Такие переходы, в зависимости от соотношений уровней Ферми в металле и полупроводнике, могут иметь линейный (омический) характер или нелинейный - с преимущественно односторонней проводимостью, как у обычного р-п-перехода. Омические контакты используются в качестве электрических выводов р-п-перехода. Нелинейный контакт металл - полупроводник п-типа замечателен тем, что электроны одного приграничного слоя (например, металла), переходя в п-слой полупроводника, являются для последнего основными носителями (в противоположность тому, что было при переходе электронов из п-слоя в р-слой в р-п-переходе). Это означает, что в нелинейном контакте металл - полупроводник отсутствует процесс накопления и рассасывания неравновесных неосновных носителей, т.е. отсутствует диффузионная емкость. Следствием этого является значительно меньшая инерционность перехода металл-полупроводник. Такие переходы названы переходом Шоттки по имени ученого, предложившего их. Дополнительной особенностью переходов Шоттки является меньшее падение напряжения по сравнению с обычным р-п-переходом, что означает меньшие потери мощности при прямом включении. Единственным недостатком переходов Шоттки является значительно меньшее обратное напряжение, при котором происходит пробой.
Рис. 3.15. Воздействие оптиче- ского излучения на р-п-переход: 1 - светопроницаемое окошко; 2 - герметичный непрозрачный корпус
|
