Студопедия — Полевые транзисторы
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Полевые транзисторы






Полевые транзисторы с изолированным затвором. МДП-транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. Устройство, схемы включения. Режимы обеднения и обогащения в транзисторе со встроенным каналом и его статические характеристики.

Работа полевых транзисторов на высоких частотах и в импульсном режиме. Факторы, определяющие частотные свойства. Предельная частота. Эквивалентная схема на высоких частотах. Области применения полевых транзисторов. Сравнение полевых и биполярных транзисторов. Перспективы развития и применения полевых транзисторов.

 

Переключающие приборы

Устройство, принцип действия, ВАХ, разновидности тиристоров, диодные тиристоры, триодные тиристоры, симисторы, области применения. Параметры и система обозначения переключающих приборов.

 

Оптоэлектронные приборы и устройства

Классификация элементов оптоэлектроники. Полупроводниковые источники оптического излучения. Электролюминесценция. Светодиоды, устройство, принцип работы, характеристики, параметры. Полупроводниковые приемники излучения: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры. Принцип работы, характеристики, параметры.

Фотоэлементы, устройство, принцип работы. Оптроны, их разновидности. Классификация, принцип действия, входные и выходные параметры оптопар.

 

Электронные индикаторные приборы

Физические эффекты, пригодные для создания индикаторов. Полупроводниковые, жидкокристаллические, газоразрядные, электролюминесцентные и другие индикаторы. Сравнение различных индикаторов и их применение.

 

Элементы интегральных микросхем

 

Общие сведения о микроэлектронике. Пассивные элементы интегральных микросхем: резисторы, конденсаторы. Биполярные транзисторы. Диоды полупроводниковых ИМС. Биполярные транзисторы с инжекционным питанием. Разновидности биполярных и МДП транзисторов.

 

Примерный перечень тем практических занятий

 

1. Электропроводность полупроводников (собственных и примесных). Контактная разность потенциалов.

2. Полупроводниковые диоды: выпрямительные, стабилитроны, варикапы, импульсные. Расчет простейших схем.

3. Биполярные транзисторы. Режим работы, схемы включения, дифференциальные параметры, эквивалентные схемы.

4. Полевые транзисторы. Разновидности, режимы работы: обогащения и обеднения. Статические параметры, эквивалентные схемы.

5. Задание режима по постоянному току в схемах с биполярными и полевыми транзисторами.

6. Работа электронных приборов с нагрузкой.

7. Оптоэлектронные приборы.

 

Примерный перечень тем лабораторных занятий

1. Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов (выпрямительного, стабилитрона, варикапа, туннельного и др.).

2. Исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером.

3. Исследование малосигнальных, импульсных и частотных параметров биполярных транзисторов и их зависимостей от рабочего режима и температуры.

4. Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов.

5. Исследование малосигнальных, импульсных и частотных параметров полевых транзисторов и их зависимости от рабочего режима и температуры.

6. Исследование характеристик и параметров тиристоров.

7. Исследование характеристик и параметров полупроводниковых оптоэлектронных приборов (светодиоды, фотодиоды, фототранзисторы).

8. Исследование оптронов.

 

ЛИТЕРАТУРА

Основная

 

1. Булычев А.Л., Лямин П.М., Тулинов Е.С. Электронные приборы: Учебник. – Мн.: Выш.шк., 1999.

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. – М.: Высш. шк., 1991.

3. Ткаченко Ф.А. Техническая электроника: Учеб. Пособие. – Мн.: Дизайн ПРО, 2000.

4. Ткаченко Ф.А., Хандогин М.С. Электронные приборы: Учеб. пособие. – Мн.: БГУИР, 1997.

5. Валенко В.С., Хандогин М.С. Электроника и микросхемотехника: Учеб. пособие. – Мн.: Беларусь, 2000.

 

Дополнительная

 

6. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990.

7. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1991.

8. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высш. шк., 1987.

9. Полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник / Под общ. Ред. Н.Н.Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1986.

10. Справочник по интегральным микросхемам / Под ред. Б.В.Тарабарина. – М.: Энергия, 1981.

11. Пляц О.М. Справочник по электровакуумным, полупроводниковым приборам и интегральным схемам. – Мн.: Высш. шк., 1982.

12. Жеребцов И.П.Основы электроники./Л.Энергоатомиздат,1989

 







Дата добавления: 2015-09-19; просмотров: 694. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Понятие о синдроме нарушения бронхиальной проходимости и его клинические проявления Синдром нарушения бронхиальной проходимости (бронхообструктивный синдром) – это патологическое состояние...

Опухоли яичников в детском и подростковом возрасте Опухоли яичников занимают первое место в структуре опухолей половой системы у девочек и встречаются в возрасте 10 – 16 лет и в период полового созревания...

Способы тактических действий при проведении специальных операций Специальные операции проводятся с применением следующих основных тактических способов действий: охрана...

Функциональные обязанности медсестры отделения реанимации · Медсестра отделения реанимации обязана осуществлять лечебно-профилактический и гигиенический уход за пациентами...

Определение трудоемкости работ и затрат машинного времени На основании ведомости объемов работ по объекту и норм времени ГЭСН составляется ведомость подсчёта трудоёмкости, затрат машинного времени, потребности в конструкциях, изделиях и материалах (табл...

Гидравлический расчёт трубопроводов Пример 3.4. Вентиляционная труба d=0,1м (100 мм) имеет длину l=100 м. Определить давление, которое должен развивать вентилятор, если расход воздуха, подаваемый по трубе, . Давление на выходе . Местных сопротивлений по пути не имеется. Температура...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия