Режим тока ХоллаКак следует из вышеизложенного, ЭДС Холла возникает при включении магнитного поля из-за накопления зарядов нестационарным холловским током на боковых гранях у поверхностей центральной части длинного и узкого образца. Если же образец короткий (см. рис. 2.4, 2.5), то есть длина образца (а) много меньше его ширины (b), то сила Лоренца, как и в предыдущем случае, отклоняет электроны. Однако в силу специфичной геометрии образца это не приводит к накоплению заряда где-либо в центральной части образца, а значит, и образованию там составляющей поля вдоль оси оу. Поле, уравновешивающее силу Лоренца, не возникает, а, следовательно, вдоль оси оу протекает стационарный холловский ток (Iy). Для его нахождения достаточно сделать разрыв токового электрода (расщепить электрод, см. рис. 2.5), а в разрыв включить измеритель тока. Основоположниками метода тока Холла являются Добровольский и Гриценко. Они использовали впервые этот метод в 1962 году для исследования процессов рассеяния в высокоомных полупроводниках. Если вблизи поверхности образца происходит накопление зарядов (например, в случае, когда ≤ 5), то Ey =0. Следствием этого является изменение по сравнению с центральной частью плотности токов jy и jx. Области неоднородности напряженности электрического поля простираются на расстояние (1…1,5) а от соответствующих поверхностей и в них происходит замыкание противоположных контактов из-за протекания холловского тока. Можно показать, что через каждую пару контактов замыкается 0,5 Ix.
При количественном рассмотрении учитывается, что Ey =0. Теоретически это условие выполняется в бесконечном образце, практически оно реализуется в диске Корбино (один электрод размещен в центре диска в виде оси, а второй – по ободу диска в виде кольца), а также в прямоугольном «коротком» образце (cм. рис. 2.4 и 2.5), ширина которого намного больше его длины. Как отмечалось выше, в скрещенных электрическом и магнитном полях носители заряда под действием силы Лоренца F будут отклоняться в направлении у и, не встречая противодействия поперечного поля Ey, образовывать поперечный компонент тока плотностью j (см. рис. 2.4). В этом случае угол Холла будет определяться отношением плотностей токов jy к jx:
Векторы результирующего тока j (см. рис. 2.2) и результирующего поля Е (см. рис. 2.3) отклоняются в разные стороны относительно оси х. Из выражения (2.15) следует
Полный ток Холла в образце с двумя расщепленными электродами (рис. 2.5) определяется выражением:
Значение подвижности носителей заряда в исследуемых образцах можно определить на основе соотношения:
а величину электропроводности, воспользовавшись формулой:
Третий параметр Rx, а значит и концентрацию носителей заряда, можно получить из комбинации первых двух:
Отметим, что если в режиме ЭДС Холла измеряется подвижность носителей, движущихся в направлении первичного тока , то в режиме тока Холла – подвижность носителей, движущихся в направлении вторичного тока . Величина
называется коэффициентом анизотропии кристалла. При исследовании высокоомных материалов измерение в режиме тока Холла имеет преимущество перед измерением в режиме ЭДС Холла. Это связано с тем, что для измерителя тока значительно легче осуществить режим «короткого замыкания» RП<<Rоб (где , – соответственно внутреннее сопротивление измерительного прибора и сопротивление образца), чем «электрометрический режим» (RП>>Rоб) для измерителя напряжения. Кроме того, небольшая асимметрия между двумя частями разорванных электродов практически не влияет на результаты измерений в высокоомных образцах. Тогда как при измерении ЭДС Холла небольшая асимметрия в расположении потенциальных контактов может привести к большим погрешностям измерений величин. К преимуществам режима тока Холла следует отнести тот факт, что токи, протекающие в разных сечениях образца по его толщине, аддитивно складываются. Следовательно, в токе Холла аддитивно складываются поверхностный и объемные токи. Это означает, что, изменяя величину прикладываемого к поверхности образца напряжения, можно разделить вклад поверхностного и объемного токов. Этот подход обычно используется при измерении подвижности носителей заряда в различных слоях неоднородных по толщине образцах, расположенных перпендикулярно направлению первичного тока . Метод тока Холла успешно применяется для исследования подвижности носителей заряда в изоляторах, МДП-структурах. Важно только, чтобы при измерениях на таких объектах время диэлектрической (максвелловской) релаксации было существенно меньше, чем время установления холловского сигнала. Следует иметь в виду, что метод тока Холла более подвержен влиянию контактных шумов, чем метод измерения ЭДС Холла, так как измеряемый сигнал снимается непосредственно с электродов, через которые протекает первичный ток. Поэтому контакты к образцу должны быть омическими.
|