Полевые транзисторы. Рис. 2. Структуры (а, б, в) и условные обозначения (г, д, е) полевых транзисторов
Структура и условное обозначение полевых транзисторов с управляющим p-n- переходом (П-у), МДП-транзисторов со встроенным каналом (МДП-в) и МДП-транзисторов с индуцированным каналом (МДП-и) показаны соответственно на рис. 2: П-уМДП-вМДП-и 1) б и д а и г в и е. 2) в и д б и е а и г. 3) а и д б и г в и е. 4) в и д а и е б и г. 5) а и е в и г б и д. 6) б и е в и г а и д. Ответ обосновать (дать расширенный ответ) . Описать структуры полевого транзистора с управляющим p-n- переходом, МДП-транзистора со встроенным каналом и МДП-транзистора с индуцированным каналом. Почему для транзистора с n -каналом требуется указанная на рис. 2 полярность внешних источников питания? (Лекция 2, подраздел 1.5).
|
Рис. 2. Структуры (а, б, в) и условные обозначения (г, д, е) полевых транзисторов
