.max,

где R_{огр.ном} – номинальное значение сопротивления ограничительного резистора, кОм; R_огр.min, R_огр.max – соответственно минимально и максимально допустимые значения сопротивления ограничительного резистора, кОм; I_{ЦАП. max} – максимальный выходной ток ЦАП, мА.

ВНИМАНИЕ! Напряжение источника питания ЦАП U_п не должно быть более 36 В.

2.2. ЦАП 0...10В (маркировка У). Схему подключения см. на рис. 16.

Рис. 16. Схема подключения нагрузки к ВЭ типа У.

Для работы ЦАП 0...10 В используется внешний источник питания постоянного тока, номинальное значение напряжения которого лежит в диапазоне от 15 до 32 В.

ВНИМАНИЕ!Напряжение источника питания ЦАП 0÷10 В не должно быть более 36 В. Выходной элемент рассчитан на резистивную нагрузку не менее 2 кОм.

ВЭ имеют два параметра:

1. Тип выходного элемента (параметр POUt) – определяет тип ВЭ. Работает в режиме «только чтение»;

2. Период ШИМ при управлении ВЭ из сети (параметр THPD) – используется только в режиме непосредственного управления. Задаётся в секундах.

В режиме интеллектуального управления значения параметров ВЭ не задаются.