Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Ничего не совпадает. Сделать горизонтальное деление





Наименование элемента λ =108 1/ч Наименование элемента λ =108 1/ч
Микросхемы со средней степенью интеграции Большие интегральные схемы Транзисторы германиевые: до 2 мВт до 20 мВт до 200 мВт свыше 200 мВт Транзисторы кремниевые: до 150 мВт до 1 Вт до 4 Вт Диоды германиевые Диодые кремниевые Конденсаторы бумажные —»— керамические —»— слюдяные —»— стеклянные —»—электролитические —»— воздушные переменные Резисторы композиционные —»— пленочные —»— проволочные —»— угольные Трансформаторы входные —»— выходные —»— звуковой частоты —»— высокочастотные —»— силовые   0, 013   0, 01   0, 4 0, 7 0, 6 1, 91   0, 84 0, 5 0, 74 0, 157 0, 2 0, 05 0, 15 0, 075 0, 06 0, 035   0, 034   0, 043 0, 03 0, 087 0, 045 1, 09 0, 09 0, 02 0, 045 0, 025 Автотрансформаторы Дроссели Катушки индуктивности Обмотки электродвигателя Реле Соединители Переключатели кнопочные Гнезда Клеммы, зажимы Провода соединительные Кабели Изоляторы Аккумуляторы Батареи заряжаемые Электродвигатели асинхронные —»— синхронные —»— вентиляторные Антенны Волноводы жесткие Волноводы гибкие Предохранители Выводы высокочастотные Плата печатной схемы Пайка печатного монтажа Пайка навесного монтажа Пайка объемного монтажа Микрофоны динамические Громкоговорители динамические Датчики оптические 0, 06 0, 34 0, 02 0, 08 0, 25*n 0, 062*n 0, 07*n 0, 01 0, 0005 0, 015 0, 475 0, 05 7, 2 1, 4 8, 6   0, 359 2, 25 0, 36 1, 1 2, 6 0, 5 2, 63 0, 7 0, 01 0, 03 0, 02   4, 7
Примечание: п – число контактов

 

Рис. 10. Зависимость a i(T, kn) для транзисторов Рис. 12. Зависимость a i(T, kn) для конденсаторов
 
Рис. 11. Зависимость a i(T, kn) для полупроводниковых диодов  
  Рис. 13. Зависимость a i(T, kn) для резисторов  

Таблица 11







Дата добавления: 2014-11-10; просмотров: 623. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...


Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...


Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...


ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Толкование Конституции Российской Федерации: виды, способы, юридическое значение Толкование права – это специальный вид юридической деятельности по раскрытию смыслового содержания правовых норм, необходимый в процессе как законотворчества, так и реализации права...

Значення творчості Г.Сковороди для розвитку української культури Важливий внесок в історію всієї духовної культури українського народу та її барокової літературно-філософської традиції зробив, зокрема, Григорій Савич Сковорода (1722—1794 pp...

Постинъекционные осложнения, оказать необходимую помощь пациенту I.ОСЛОЖНЕНИЕ: Инфильтрат (уплотнение). II.ПРИЗНАКИ ОСЛОЖНЕНИЯ: Уплотнение...

Йодометрия. Характеристика метода Метод йодометрии основан на ОВ-реакциях, связанных с превращением I2 в ионы I- и обратно...

Броматометрия и бромометрия Броматометрический метод основан на окислении вос­становителей броматом калия в кислой среде...

Метод Фольгарда (роданометрия или тиоцианатометрия) Метод Фольгарда основан на применении в качестве осадителя титрованного раствора, содержащего роданид-ионы SCN...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия