Полевые транзисторы. Рис. 3. Стоковые и сток-затворные характеристики полевых транзисторов
Рис. 3. Стоковые и сток-затворные характеристики полевых транзисторов Полевые транзисторы с управляющим p-n- переходом (П-у), МДП-транзисторы со встроенным каналом (МДП-в) и МДП-транзисторы с индуцированным каналом (МДП-и) описываются стоковыми и сток-затворными характеристиками, изображенными соответственно на рис. 3: П-уМДП-вМДП-и 1) в и д а и е б и г. 2) а и г б и е в и д. 3) б и г а и д в и е. 4) в и г б и е а и д. 5) б и д в и г а и е. 6) а и г в и е б и д. Ответ обосновать (дать расширенный ответ) . Исходя из физических основ функционирования полевых транзисторов объяснить состав семейств стоковых и сток-затворных вольт-амперных характеристик, а также форму графиков этих характеристик. В каком режиме (обеднения и/или обогащения) работают каждый из указанных типов транзисторов? От чего это зависит? Какие требования предъявляются к напряжению
|
в зависимости от типа транзистора? (Лекция 2, подраздел 1.5).
