Входной тест к УЭ № 3

Выберите правильный ответ.

1. Какое свойство р-n-переходов является основным?

а) свойство симметричной проводимости;

б) свойство односторонней проводимости;

в) вентильное свойство. Р=3

2. Какие носители зарядов принимают участие в образовании тока, когда р-n-переходов смещен обратно (закрыт)?

а) основные;

б) неосновные;

в) основные и неосновные. Р=3

3. Какие диоды называют силовыми вентилями?

а) импульсные диоды;

б) мощные стабилитроны;

в) выпрямительные диоды (I_пр.ср.> 10А). Р=3

4. Какие предельные параметры имеют стабилитроны?

а) U_пр.max.=0, 8¸ 1, 0В; I_пр.ср. =0, 3¸ 10А;

б) U_обр.max.=10¸ 100В; I_обр. =0, 01¸ 1, 0А;

в) U_ст.=1¸ 1000В; I_ст.max. = 50¸ 2000mА. Р=3

 

Общие сведения о транзисторах. Классификация

Транзисторами называют полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и генерирования электрических сигналов, а также для коммутации тока.

Слово «транзистор» происходит от английских слов «transformer of resistance» – «преобразователь сопротивления».

В настоящее время существует много разновидностей транзисторов, различающихся по мощности, диапазону частот, технологии изготовления и даже по принципу действия.

По мощности транзисторы подразделяются на три группы: транзисторы малой мощности – 0, 3 Вт, транзисторы средней мощности – от 0, 3 до 1, 5 Вт, транзисторы большой мощности – свыше 1, 5 Вт.

Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделенная на коллекторе транзистора.

По диапазону частот различают: низкочастотные транзисторы, работающие на частотах до 3 МГц; среднечастотные транзисторы, работающие на частотах от 3 до 30 МГц; высокочастотные транзисторы, работающие на частотах от 30 до 300 МГц; сверхвысокочастотные транзисторы, работающие на частотах более 300 МГц.

По исходному полупроводниковому материалу различают германиевые, кремневые и транзисторы из арсенида галлия. По числу р-n-переходов различают 2-х переходные, трехпереходные транзисторы без инжекции (полевые транзисторы), не имеющие в выходной цепи ни одного р-n-перехода.

По технологии изготовления различают силовые транзисторы, р-n-переходы которых изготавливают путем вплавления, диффузионные транзисторы, путем диффузии в вакууме, выращенные транзисторы, у которых р-n-переходы получают путем введения примесей в процессе выращивания кристалла, мезатранзисторы и планарные транзисторы.

По роду инжектируемых носителей зарядов биполярные транзисторы подразделяют на транзисторы типа р-n-р, у которых инжектируются дырки и транзисторы типа n-p-n, у которых инжектируются электроны.