Решение. 2. Рассчитайте калорийность 150 гр

 

2. Рассчитайте калорийность 150 гр. творога, имеющего состав: белки – 14,0%; жиры – 18,0%; углеводы – 1,3%.

 

3. Энтропия: что это такое? В реакциях а и б без расчета оцените изменение энтропии

а) 4HCl_(г) + О_{2 (г)} ® 2Н₂О_(г) + 2Cl_2(г)

 

б) Fe₂O_3(т) + 3CO_(г) ® 2Fe_(т) + 3CO_{2 (г)}

 

4. Определите возможность самопроизвольного протекания реакции при 250⁰С:

 

NH_3(г) + HCl_(г) ® NH₄Cl_(т)

Какой фактор: энтальпийный или энтропийный оказался решающим?

 

5. Для реакции: 2N_{2 (г)}+ O₂ → 2N₂O _(г)

запишите кинетическое уравнение и рассчитайте, во сколько раз изменится скорость реакции (увеличится, уменьшится) при повышении давления в системе в 2 раза.

 

6. Как зависит скорость реакции от температуры? Приведите график такой зависимости.

 

7. Приведите выражение константы равновесия для обратимой реакции:

 

2SO_{2 (г)} + O_2(г) 2SO_{3 (г)}

 

При некоторых условиях константа равновесия = 23. Что можно сказать о концентрации исходных веществ и продуктов реакции в реакционной смеси?

 

8. Рассчитав тепловой эффект реакции:

 

2Н₂О_(г) 2Н_2(г) + О_2(г)

определите, куда сместится равновесие при повышении температуры.

 

9. Имеются водные растворы одинаковой концентрации:

а) глюкозы;

б) поваренной соли,

Оцените температуры кипения этих растворов согласно закону Рауля.

 

10. Сколько граммов глицерина (М = 92 г/моль) следует растворить, чтобы получить 310 мл раствора, изотоничного крови при 37⁰С? Нарисуйте состояние эритроцита в таком растворе.

 

 

Контрольная работа № 1 по общей химии

 

Вариант № 3

 

1. Для изображенной системы приведите математическое выражение I начала термодинамики и его формулировку:

 

2.Никто не будет сжигать алмаз, чтобы определить энтальпию его сгорания. Используя закон Гесса, рассчитайте энтальпию сгорания алмаза, если энтальпия сгорания графита равна – 393 кДж/моль, а теплота фазового перехода С(графит) → С(алмаз) равна 1,9 кДж/моль.

СО2

графит

алмаз

 

Приведите формулировку и математическое выражение закона Гесса

 

3.Рассчитайте, сколько энергии получит лисица, украв у вороны 150г сыра (23% белков, 30% жиров).

 

4. Определите направление самопроизвольного протекания реакции при 100° С

4FeS₂(тв) + 11 O₂(г) 2Fe₂O₃(тв) + 8SO₂(г)

Какой фактор оказался решающим: энтальпийный или энтропийный?

 

5. Напишите кинетическое уравнение для реакции 2А(г) → 3В(г). Рассчитайте, во сколько раз изменится скорость реакции, если давление газа А увеличить в 2 раза

 

6. Энергия активации разложения Н₂О₂ составляет 75кДж/моль, а в присутствии Fe³⁺ 42кДж/моль. Какую роль играют ионы железа: катализатора или ингибитора процесса разложения? Почему?

 

7. Для реакции C₂H₅Br + OH C₂H₅OH + Br

рассчитайте константу равновесия и определите, куда смещено равновесие при следующих

равновесных концентрациях, моль/л:[C₂H₅Br] = 0,1; [OH ] = 0,1; [C₂H₅OH] = 0,2; [Br ] = 0,2.

 

8. Определите, куда сместится равновесие реакции

2H₂O(г) 2Н₂(г) + О₂(г)

при повышении а) температуры (рассчитайте ΔН)

б) давления

 

9. Имеются водные растворы одинаковой концентрации

а) глюкозы

б) хлорида кальция

Оцените температуры замерзания этих растворов согласно закону Рауля

 

10. Нарисуйте схему состояния эритроцитов в растворе глюкозы (М= 180 г/моль), содержащем 45г вещества в 500мл раствора при 37 °С.

 

 

Контрольная работа № 1 по общей химии

 

Вариант № 4

 

1. Для изображенной системы приведите математическое выражение II начала термодинамики и его формулировку:

 

 

2. Рассчитайте, экзо или эндотермической является реакция

KOH + HNO₃ KNO₃ + H₂O

 

3. Определите калорийность 80г пирожного, имеющего состав: белки – 4,9%, жиры – 21,3%, углеводы – 50,2%.

 

4. Возможно ли самопроизвольное протекание реакции при 100°С

2NO(г) + O₂(г) 2NO₂(г)

Какой фактор оказался решающим – энтальпийный или энтропийный.

 

5. При экспериментальном определении порядков реакции 2А + В → С получили следующие зависимости:

 

Приведите ее кинетическое уравнение. Какой вывод можно сделать о механизме реакции: простая она или сложная? Можно ли определить молекулярность этой реакции?

 

6. Рассчитайте, как изменится скорость реакции при повышении температуры от 20° до 60°С, если температурный коэффициент равен 2. Нарисуйте зависимость скорости реакции от температуры.

 

7. В реакции N₂(г) + 3H₂(г) 2NH₃(г) при некоторой температуре установились равновесные концентрации (моль/л) 0,1, 0,2 и 0,3 соответственно. Рассчитайте константу равновесия и объясните, куда смещено равновесие.

 

8. Какими способами можно сместить равновесие в сторону продуктов для реакции

C + O₂(г) CO₂(г), ΔН < 0

 

9. Расположите в ряд по уменьшению температуры замерзания растворы одинаковой концентрации: сахароза, хлорид натрия, уксусная кислота, вода. Ответ поясните.

 

10. Что произойдет с эритроцитами в растворе, содержащем 5,85г хлорида натрия (М = 58,5 г/моль) в 300 мл при 27 ⁰С?

 

 

Решение.

Семейства входных и выходных характеристик транзистора КТ342А приведены на рисунке 3.

 

 

1к, мА

 

 

Входная характеристика транзистора ^ = f(U _бэ) представляет собой зависимость ток базы от напряжения между базой и эмиттером при постоянных выходных напряжениях и_кэ. Характеристика при и_кэ=0 идёт из начала координат, так как если все напряжения равны нулю, то нет никакого тока. При этом оба перехода включены в прямом направлении. Ток базы является суммой прямых токов эмиттерного и коллекторного переходов. Рассматриваемая характеристика подобна обычной характеристике для прямого тока полупроводникового диода. При и_кэ>0 характеристика сдвигается вправо, ток базы уменьшается и при малых и_бэ становится отрицательным (на рисунке не показан).

Выходные характеристики i_к = f(U_кэ) представляют собой зависимости ток коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером. Как правило, эти характеристики даются при различных постоянных входных токах базы i^ Это объясняется тем, что вследствие сравнительно малого входного сопротивления транзистора источник входного переменного входного напряжения, имеющий часто большое внутреннее сопротивление, работает в режиме генератора тока. Таким образом, обычно бывает задан входной ток транзистора и удобно вести расчёты с помощью семейства выходных характеристик, связывающие выходные ток и напряжение с входным током.

Первая характеристика при ^=0 выходит из начала координат и весьма напоминает обычную характеристику для обратного тока полупроводникового диода. Условие ^=0 соответствует разомкнутой цепи базы. При этом через весь транзистор от эмиттера к коллектору проходит сквозной ток ^_{-э 0}.

Если ^>0, то выходная характеристика расположена выше, чем при ^=0, и тем выше, чем больше ток i^ Увеличение тока базы означает, что за счёт повышения напряжения и_бэ
соответственно увеличился ток эмиттера, частью которого является ток базы. Следовательно, пропорционально возрастает и ток коллектора. Благодаря линейной зависимости между токами пологие участки соседних выходных характеристик расположены приблизительно на одинаковых расстояниях друг от друга.

Выходные характеристики показывают, что при увеличении и_кэ от нуля до небольших значений (десятые доли вольта) ток коллектора резко возрастает (режим насыщения), а при дальнейшем увеличении и_кэ характеристики идут с небольшим подъёмом (активный режим), что означает сравнительно малое влияние и_кэ на ток коллектора. При повышении и_кэ уменьшается толщина базы, вследствие чего уменьшается ток базы. Так как характеристики снимаются при i^const, то для поддержания прежнего значения тока базы приходится увеличивать напряжение и_бэ. За счёт этого несколько возрастает L,, а следовательно, и ток коллектора.

Чем больше токи коллектора i^ тем раньше, т.е. при меньших значениях и_кэ наступает электрический пробой.

Выпишем из справочника предельные параметры для транзистора КТ342А

икэ max = 30 В,

^ТК max = ^{50 м}^

Рк max = 250 мВт (t_orp <25'C) и Рк max = 2(l50- t„_f)мВт (25'C < t₀„ < 125-C).

Во избежание теплового пробоя транзистора мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе транзистора, Р_к = и_кэ1_к не должна превышать максимально допустимой мощности

рассеивания для данного транзистора.

о

Примем t=60 С. Тогда имеем Рк max = 2(150 —)= 2(150-60)= 180 мВт.

Кривая предельно допустимой мощности описывается формулой:

I = Л- = 180

^к и_кэ и_кэ

Исходя из данных значений нанесём кривую допустимой мощности и определим область безопасных режимов работы (рис. 3, б).

Рабочая точка не задана. Рабочая точка должна располагаться на линейном участке ВАХ, при этом токи и напряжения в режиме усиления гармонического сигнала не должны превышать максимально допустимые. Выберем ток базы 1_б=0.05 мА, и_кэ=3 В. Тогда по входной характеристике для и_кэ=3 В (необходимо дорисовать) находим напряжение смещения базы и_бэ= 0.545 В.

Находим на выходных характеристиках (рис. 3) точку А на пересечении линий, соответствующих и_кэ=3 В и 1_б=0.05 мА.

Для определения h-параметров воспользуемся семействами входных и выходных характеристик для схемы с ОЭ.

Параметр h_11:3 (входное сопротивление) определяется по выражению:

AU б

_h = dU*

11э IT ^б

Uk3 = const

Задав приращение напряжения в точке А AU_fo = 0.0545 В, получим приращение тока базы А1_б = 0.06 мА. Тогда

0.0545

h =^AU»■

Hi 1 ^

-3

0. 06 • 10

Uk3 = const

Параметр h_12:3 (коэффициент обратной связи по напряжению) определяется по выражению:

 

_h = dUfo

^12э dU

Через точку А (рис. 3, а) проведём горизонтальную линию (I^const). Разница между точками пересечения кривых входных характеристик равна: AU_fe = 0.0545 В, АИ_кэ = 2 В Тогда

 

определяются по выходным характеристикам.

Через точку А (рис. 3,б) проводим вертикальную прямую до пересечения с соседней характеристикой (при этом U^const). Приращения токов равны: AI_k = 7.5 мА, А1_б = 0.05 мА. Тогда

		AIk

Задав приращение напряжения Uk3=2 В в окрестности точки А получаем приращение тока

AI_k = 0.5 мА. Тогда

		AIk
	h2

По вычисленным значениям h-параметров можно получить параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора, элементы которой достаточно полно отражают свойства реального транзистора на низких частотах, что необходимо для анализа транзисторных схем.

Эквивалентная Т-образная схема, составленная из физических параметров биполярного транзистора, включённого по схеме с ОЭ, представлена на рисунке 4.

гб г*.. Рис. 4. Эквивалентная Т-образная схема транзистора, включённого с ОЭ

 

Найдём параметры эквивалентной схемы по известным выражениям. Сопротивление г_э равно

г = ^j» = _⁰_:^j6_ = 2.74 ^).

^э I₃ Ij, 0.0095

*

Сопротивление г _к равно * 1 1

Г* =------- =-------------- т = 4.0 (кОм).

^к h₂₂ э 2.5 • 10^-4

Статический коэффициент передачи по току БТ для включения с ОЭ равен Ь = h₂₁э = 150.

Сопротивление г_б равно

г_б = h_11э - (h_21э +1) = 908 - (150 +1)2.74» 495 (Ом).

Теперь проверим правильность определения параметра hi₂₃ h_{12 3} = r₃ h₂₂₃ = 2.74 • 2.5 • 10^-4 = 6.8 • 10^-4 (Ом).

Данное значение примем за окончательное.

Задача № 4

Рассчитать модуль |h₂₁₃| и фазу 9_h21„ ко3ффициента передачи по току БТ в схеме с ОЭ на частоте f=60 кГц.

Предельная частота ко3ффициента передачи по току в схеме с ОБ ^_21б, статический ко3ффициент передачи то току в схеме с ОБ равны: йш_б=15 МГц, а=0.95.

Решение

На высоких частотах возникает фазовый сдвиг между входным и выходным токами БТ, обусловленный конечным временем пролёта носителей от 3миттера к коллектору и наличием ёмкостей переходов БТ. Это приводит к комплексному характеру ко3ффициентов передачи по току и их частотной зависимости

^h21 б(^f)= |^h21 б(^f)• e^{JФh21б(f) и h}213(^f)= |^h213(^f)• e^jh213(f).

Необходимо уяснить понятие предельной частоты ко3ффициента передачи по току БТ для схемы включения с ОБ и ОЭ. Частотные зависимости модуля и фазы ко3ффициентов передачи по току характеризуются выражениями:

a

r f ^ f

V h21б 0

1 +

f V h2^ 0   (f ^   1 +       Vfh213 0

 

где а, в - статические ко3ффициенты передачи по току БТ для включения с ОБ и ОЭ, соответственно;

f_h21(5, f_h213 - предельные частоты ко3ффициентов передачи по току для схемы с ОБ и ОЭ, соответственно.

Причём связь между 3тими частотами определяется выражением ^fh

f=

h21 3

Используя выражения для преобразования h-параметров для различных схем включения транзисторов, определим статический ко3ффициент передачи по току для включения с ОЭ:

0.95

Р = -^= =19.

1 -а 1-0.95

Тогда предельная частота ко3ффициента передачи по току для включения с ОЭ

		h213
			18.94

 

 

и фаза ко3ффициента передачи по току в схеме с ОЭ

Задача № 5

Усилительный каскад выполнен на полевом транзисторе 2П302Б в схеме с общим истоком. Рабочая точка ПТ задаётся напряжением источника питания Цип=10 В и параметрами:

- сопротивление резистора Я_с=0.4 кОм,

- напряжения на затворе в режиме покоя и_зи0=-1.4 В.

1. Нарисовать принципиальную схему усилителя;

2. На семействе статических ВАХ транзистора построить нагрузочную прямую и определить положение рабочей точки;

3. Для найденной рабочей точки определить сопротивление резистора в цепи истока Я_и и малосигнальные параметры S, R; и ц;

4. Графоаналитическим методом определить параметры режима усиления Ки и Р_вых при амплитуде входного сигнала и_{зи m}=0.25 В.

Решение

1. Схема усилительного каскада на полевом транзисторе типа 2П302Б по схеме с общим истоком и резистором нагрузки R_c в цепи стока представлена на рисунке 5. Напряжение смещения задаётся автоматически за счёт включения в цепь истока резистора Ru, падение напряжения на котором определяет напряжение и_зи = U₃ - и_и = -I_CR_и.

+ иип -

Рис. 5. Схема усилительного каскада на полевом транзисторе

 

 

Ic, мА Рис. 6. Статические характеристики транзистора 2П302Б

 

На основании второго закона Кирхгофа для цепи на рисунке 5 в режиме покоя можно составить уравнение

^UиП = ^UСи + ¹С (^RС + ^Rи) = ^UСи + ^IС^RС + |^изи I, ^откуда

^и ип ^и си |^и зи|

R_c

Это уравнение нагрузочной прямой.

Построение данной прямой показано на рисунке 6. Для 3того необходимо рассчитать координаты двух точек:

1. Ic = 0, иси = и ип = 10 (В).

^и ип ^и 31

10-1.4

^{2 и} си = ⁰, ^IС = '

Rc 400

Соединяя полученные точки, строим нагрузочную прямую.

Точка пересечения нагрузочной прямой с характеристикой, соответствующей заданному значению и_зи0 даёт положение рабочей точки О. Эта рабочая точка соответствует току стока в рабочей точке I_g0=11.1 мА и напряжению и_си0=4.9 В.

3) Сопротивление резистора в цепи истока R_и находим следующим образом:

 

1.4

= 126 (Ом).

0.0111

 

Малосигнальные параметры S, R; и ц определяются как (рис. 6)

- крутизна характеристики

		14.5 -5.2 9.3 = — = 9.3
			АТ			мА

-1.0 + 2.0 1.0

 

Данные параметры связаны между собой соотношением:

m = S • R_; = 9.3-14.2 = 132.

Данное соотношение практически выполняется.

4) При подаче синусоидального входного сигнала с амплитудой и_тзи=0.25 В транзистор переходит в динамический режим (режим усиления) и его состояние описывается нагрузочной характеристикой.

В 3том режиме параметры могут быть вычислены с помощью рисунка 6 и определяются выражениями

		ис
		Ес, Rr=const

^{- выхо}д^{ная мо}щ^ность Рвых = 2 • ^ис_Иm • ^Iсm = ^{1 -10 -} 2.2 = ¹.¹ (^мВт).

Задача № 6

Электронно-лучевая трубка с 3лектростатическим отклонением луча имеет длину отклоняющих пластин L₁=30 мм, расстояние между пластинами а=9 мм, расстояние от 3крана до ближайшего к нему края пластин L₂=180 мм. Напряжение на втором аноде равно и_а2=2.5 кВ, а постоянное напряжение между отклоняющими пластинами равно и_откл=45 В. Необходимо определить:

а) чувствительность ЭЛТ;

б) отклонение 3лектронного луча на 3кране от оси трубки;

в) угол отклонения луча в точке выхода его из поля пластин.

Решение

Конструкция 3лектронно-лучевой трубки (ЭЛТ) с 3лектростатическим отклонением луча показана на рисунке 7.

 

а) Полное отклонение пятна на экране определяется выражением

h = h₁ + h₂ = ^Uоткл L'l + L₂tga =

^{1 2} 4U₃2d ¹² 2U₃2l 2 2

где h₁ - отклонение электронов, приобретённое между отклоняющих пластин, h₂ - отклонение электронов, приобретённое на пути между отклоняющими пластинами и экраном.

2'2500'9 I 2

б) Основным параметром электростатической отклоняющей системы является чувствительность к отклонению Б_э, показывающая, на сколько миллиметров отклоняется луч на приёмнике электронов при изменении отклоняющего напряжения на 1 Вольт:

		h
					мм В
	h7 =

в) угол отклонения луча в точке выхода его из поля пластин определяется выражением

U L₁

откл 1

2U_a2 d

Тогда значение угла равно

			>1.72°.
	a = arctg

Задача № 7

Фотодиод включён последовательно с источником питания и резистором R. Обратный ток насыщения затемнённого фотодиода (темновой ток) равен I₀.

Фототок диода в фотогальваническом режиме при коротком замыкании перехода составляет 1ф₁ при потоке световой энергии Ф₁; 1ф₂ при потоке световой энергии Ф₂; 1ф₃=0 при потоке световой энергии Ф₃=0.

Определите напряжение холостого хода U_xx диода для Ф_1з Ф₂ и Ф₃, а также значения Ф₁ и Ф₂ (лм), считая токовую чувствительность при монохроматическом световом потоке равной Si=1.5-10"² мкА/лм.

Рассчитать и построить семейство ВАХ идеализированного фотодиода для световых потоков Ф_1з Ф₂ и Ф₃ в диапазоне напряжений U от и_хх до - 10 (при расчётах считать, что фототок не зависит от напряжения на запертом переходе; Т=300 К).

Описать принцип работы, характеристики и параметры фотодиода.

Значения

I₀ = 3 мкА;

R = 40 кОм;

1_Ф1 = 30 мкА;

1_Ф2 = 90 мкА.

Решение

Схема цепи представлена на рисунке 8.

 

Рис. 8. Схема цепи Фотодиоды могут работать в одном из двух режимов:

1) без внешнего источника электрической энергии (вентильный, фотогенераторный или фотогальванический режим);

2) с внешним источником электрической энергии (фотодиодный или фотопреобразовательный режим) (рис. 8).

Ток, протекающий через фотодиод, можно представить в виде:

(qu

		.kT
	I = I0
					(4)

где

1ф - фототок, вызванный облучением p-n перехода светом;

I₀ - тепловой ток p-n перехода. Здесь этот ток равен обратному току насыщения затемнённого фотодиода (темновой ток);

U - напряжение на диоде.

При разомкнутой внешней цепи R_tI=<», I=0 легко выразить напряжение холостого хода и_х или фото-ЭДС. Воспользуемся выражением (5). Тогда

 

 

kT, (IФ2Л

- для Ф=Ф2 U_xx = — ln

^q

kT, L I фз Л

- для Ф=Фз U_xx = — ln ^q

= 0.026 ln |1 + yj = 0.089 (В). = 0.026 ln | 1 + 3| = 0.

 

Статическая интегральная токовая чувствительность при монохроматическом световом потоке

определяется отношением S_T = —. Из данного выражения определим значения потоков Ф₁ и

Ф

Ф2:

ТФ1	= 30
Si	1.5 • 10-
IФ2	= 90
Si	1.5 • 10'

Ф1 =

Ф=

2 = 2000 (лм), -2 = 6000 (лм).

 

Вольт-амперной характеристикой здесь является зависимость общего тока фотодиода от напряжения U, приложенного к фотодиоду:

I общ = f(U).

Данная характеристика определяется выражением (4). Рассчитаем и построим ВАХ фотодиода при различной величине освещённости.

1. Поток световой энергии равен Ф₁. Тогда

(qU Л

U1 (U)=!„ -I

Результаты расчёта обратной ветви (U<0) вольт-амперной характеристики представим в виде U, В   -0.01 -0.02 -0.05 -0.1 -0.2 -1 -10 ТобщЬ мкА   30.96 31.61 32.56 32.94

 

Построенная по этим значениям вольт-амперная характеристика изображена на рисунке 9.

2. Поток световой энергии равен Ф2. Тогда

qU

 

 

и, В		-0.01	-0.02	-0.05	-0.1	-0.2	-1	-10
1общ3:> мкА		0.96	1.61	2.56	2.94

общ3

Построенная по этим значениям вольт-амперная характеристика изображена на рисунке 9. 1общ(Цобр), мкА

 

------- при Ф=Ф2 ------- при Ф=Ф3 Рис. 9. Семейство ВАХ идеализированного фотодиода для световых потоков Ф1з Ф2 и Ф3

 

Фотодиоды представляют собой полупроводниковые диоды, в которых используется внутренний фотоэффект. Световой поток управляет обратным током светодиодов. Под воздействием света на электронно-дырочный переход и прилегающие к нему области происходит генерация пар носителей заряда, проводимость диода возрастает и обратный ток увеличивается.

Если на переход не подано внешнее напряжение и цепь разомкнута, т освещение приводит к накоплению фотоэлектронов в n-области и дырок в р-области. В результате образуется разность потенциалов U<^, т.е. появляется фото-ЭДС (вентильный или фотогенераторный или фотогальванический режим). Если цепь замкнута, то возникает фототок. В таких условиях диод работает как фотоэлемент (фотодиодный или фотопреобразовательный режим).

Фотодиод описывается вольт-амперной, энергетической (световой), спектральной и частотной характеристиками. Если к неосвещённому фотодиоду подключить источник, значение и полярность которого можно изменять, то снятые при этом ВАХ будут иметь такой же вид, как у обычного полупроводникового диода. При освещении диода существенно изменяется лишь обратная ветвь ВАХ (рис. 9), прямые ветви практически совпадают при сравнительно небольших напряжениях.

Энергетическая характеристика фотодиода связывает фототок со световым потоком, падающим на светодиод (рис. 10).

1ф

Рис. 10. Энергетические характеристики

 

При работе фотодиода в вентильном режиме спектральные характеристики существенно зависят от сопротивления резистора, включённого во внешнюю цепь. С ростом нагрузочного сопротивления характеристики всё более искривляются и при больших сопротивлениях имеют ярко выраженный участок насыщения. При работе диода в фотодиодном режиме энергетические характеристики линейны, т.е. практически все фотоносители доходят до p-n- перехода и участвуют в образовании фототока.

Спектральная характеристика фотодиода есть зависимость чувствительности от длины волны падающего светового потока (рис. 11, а). При больших длинах волн, т.е. при малых энергиях квантов света по сравнению с шириной запрещённой зоны полупроводника, энергия кванта оказывается недостаточной для переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. Селеновые фотодиоды имеют спектральную характеристику, близкую по форме к спектральной зависимости человеческого глаза. Г ерманиевые и кремниевые фотодиоды чувствительны как в видимой, так и в инфракрасной части спектра излучения.

Частотная характеристика показывает изменение интегральной чувствительности при изменении яркости светового потока с разной частотой модуляции (рис. 11, б). Быстродействие диода характеризуется граничной частотой, на которой интегральная чувствительность

уменьшается в л/2 раз по сравнению со своим низкочастотным значением.

- темновой ток 1_т - начальный обратный ток, протекающий через диод при отсутствии внешнего смещения и светового излучения (10-20 мкА для германиевых и 1-2 мкА для кремниевых диодов).

- рабочее напряжение и_р - номинальное напряжение, прикладываемое к фотодиоду в фотодиодном режиме (и_р=10-30 В).

- интегральная чувствительность 8_инт, показывающая, как изменяется фототок при единичном изменении светового потока

S = ^

^инт аФ

- граничная частота fjp - частота, где интегральная чувствительность уменьшается в л/2 раз (10⁶-10¹² Гц).

Список литературы

1. Методические указания и контрольные задания по курсу «Электронные приборы и устройства» для студентов заочной формы обучения. Сост. А.Я. Бельский, С.В. Дробот, В.Б. Рожанский и др. - Мн.: БГУИР, 2006. - 59 с.

2. Булычев А. Л., Лямин П.М., Тулинов Е.С.. Электронные приборы: Учебник. - Мн.: Выш. шк., 1999.

3. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника. - М.: Высш. шк., 2004.

4. Ткаченко Ф.А. Техническая электроника: Учеб. пособие. - Мн.: Дизайн ПРО, 2000.