Входной тест к УЭ № 3Выберите правильный ответ. 1. Какое свойство р-n-переходов является основным? а) свойство симметричной проводимости; б) свойство односторонней проводимости; в) вентильное свойство. Р=3 2. Какие носители зарядов принимают участие в образовании тока, когда р-n-переходов смещен обратно (закрыт)? а) основные; б) неосновные; в) основные и неосновные. Р=3 3. Какие диоды называют силовыми вентилями? а) импульсные диоды; б) мощные стабилитроны; в) выпрямительные диоды (Iпр.ср.> 10А). Р=3 4. Какие предельные параметры имеют стабилитроны? а) Uпр.max.=0, 8¸ 1, 0В; Iпр.ср. =0, 3¸ 10А; б) Uобр.max.=10¸ 100В; Iобр. =0, 01¸ 1, 0А; в) Uст.=1¸ 1000В; Iст.max. = 50¸ 2000mА. Р=3
Общие сведения о транзисторах. Классификация Транзисторами называют полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и генерирования электрических сигналов, а также для коммутации тока. Слово «транзистор» происходит от английских слов «transformer of resistance» – «преобразователь сопротивления». В настоящее время существует много разновидностей транзисторов, различающихся по мощности, диапазону частот, технологии изготовления и даже по принципу действия. По мощности транзисторы подразделяются на три группы: транзисторы малой мощности – 0, 3 Вт, транзисторы средней мощности – от 0, 3 до 1, 5 Вт, транзисторы большой мощности – свыше 1, 5 Вт. Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделенная на коллекторе транзистора. По диапазону частот различают: низкочастотные транзисторы, работающие на частотах до 3 МГц; среднечастотные транзисторы, работающие на частотах от 3 до 30 МГц; высокочастотные транзисторы, работающие на частотах от 30 до 300 МГц; сверхвысокочастотные транзисторы, работающие на частотах более 300 МГц. По исходному полупроводниковому материалу различают германиевые, кремневые и транзисторы из арсенида галлия. По числу р-n-переходов различают 2-х переходные, трехпереходные транзисторы без инжекции (полевые транзисторы), не имеющие в выходной цепи ни одного р-n-перехода. По технологии изготовления различают силовые транзисторы, р-n-переходы которых изготавливают путем вплавления, диффузионные транзисторы, путем диффузии в вакууме, выращенные транзисторы, у которых р-n-переходы получают путем введения примесей в процессе выращивания кристалла, мезатранзисторы и планарные транзисторы. По роду инжектируемых носителей зарядов биполярные транзисторы подразделяют на транзисторы типа р-n-р, у которых инжектируются дырки и транзисторы типа n-p-n, у которых инжектируются электроны.
|