Пояснювальна записка

Дата добавления: 2015-10-18; просмотров: 577

Конденсатори (Від лат. Condenso – ущільнюю, згущую) – це радіоелементи з зосередженої електричної ємністю, утвореною двома або більшою кількістю електродів (обкладок), розділених діелектриком (спеціальною тонкою папером, слюдою, керамікою і т. д.). Ємність конденсатора залежить від розмірів (площі) обкладок, відстані між ними і властивостей діелектрика.

Важливою властивістю конденсатора є те, що для змінного струму він представляє _ собою опір, величина якого зменшується з ростом частоти.

Як і резистори, конденсатори поділяють на конденсатори постійної ємності, конденсатори змінної ємності (КПЕ), підлаштування і саморегульовані. Найбільш поширені конденсатори постійної ємності. Їх застосовують у коливальних контурах, різних фільтрах, а також для розділення ланцюгів постійного і змінного струмів і як блокувальних елементів.

Конденсатори постійної ємності. Умовне графічне позначення конденсатора постійної ємності-дві паралельні липни – символізує його основні частини: дві обкладки і діелектрик між ними (рис. 54). Близько позначення конденсатора на схемі звичайно вказують його номінальну ємність, а іноді і номінальна напруга. Основна одиниця виміру ємності – цзростає на один вольт при збільшенні заряду на один кулон. Це дуже велика величина, яка на практиці не застосовується. У радіотехніці використовують конденсатори ємністю від часток пікофарад (пФ) до десятків тисяч мікрофарад (мкФ). Нагадаємо, що 1 мкФ дорівнює одній мільйонній частці Фарада, а 1 пФ – однієї мільйонної частки мікрофарад або однієї трильйон-ної частки Фарада.

Згідно ГОСТ 2.702-75 номінальну ємність від 0 до 9 999 пФ вказують на схемах в пікофарад без позначення одиниці виміру, від 10 000 пФ до 9 999 мкФ – в мікрофарад з позначенням одиниці виміру буквами мк (рис. 55).

Номінальну ємність і допускається відхилення від неї, а в деяких випадках і номінальну напругу вказують на корпусах конденсаторів.

Для збереження настройки коливальних контурів при роботі в широкому 'інтервалі температур часто використовують послідовне і паралельне з'єднання конденсаторів, у яких ТКЕ мають різні знаки. Завдяки цьому при зміні температури частота настройки такого термокомпенсірованного контуру залишається практично незмінною.

Назва	Ємність	Електричне поле	Схема
Плоский конденсатор
Циліндричний конденсатор
Сферичний конденсатор
Сфера

конднсВтрати в конденсаторах, що визначаються в основному втратами в діелектрику, зростають при підвищенні температури, вологості і частоти. Найменшими втратами мають конденсатори з діелектриком з високочастотної кераміки, зі слюдяними і плівковими діелектриками, найбільшими – конденсатори з паперовим діелектриком і з сегнетокераміки. Цю обставину необхідно враховувати при заміні конденсаторів в радіоапаратурі. Зміна ємності конденсатора під впливом навколишнього середовища (в основному, її температури) відбувається через зміну розмірів обкладок, зазорів між ними і властивостей діелектрика. Залежно від конструкції та застосованого діелектрика конденсатори характеризуються різним температурним коефіцієнтом ємності (ТКЕ), який показує відносну зміну ємності при зміні температури на один градус; ТКЕ може бути позитивним і негативним. За значенням і знаку цього параметра конденсатори поділяються на групи, яким присвоєні відповідні літерні позначення та колір забарвлення корпусу.

Для збереження настройки коливальних контурів при роботі в широкому 'інтервалі температур часто використовують послідовне і паралельне з'єднання конденсаторів, у яких ТКЕ мають різні знаки. Завдяки цьому при зміні температури частота настройки такого термокомпенсірованного контуру залишається практично незмінною.

атор ємність полярність діелектрик

2.3 Напівпроводникові діоди

Напівпровідниковий діод – це електроперетворювальний напівпровідниковий прилад з одним електричним переходом і двома виводами, в якому використовуються властивості р-n- переходу. Напівпровідникові діоди класифікуються: 1) за призначенням: випрямні, високочастотні і надвисокочастотні (ВЧ і НВЧ- діоди), імпульсні, напівпровідникові стабілітрони, тунельні, обернені, вари- капи та ін.; 2) за конструктивно – технологічними особливостями: площинні і точкові; 3) за типом вихідного матеріалу: германієві, кремнієві, арсеніде - галієві та ін.

Будова точкових діодів У точковому діоді використовується пластинка германію або кремнію з електропровідністю n- типу, завтовшки 0,1…0,6мм і площею 0,5...1,5 мм2 ; з пластинкою стикається загострена проволока (голка) з нанесеною на неї домішкою. При цьому з голки в основний напівпровідник дифундують домішки, які створюють область з іншим типом електропровідності. Таким чином, біля голки утворюється мініатюрний р-n- перехід півсферичної форми. Для виготовлення германієвих точкових діодів до пластинки германію при- варюють проволоку з вольфраму, який покритий індієм. Індій є для германію ак- цептором. Отримана область германію р- типу є емітерною. Для виготовлення кремнієвих точкових діодів використовується кремній n- типу і проволока, що покрита алюмінієм, який служить для кремнію акцепто- ром. У площинних діодах р-n- перехід утворюється двома напівпровідниками з різними типами електропровідності, причому площа переходу у різних типів діо- дів лежить в межах від сотих долей квадратного міліметра до декількох десятків квадратних сантиметрів

(силові діоди). Площинні діоди виготовляються методами сплаву (вплавлення) або дифузії. n р Будова площинних діодів, виготовлених сплавним (а) і дифузійним методом (б) У пластинку германію n- типу вплавляють при температурі біля 500°С кра- плю індію, яка (сплавляючись з германієм) утворює шар германію р- типу. Область з електропровідністю р- типу має вищу концентрацію домішок, ніж основна пластинка, і тому є емітером. До основної пластинки германію і до індію припаюють вивідні проволоки, зазвичай з нікелю. Якщо вихідним матеріа- лом є германій р- типу, то в нього вплавляють сурму і тоді виходить емітерна об- ласть n- типу. Дифузійний метод виготовлення р-n- переходу заснований на тому, що ато- ми домішок дифундують в основний напівпровідник. Для створення р шару використовують дифузію акцепторного елементу (бору або алюмінію для кремнію, індію для германію) через поверхню вихідного матеріалу.