Раздел 1.Свойства материалов.

Раздел 1.Свойства материалов.

1.1 Полупроводник – это …

1. вещество, являющееся смесью металла с диэлектриком;

2. вещество, удельная проводимость которого меньше, чем у проводника, и больше, чем у диэлектрика;

3. вещество с большим удельным сопротивлением;

4. вещество, проводимость которого обусловлена движением ионов.

1.2 Концентрация подвижных носителей в примесных полупроводниках по сравнению с их концентрацией в собственных полупроводниках …

1. значительно меньше;

2. приблизительно равна;

3. значительно больше;

4. не зависит от концентрации примесей.

1.3 С ростом температуры удельное электрическое сопротивление собственных полупроводников …

1. растет;

2. не меняется;

3. уменьшается;

4. резко увеличивается.

 

1.4 Примеси, обеспечивающие получение полупроводников n-типа имеют валентность …

1. на два больше, чем у исходного полупроводникового материала;

2. на два меньше, чем у исходного полупроводникового материала;

3. на один меньше, чем у исходного полупроводникового материала;

4. на один больше, чем у исходного полупроводникового материала;

5. такую же, как у исходного полупроводникового материала.

1.5 Примеси, обеспечивающие получение полупроводников p-типа имеют валентность …

1. на два больше, чем у исходного полупроводникового материала;

2. на два меньше, чем у исходного полупроводникового материала;

3. на один меньше, чем у исходного полупроводникового материала;

4. на один больше, чем у исходного полупроводникового материала;

5. такую же, как у исходного полупроводникового материала.

1.6 Собственный полупроводник – это ….

1. полупроводник, имеющий монокристаллическую структуру;

2. полупроводник, имеющий поликристаллическую структуру;

3. полупроводник, не содержащий донорных и акцепторных примесей;

4. любой полупроводник.

1.7 Примесный полупроводник – это ….

1. смесь нескольких различных полупроводников;

2. полупроводник с большой концентрацией примесей

3. механическая смесь частиц металла и диэлектрика;

4. полупроводник, содержащий малую концентрацию примеси с валентностью, отличной на единицу от валентности основного вещества.

1.8 Р-n переход – это …

1. граница раздела областей полупроводника с проводимостями р- и n-типов;

2. место соприкосновения двух полупроводников с разной структурой;

3. переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая – р-типа;

4. слой, обедненный подвижными носителями заряда на границе полупроводника

 

1.9 Прямым включением р-n перехода называется включение, …

1. способствующее уходу подвижных носителей от р-n перехода;

2. увеличивающее скачок потенциала на р-n переходе;

3. при котором уменьшается высота потенциального барьера и переход представляет собой малое сопротивление протекающему току;

4. при котором плюс внешнего источника подключается к n-области, минус – к р-области.

 

1.10 Обратным включением р-n перехода называется включение, …

1. способствующее движению подвижных носителей к р-n переходу;

2. при котором плюс внешнего источника подключается к p-области, минус – к n-области;

3. при котором увеличивается высота потенциального барьера и переход представляет собой большое сопротивление протекающему току;

4. уменьшающее скачок потенциала в p-n переходе.