Студопедия — Какие из методов PVD ,обеспечивают получение наибольшей адгезионной прочности покрытий? Ответ обоснуйте.
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Какие из методов PVD ,обеспечивают получение наибольшей адгезионной прочности покрытий? Ответ обоснуйте.






Наибольшая адгезионная прочность достигается в методах: осаждение дуговым разрядом или конденсации с ионной бомбардировкой (метод КИБ),а так же в методе HIPIMS.

Метод заключается в зажигании в вакууме сильноточного дугового разряда, в котором распыляемый мат-л служит одним из электродов.

1)если мишень является катодом, то реализуется так называемое осаждение с холодным катодом, дуга горит в парах катода; мишень(К) охлаждается, реализуется схема с холодным катодом (КИБ); это наиболее распространенный вариант.

2)дуга горит в системе А-К-мишень, но мишень не охлаждается, происходит разогрев катода до высоких темпер-р, дуга горит в парах катода, в рез-те возникает дуговой разряд с термоэлектронной эмиссией.

3)если мишень является анодом, то метод называется осаждение с горячим катодом.

При горении дугового разряда происходит перемещение катодного пятна по поверхности мишени. В области катодного пятна происходит процесс испарения и распыления мат-ла. Испарение - за счет локального нагрева в катодном пятне, а распыле-ние – за счёт бомбардировки.

Основная часть продуктов эрозии состоит из паровой фазы. Также в потоке присутствуют твердые (осколочной фазы) и/или жидкие частицы с размером 0,1-100мкм (капельной фазы). При прохождении атомарного потока мат-ла через плазму дуги происходит его ионизация. Перенос осуществляется с высокой скоростью. Все составляющие потока конденсируются на подложке(атомы, иониз. атомы, частицы ж. и тв. фазы).Характеристики6 Р=10-5-101 Па, высокие энергии частиц 0,1-10эВ, =>самая max энергия частиц=>метод эффективный! Высокий коэффициент ионизации (доля ионов в потоке)=20-90%, скорость роста покрытий до 1-3 мкм/мин.

Причины возникновения капельной фазы:

-поглощение газов расплавом металла,

-неравномерность структуры.

Характеристики разряда: Uр=20-50В, Uх.х.(источника питания)=60-80В, I=200-300А. Для зажигания (инициирования) разряда используются специальные устройства, например:

-вспомогательный электрод, который замыкается на катод и инициируется разряд;

-плавкие вставки(тонкая проволока между А и К, подаётся напряжение, проволока сгорает, инициируется дуга); -дополнительный источник плазмы(независимый).

При распылении применяют неэродирующие аноды. Их работа должна протекать в ненапряженном тепловом режиме. Следует стремиться к диффузионному распределению разря-да по поверхности анода. Анодное пятно перемещается по поверхности со скоростью 104м/с (это выше, чем у К), что предохраняет анод от разрушения (не успевает разогреться).

Основы применения метода КИБ на практике:

При нанесении покрытия на проводящие поверхности процесс обычно проводят в 2 стадии: первоначально на подложку подается напряжение смещения 1-2 кВ при наличии

Между плазмой и погруженной в нее проводящей поверхностью с разностью потенциалов формируется пограничный слой. В пределах этого слоя ионы дополнительно ускоряются, при этом вследствие интенсивного распыления ионами поверхность очищается. Помимо распыления, ионы внедряются в материал изделия, участвуя в формировании псевдо-диффузионного слоя.

Этот слой и обеспечивает очень высокую адгезию. На второй стадии напряжение смещения уменьшается до 100 В., при таком режиме начинает преобладать конденсация ионов наносимого материала на поверхность, а не ионное распыление.

Метод HIPIMS.

Магнетронное распыление импульсами высокой мощности (HIPIMS) – это новая PVD-технология для предварительной обработки подложки и нанесения покрытий. Как отражено в названии, HIPIMS является технологией магнетронного распыления с важным отличием – мощность на катодах составляет 1-3 kWcm-2 – это в 100 раз больше, чем в традиционном магнетронном распылении. Мощность используется в коротких импульсах и малом коэффициенте заполнения в размере 1%, во избежание перегревания изделия. При предельных мощностях, используемых на катоде, плазма около мишени достигает очень высоких плотностей 1013-1014 ионов/см3 (для сравнения: плотность плазмы в традиционном разряде постоянного тока составляет 1010ионов/см3). Так как металлические атомы распыляются с мишени, они входят в плотную плазму и ионизируются с высокой эффективностью. Значимость ионов металла сложно переоценить. Ионы металлы можно использовать для предварительной обработки перед нанесением покрытия для усиления адгезии. При напылении, ионы металла поступают с полной энергией, предоставляемой напряжением смещения, которое улучшает мобильность атомов на поверхности и гарантирует устранение любой пористости.

Предварительная обработка с усиленной адгезией

Адгезия покрытий к подложке определяется свойствами поверхности раздела. Необходимо очистить подложку методом распыления для получения чистой поверхности раздела, свободной от инородных оксидных и карбид-основных загрязнений. Также важно избегать введения дефектов или ионов газа в поверхность. Если газ имплантируется, это приводит к образованию пузырей и охрупчиванию, что ослабляет поверхность раздела. Когда имплантируются ионы метала, они образуют сильные металлические взаимосвязи с металлической подложкой и обеспечивают гладкий переход от подложки к покрытию. Хотя катодные дуговые разряды могут использоваться для введения металлических ионов, дополнительная капельная фаза привносит дополнительные дефекты роста, которые ухудшают свойства трибологического износа, коррозионной и окислительной защиты покрытий. Решением является метод HIPIMS, который обеспечивает ионы металла и полное удаление капельной фазы. При использовании этого метода трудно различить, где находится поверхность раздела, потому что кристалл покрытия растет как продолжение подложки. Этот тип роста называется эпитаксиальным и является условием, при котором образуется сильная взаимосвязь между подложкой и покрытием.

Вопрос 30.







Дата добавления: 2015-09-04; просмотров: 508. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Особенности массовой коммуникации Развитие средств связи и информации привело к возникновению явления массовой коммуникации...

Тема: Изучение приспособленности организмов к среде обитания Цель:выяснить механизм образования приспособлений к среде обитания и их относительный характер, сделать вывод о том, что приспособленность – результат действия естественного отбора...

Тема: Изучение фенотипов местных сортов растений Цель: расширить знания о задачах современной селекции. Оборудование:пакетики семян различных сортов томатов...

Объект, субъект, предмет, цели и задачи управления персоналом Социальная система организации делится на две основные подсистемы: управляющую и управляемую...

Законы Генри, Дальтона, Сеченова. Применение этих законов при лечении кессонной болезни, лечении в барокамере и исследовании электролитного состава крови Закон Генри: Количество газа, растворенного при данной температуре в определенном объеме жидкости, при равновесии прямо пропорциональны давлению газа...

Ганглиоблокаторы. Классификация. Механизм действия. Фармакодинамика. Применение.Побочные эфффекты Никотинчувствительные холинорецепторы (н-холинорецепторы) в основном локализованы на постсинаптических мембранах в синапсах скелетной мускулатуры...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.014 сек.) русская версия | украинская версия