Выбор силовых транзисторов
При использовании в качестве ключевого элемента силового транзистора порядок выбора и расчета его теплового режима аналогичен изложенному в разделе для тиристора. Однако в большинстве случаев коммутирующий транзистор работает с высокой частотой переключения, поэтому при вычислении полной мощности потерь в транзисторе необходимо кроме потерь проводимости Роn учитывать потери переключения Р пер. Последние зачастую значительно преобладают над потерями на активном сопротивлении открытого транзистора Роn. В технических условиях на MOSFET или IGBT транзисторы обычно указываются значения энергии включения Еоп и энергии выключения Еoff, заданные в виде зависимости от частоты переключения f для различных значений тока коллектора. Потери мощности при переключении вычисляются по формуле
и при вычислении полных потерь суммируются с потерями Роп. Тепловое сопротивление между кристаллом и корпусом прибора Rjk является справочным параметром, а тепловое сопротивление между корпусом и радиатором Rcs можно ориентировочно оценить по данным приведенным в табл.1 [4]. Таблица 1
Зная эти параметры, можно рассчитать необходимое тепловое сопротивление радиатор – окружающая среда
которое обеспечит допустимый тепловой режим прибора. Выбрав конструктивное исполнение радиатора, и определив его пространственное положение, расчет его параметров можно выполнить по методикам тепловых расчетов, приведенных в [1-4]. Аналогично выбираются диоды, входящие в схему электронного переключателя, и рассчитываются их режимы. При использовании силового модуля его тепловой режим определяется суммарными потерями в силовых транзисторах и диодах, интегрированными в модуле.
|
,
) в зависимости от типа диэлектрической прокладки и ее толщины.
,
