Параметри зварювального режиму

Дата добавления: 2015-10-19; просмотров: 438

(пассивных)

Масочный ТП наиболее распространен в серийном производстве; основан на осаждении пленок через съемные маски каждого слоя из одного материала. При этом нанесение пленок осуществляют термическим испарением или ионно – плазменным напылением. ТП включает следующие операции:

1.Нанесение через маски резистивного материала

2.Нанесение через маски проводящего материала

3.Формирование трехслойной структуры пленочных конденсаторов

4.Нанесение защитного слоя

Фотолитографический процесс основан на нанесении нескольких слоев пленок различных материалов в вакууме в виде сплошных покрытий с последующим получением конфигурации каждого слоя методом фотолитографии. Этот метод по точности и плотности размещения элементов превосходит масочный. Однако сложно проводить после каждой фотолитографии очистку от травителей, влияет травитель на другие слои. Поэтому изготавливают 2-хслойные ГИС. ТП:

1. Наносят сплошной резистивный слой

2. Наносят слой материала контактных площадок и соединений

3. Наносят слой фоторезиста

4. Экспонирование

5. Проявляют

6. Химическое травление контактных площадок и соединений

7. Получение конфигурации резисторов (фотолитографией)

8. Формирование защитного слоя с помощью фоторезиста

В процессах фотолитографии применяют как негативные, так и позитивные фоторезисты. Данный ТП широко используется при изготовлении цифровых ИМС.

Комбинированный ТП основан на комбинации фотолитографического и масочного способов. Фотолитографию используют для формирования пленочных элементов сложной конфигурации, а масочный для простой и тех, которые невозможно изготовить фотолитографией. ТП включает:

1. Напыление сплошного резистивного слоя

2. Напыление в 2-3 слоя для внутренних схемных соединений

3. Первая фотолитография для формирования контактных площадок и внутренних соединений

4. Вторая фотолитография для формирования пленочных резисторов

5. Через маски напыляют нижние обкладки, диэлектрик и верхние обкладки конденсаторов в одном вакуумном цикле

6. Формирование защитного слоя, либо напыление через маски, либо фотолитографией после нанесения защитного покрытия

Электронно – лучевая технология . Применяют электродную гравировку ИМС, содержащих только пленочные резисторы и соединения. ТП:

1. Напыление сплошного слоя резистивной пленки

2. Напыление проводящего слоя

3. 1-ое фрезерование для получения проводников

4. 2-ое фрезерование – резисторов

Возможна автоматизация процесса путем управления лучом электронов магнитным или электрическим полем по заданной программе. Используют для получения резисторов с высокой точностью и соединений.

Танталовая технология. Металлические пленки из тантала являются исходным материалом для формирования катодным распылением проводящих, резистивных и емкостных элементов. Так, применяя реактивное катодное распыление, получают пленки с большим диапазоном удельного сопротивления, используя анодирование пленок тантала – диэлектрические слои. Т. о. преимущества этой технологии следующие:

1. Используется один материал – тантал

2. Пленки стабильны и надежны во времени

3. Анодированием получают диэлектрик для конденсаторов, защиту резисторов и корректировку их номинала

4. Высокое поверхностное сопротивление достигается при низком ТКC и достаточной стабильности

5. Пленка Ta₂O₅ обладает высокой электрической прочностью, высоким значением диэлектрической проницаемости, невосприимчивостью к влаге и высокой добротностью

6. Тантал невосприимчив к радиации

Однако практически невозможно изготовление многослойных структур, т. к. при фотолитографической обработке нарушаются геометрические размеры нижних слоев тантала.

Типовой ТП танталовой технологии:

1. Катодным распылением наносят сплошную пленку тантала

2. Фотолитография проводников и нижней обкладки конденсаторов

3. Очистка от фоторезиста и нанесение термическим испарением сплошного слоя алюминия

4. Фотолитография алюминиевой контактной маски, фоторезист не удаляют с поверхности алюминия

5. Электролитическое анодирование для наращивания на незащищенных участках окиси тантала Ta₂O₅, служащего диэлектриком для конденсаторов и защиты резисторов от коррозии

6. Удаление фоторезиста с алюминиевой пленки

7. Осаждение сплошной пленки Al

8. Фотолитография внешних обкладок конденсаторов

В других вариантах типового ТП для получения конфигураций проводящих пленок используют съемные диэлектрические маски и электронно – лучевую гравировку.